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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
apt50m75llg	21.0600	RFQ	7205	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT50M75	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	57A（TC）		75MOHM @ 28.5A，10V	5V @ 2.5mA	125 NC @ 10 V		5590 pf @ 25 V	-
MSCSM120AM13CT6AG	-	RFQ	1487	微芯片技术	-	盒子	积极的									下载				150-MSCSM120AM13CT6AG			1
JANTXV2N2906AUBC/TR	26.2050	RFQ	3641	微芯片技术	MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-				150-JANTXV2N2906AUBC/tr			100														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	-
CMAVC60VRM99T3AMG	-	RFQ	2479	微芯片技术	*	托盘	过时的									-				150-CMAVC60VRM99T3AMG	过时的		1
CMSDC60H19B3G	-	RFQ	8142	微芯片技术	*	托盘	过时的									-				150-CMSDC60H19B3G	过时的		1
MSCSM70AM025CT6LIAG	881.2550	RFQ	5787	微芯片技术	-	管子	积极的	-	底盘安装	模块	MSCSM70	（SIC）	1882W（TC）		sp6c li	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM025CT6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n通道		700V	689a（TC）		-	2.4V @ 24mA tovice（typ）	1290nc @ 20V		27pf @ 700V	-
MSCM20AM058G	400.8200	RFQ	3	微芯片技术	-	盒子	积极的	-	底盘安装	模块	MSCM20	MOSFET （金属 o化物）	-		LP8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCM20AM058G	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		200V	280a（TC）		-	-	-		-	-
MSCSM120AM042CD3AG	936.0500	RFQ	9	微芯片技术	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	2.031kW（TC）		D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM042CD3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1200V（1.2kV）	495a（TC）		5.2MOHM @ 240A，20V	2.8V @ 6mA	1392NC @ 20V		18.1pf @ 1000V	-
MSCSM120AM027CT6AG	1.0000	RFQ	5319	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	2.97kW（TC）		SP6C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM027CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1200V（1.2kV）	733a（TC）		3.5mohm @ 360a，20v	2.8V @ 9mA	2088NC @ 20V		27000pf @1000V	-
MSCSM70AM07CT3AG	362.4800	RFQ	4277	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70	（SIC）	988W（TC）		SP3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM07CT3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		700V	353A（TC）		6.4MOHM @ 120A，20V	2.4V @ 12mA	645nc @ 20V		13500pf @ 700V	-
2n3499ub/tr	28.1250	RFQ	2187	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		UB	-			到达不受影响	150-2N3499UB/TR	Ear99	8541.29.0095	100														100 v	500 MA		10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
MSCSM70XM45CTYZBNMG	-	RFQ	1435	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		（SIC）	141W（TC），292W （TC）		-	下载	rohs3符合条件						1	6 n通道（3相桥）		700V	52A（TC），110A （TC）		44mohm @ 30a，20v，19mohm @ 40a，20v	2.7V @ 2mA，2.4V @ 4mA	99nc @ 20v，215nc @ 20V		2010pf @ 700V，4500pf @ 700V	（SIC）
MSCGLQ40X120CTYZBNMG	-	RFQ	3228	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			294 w	三相桥梁整流器	-	下载				150-MSCGLQ40X120CTYZBNMG			1	三期逆变器												-	1200 v	75 a	2.4V @ 15V，40a	100 µA	是的	2300 PF @ 25 V
MSCSM70VR1M07CT6AG	502.0100	RFQ	1297	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70	（SIC）	966W（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70VR1M07CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		700V	349A（TC）		6.4MOHM @ 120A，20V	2.4V @ 12mA	645nc @ 20V		13500pf @ 700V	-
MSCSM120VR1M31C1AG	161.6500	RFQ	2747	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	395W（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120VR1M31C1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1200V（1.2kV）	89A（TC）		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
apt50m75jfll	44.8700	RFQ	2107	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50M75	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	51A（TC）		75MOHM @ 25.5A，10V	5V @ 2.5mA	125 NC @ 10 V		5590 pf @ 25 V	-
APT12057B2FLLG	39.0303	RFQ	9346	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT12057	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	22a（TC）	10V	570MOHM @ 11A，10V	5V @ 2.5mA	185 NC @ 10 V	±30V	5155 pf @ 25 V	-	690W（TC）
2N6660	15.9000	RFQ	4	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6660MC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	410mA（ta）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 24 V	-	6.25W（TC）
APT5010B2VRG	18.4100	RFQ	3350	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	APT5010	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	47A（TC）		100mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
JANSL2N3635UB/TR	147.3102	RFQ	4007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1.5 w		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														140 v	10 µA		10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，10v	-
MSCSM120DUM31TBL2NG	246.6500	RFQ	8848	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	310W		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM31TBL2NG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道，常见来源		1200V（1.2kV）	79a		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
JANSD2N3439	270.2400	RFQ	3352	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3439			1														350 v	1 a		2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2N2443	32.2800	RFQ	7466	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N2443			1
NSA2079	-	RFQ	3446	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-NSA2079			1
APTGLQ200H120G	378.5700	RFQ	3108	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGLQ200		1000 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥												沟渠场停止	1200 v	350 a	2.4V @ 15V，200a	100 µA	不	12.3 NF @ 25 V
2N6059	48.1194	RFQ	3528	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6059					-	Rohs不合规		到达不受影响	2N6059MS	Ear99	8541.29.0095	1
APTMC120TAM12CTPAG	-	RFQ	5849	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTMC120	（SIC）	925W		sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）		1200V（1.2kV）	220A（TC）		12mohm @ 150a，20v	2.4V @ 30mA ty（typ）	483nc @ 20V		8400pf @ 1000V	-
JAN2N3716	47.9864	RFQ	8142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/408	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N3716		5 w		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	10 a		1ma			NPN	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
2N6329	124.7939	RFQ	8648	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6329					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N5154L	14.8295	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5154		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	2 a		50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²