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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV2N2906AUBC/TR	26.2050	RFQ	3641	微芯片技术	MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-				150-JANTXV2N2906AUBC/tr			100														60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	-
MSCSM120AM13CT6AG	-	RFQ	1487	微芯片技术	-	盒子	积极的									下载				150-MSCSM120AM13CT6AG			1
MSCSM70XM45CTYZBNMG	-	RFQ	1435	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		（SIC）	141W（TC），292W （TC）		-	下载	rohs3符合条件						1	6 n通道（3相桥）		700V	52A（TC），110A （TC）		44mohm @ 30a，20v，19mohm @ 40a，20v	2.7V @ 2mA，2.4V @ 4mA	99nc @ 20v，215nc @ 20V		2010pf @ 700V，4500pf @ 700V	（SIC）
MSCGLQ40X120CTYZBNMG	-	RFQ	3228	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			294 w	三相桥梁整流器	-	下载				150-MSCGLQ40X120CTYZBNMG			1	三期逆变器												-	1200 v	75 a	2.4V @ 15V，40a				100 µA	是的	2300 PF @ 25 V
MQ2N5116	55.0487	RFQ	2867	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MQ2N5116		500兆		TO-18	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		P通道	30 V							27pf @ 15V							30 V	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 mA				175欧姆
JANS2N2219AL	68.1750	RFQ	7768	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2219		800兆		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA					10NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	75 @ 1mA，10v	-
JANTXVR2N2907AUB/TR	12.3158	RFQ	6898	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANTXVR2N2907AUB/TR			143														60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MSCSM120AM03CT6LIAG	1.0000	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	3.215kW（TC）		sp6c li	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM03CT6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1200V（1.2kV）	805a（TC）		3.1MOHM @ 400A，20V	2.8V @ 10mA	2320nc @ 20V		30200pf @ 1KV	-
MSCSM120HM31CT3AG	270.3700	RFQ	7670	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	395W（TC）		SP3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120HM31CT3AG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道		1200V（1.2kV）	89A（TC）		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
MSR2N3501UB/TR	103.9200	RFQ	3008	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-							100
JANSL2N2222A	98.5102	RFQ	8259	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSL2N2222A			1														50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
TD9944TG-G	1.8900	RFQ	6573	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TD9944	MOSFET （金属 o化物）	-		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,300	2 n 通道（双）		240V	-		6ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	-		125pf @ 25V	-
APT50MC120JCU2	-	RFQ	1207	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50MC120	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	71A（TC）	20V	34mohm @ 50a，20v	2.3V @ 1ma（典型（typ）	179 NC @ 20 V	+25V，-10V	2980 pf @ 1000 V	-	300W（TC）
JANTXV2N5415U4	-	RFQ	4221	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														200 v	50 µA					50µA				PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
APTGLQ100A120T3AG	115.1509	RFQ	4063	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP3	APTGLQ100		650 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥												沟渠场停止	1200 v	185 a	2.4V @ 15V，100a				50 µA	是的	6.15 NF @ 25 V
apt5016bllg	11.1800	RFQ	2954	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT5016	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±30V	2833 PF @ 25 V	-	329W（TC）
JANSR2N3500	41.5800	RFQ	3507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSR2N3500			1														150 v	300 MA					10µA（ICBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3700P	11.0390	RFQ	7745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANTX2N3700P			1														80 V	1 a					10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MS2N4092	-	RFQ	3347	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MS2N4092			100		n通道	40 V							16pf @ 20V							40 V	15 ma @ 20 V					50欧姆
JANSL2N2907AL	99.0906	RFQ	6260	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSL2N2907AL			1														60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3867S	24.8843	RFQ	7303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3867		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	3 ma					100µA（ICBO）				PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
APTGT100DH60TG	102.7500	RFQ	8647	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT100		340 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥												沟渠场停止	600 v	150 a	1.9V @ 15V，100a				250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
JANTX2N6308	58.7594	RFQ	3836	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/498	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6308		125 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														350 v	8 a					50µA				NPN	5V @ 2.67a，8a	12 @ 3a，5v	-
apt10021jfll	101.2000	RFQ	9513	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10021	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	37A（TC）	10V	210MOHM @ 18.5A，10V	5V @ 5mA	395 NC @ 10 V	±30V	9750 PF @ 25 V	-	694W（TC）
2N6547T1	349.2000	RFQ	9125	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6547T1	Ear99	8541.29.0095	1														400 v	15 a					-				NPN	-	-	-
2N5733	519.0900	RFQ	7520	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			150 w		TO-63	-			到达不受影响	150-2N5733	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	30 a					-				NPN	-	-	-
JANTXV2N6211	-	RFQ	3390	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/461	大部分	积极的	-55°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			3 W		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														225 v	5 ma					5mA				PNP	1.4V @ 125mA，1a	30 @ 1A，5V	-
MSC015SMA070B	35.7600	RFQ	1898年	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MSC015	sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC015SMA070B	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	700 v	131a（TC）	20V	19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 1mA	215 NC @ 20 V	+25V，-10V	4500 PF @ 700 V	-	400W（TC）
TN2640N3-G	1.9200	RFQ	366	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN2640	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	400 v	220mA（TJ）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2V @ 2mA		±20V	225 pf @ 25 V	-	740MW（TA）
2N5729	28.1250	RFQ	5471	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5729	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	5 a					-				PNP	1.5V @ 500µA，2mA	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²