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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1214GN-1220V	-	RFQ	1159	微芯片技术	e	大部分	积极的	125 v		表面安装	55-qq		1.2GHz〜1.4GHz	hemt			55-qq	下载			到达不受影响	150-1214GN-1220V	Ear99	8541.29.0095	1			-	30 ma	130W	17.16db											-					50 V
JANTXV2N2920U/TR	58.0678	RFQ	7045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N2920			350MW		6-SMD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N2920U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			60V	30mA			10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
2N6061	613.4700	RFQ	8708	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				262 w		TO-63	-			到达不受影响	150-2N6061	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	50 a			-			PNP	-	-	-
2N2605UB/TR	81.6300	RFQ	7588	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				400兆		UB	-							100																			60 V	30 ma			10NA			PNP	300mv @ 500µA，10mA	150 @ 500µA，5V	-
APT35GT120JU2	24.4800	RFQ	6514	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT35GT120			260 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	55 a	2.1V @ 15V，35a		5 ma	不	2.53 NF @ 25 V
JANTX2N3735L	9.5494	RFQ	4193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3735			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	1.5 a			10µA			NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
APT100MC120JCU2	-	RFQ	6199	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT100		sicfet （碳化硅）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	143a（TC）	20V	17mohm @ 100a，20v	2.3V @ 2mA	360 NC @ 20 V	+25V，-10V	5960 pf @ 1000 V	-	600W（TC）
JANSH2N2218AL	283.9200	RFQ	9370	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSH2N2218AL			1																			50 V	800 MA			10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
APTGT30TL601G	56.5400	RFQ	5616	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT30			90 W	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器																	沟渠场停止	600 v	50 a	1.9V @ 15V，30a		250 µA	不	1.6 nf @ 25 V
2N5346	287.8650	RFQ	7094	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				60 W		TO-59	-			到达不受影响	150-2N5346	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	7 a			-			PNP	-	-	-
2N5795A	71.0700	RFQ	8390	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5795			600MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-2N5795A	Ear99	8541.21.0095	1																			60V	600mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANSF2N3019	124.6306	RFQ	6826	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSF2N3019			1																			80 V	1 a			10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JASP2N2906AUB	148.2202	RFQ	9783	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSP2N2906AUB			1																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
TN5325N8-G	0.7800	RFQ	4021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-243AA	TN5325		MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					250 v	316ma（TJ）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
jankcdr2n2907a	-	RFQ	3761	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCDR2N2907A			100																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5599	43.0350	RFQ	1496年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				20 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5599	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	2 a			-			PNP	850mv @ 200µA，1mA	-	-
APT10090SLLG	17.8700	RFQ	2907	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT10090		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	12A（TC）		900mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V		1969 pf @ 25 V	-
APTGT600DA60G	225.2700	RFQ	2800	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT600			2300 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	600 v	700 a	1.8V @ 15V，600A		750 µA	不	49 NF @ 25 V
APT5016BFLLG	16.4800	RFQ	1814年	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT5016		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±30V	2833 PF @ 25 V	-	329W（TC）
APTGF50H60T3G	-	RFQ	5377	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP3				250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	npt	600 v	65 a	2.45V @ 15V，50a		250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
2N6193QFN/TR	23.6100	RFQ	3058	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N6193QFN/TR	Ear99	8541.29.0095	100																			100 v	5 a			100µA			PNP	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
2N5239	50.5950	RFQ	2418	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N5239			1
APTGT50H60T3G	74.5800	RFQ	16	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT50			176 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	沟渠场停止	600 v	80 a	1.9V @ 15V，50a		250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
2N3597	547.4100	RFQ	9640	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				100 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N3597	Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	20 a			-			PNP	-	-	-
MSR2N2369AUBC	-	RFQ	8383	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				360兆w		UBC	-			到达不受影响	150-MSR2N2369AUBC			100																			15 v				400NA			NPN	250mv @ 3mA，30mA	40 @ 10mA，1V	-
MSCSM120TLM16C3AG	470.3100	RFQ	8513	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	745W（TC）		SP3F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120TLM16C3AG	Ear99	8541.29.0095	1	（4 n 通道（三级逆变器）						1200V（1.2kV）	173a（TC）		16mohm @ 80a，20v	2.8V @ 2mA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
JASP2N3439L	270.2400	RFQ	7163	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N3439L			1																			350 v	1 a			2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
APT5018SLLG	11.3100	RFQ	7260	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT5018		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	27a（TC）		180MOHM @ 13.5A，10V	5V @ 1mA	58 NC @ 10 V		2596 pf @ 25 V	-
APTGL475SK120D3G	250.4300	RFQ	6056	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGL475			2080 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	610 a	2.2V @ 15V，400A		5 ma	不	24.6 nf @ 25 V
APTGF180A60TG	-	RFQ	8231	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP4				833 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	npt	600 v	220 a	2.5V @ 15V，180a		300 µA	是的	8.6 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²