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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N6660	15.9000	RFQ	4	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6660MC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	410mA（ta）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 24 V	-	6.25W（TC）
APT5010B2VRG	18.4100	RFQ	3350	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	APT5010		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	47A（TC）		100mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
MSCSM120DUM31TBL2NG	246.6500	RFQ	8848	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	310W		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM31TBL2NG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道，常见来源			1200V（1.2kV）	79a		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
JANSD2N3439	270.2400	RFQ	3352	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3439			1															350 v	1 a								2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
NSA2079	-	RFQ	3446	微芯片技术	-	大部分	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-NSA2079			1
APTGLQ200H120G	378.5700	RFQ	3108	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGLQ200			1000 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥													沟渠场停止	1200 v	350 a		2.4V @ 15V，200a						100 µA	不	12.3 NF @ 25 V
2N6059	48.1194	RFQ	3528	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6059						-	Rohs不合规		到达不受影响	2N6059MS	Ear99	8541.29.0095	1
APTMC120TAM12CTPAG	-	RFQ	5849	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTMC120		（SIC）	925W		sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			1200V（1.2kV）	220A（TC）		12mohm @ 150a，20v	2.4V @ 30mA ty（typ）	483nc @ 20V		8400pf @ 1000V	-
JAN2N3716	47.9864	RFQ	8142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/408	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N3716			5 w		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	10 a								1ma				NPN	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
2N6329	124.7939	RFQ	8648	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6329						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N5154L	14.8295	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5154			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	2 a								50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APTC60DAM70T1G	59.3700	RFQ	7279	微芯片技术	coolmos™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 频道（双重斩波器）			600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		7000pf @ 25V	-
APT200GN60B2G	24.7600	RFQ	2452	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT200	标准		682 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，200a，1ohm，15V											沟渠场停止	600 v	283 a	600 a	1.85V @ 15V，200a	（在13mj），11mj（11mj）	1180 NC	50NS/560NS
JAN2N3635	10.5070	RFQ	6674	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3635			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															140 v	1 a								10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTXV2N3468	-	RFQ	9722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/348	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															50 V	1 a								100NA（ICBO）				PNP	1.2V @ 100mA，1a	25 @ 500mA，1V	-
JANSR2N3501UB	95.2600	RFQ	7274	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															150 v	300 MA								10µA（ICBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
TN0610N3-G-P003	1.0500	RFQ	7832	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0610		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	500mA（TJ）	3V，10V	1.5OHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
MQ2N4093	63.2947	RFQ	3131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4093			1		n通道		40 V							16pf @ 20V											40 V	8 ma @ 20 V				80欧姆
apt5010jfll	-	RFQ	1166	微芯片技术	PowerMos7®	管子	过时的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		500 v	41A（TC）		100mohm @ 20.5a，10v	5V @ 2.5mA	95 NC @ 10 V		4360 pf @ 25 V	-
JANSM2N3635UB/TR	147.3102	RFQ	3701	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				1.5 w		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															140 v	10 µA								10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，10v	-
2N1506	34.3500	RFQ	1856年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				3 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N1506	Ear99	8541.29.0095	1															40 V	500 MA								-				PNP	1.5V @ 50µA，100µA	-	-
JANSR2N2906AL	104.7502	RFQ	2681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906			500兆		TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N2906AL	Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA								50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
APT34F100B2	23.5000	RFQ	3018	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT34F100		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	35A（TC）	10V	380MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	305 NC @ 10 V	±30V	9835 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
89100-04TX	-	RFQ	7394	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2						TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																								-				-	-	-	-
APT26F120L	27.8600	RFQ	9574	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT26F120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	27a（TC）	10V	650MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
2N5415S	30.6432	RFQ	1957年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5415			750兆w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															200 v	1 a								1ma				PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
APTGL700U120D4G	303.3100	RFQ	4905	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D4	APTGL700			3000 w	标准	D4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1200 v	910 a		2.2V @ 15V，600A						4 mA	不	37.2 NF @ 25 V
APTM50HM75STG	164.9400	RFQ	2832	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	357W		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）			500V	46a		90MOHM @ 23A，10V	5V @ 2.5mA	123nc @ 10V		5600pf @ 25V	-
MV2N4860UB	80.4916	RFQ	5752	微芯片技术	*	大部分	积极的				MV2N4860						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JASP2N3636	-	RFQ	3401	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															175 v	10 µA								10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²