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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV2N3584	240.2418	RFQ	1147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/384	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			2.5 w		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														250 v	5 ma					5mA				NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	-
Janhca2n2369a	11.3449	RFQ	7686	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2n2369a		360兆w		TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca2n2369a	Ear99	8541.21.0095	1														15 v						400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
APT12057B2FLLG	39.0303	RFQ	9346	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT12057	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	22a（TC）	10V	570MOHM @ 11A，10V	5V @ 2.5mA	185 NC @ 10 V	±30V	5155 pf @ 25 V	-	690W（TC）
JAN2N5682	24.0198	RFQ	6396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/583	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5682		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														120 v	1 a					10µA				NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 250mA，2V	-
JANTX2N3867U4	159.0680	RFQ	1952年	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	3 a					100µA（ICBO）				PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
2n7002-g	0.6400	RFQ	866	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）			SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	115mA（tj）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±30V	50 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
2N5237	23.9134	RFQ	5425	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5237		1 w		TO-5AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														120 v	10 a					10µA				NPN	2.5V @ 1a，10a	50 @ 1A，5V	-
APTGTQ100DA65T1G	56.4000	RFQ	4977	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGTQ100		250 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器												-	650 v	100 a	2.2V @ 15V，100a				100 µA	是的	6 nf @ 25 V
JANS2N5339	209.1114	RFQ	5411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/560	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	100 µA					100µA				NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
2N2907AUBC	28.6950	RFQ	9525	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-			到达不受影响	150-2N2907AUBC	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
TN0104N3-G-P003	0.9800	RFQ	2284	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0104	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	450mA（ta）	3V，10V	1.8OHM @ 1A，10V	1.6V @ 500µA		±20V	70 pf @ 20 V	-	1W（TC）
2N4449UB	24.3523	RFQ	1842年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	-	2N4449		360兆w		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														20 v						400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
MSCSM120DUM31CTBL1NG	166.2400	RFQ	3045	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	310W		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM31CTBL1NG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源		1200V	79a		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-
JASP2N2369AUBC	252.5510	RFQ	8742	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w		UBC	-			到达不受影响	150-JANSP2N2369AUBC			1														15 v						400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTXV2N222221AUA/TR	26.7596	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆		UA	-			到达不受影响	150-JANTXV2N222221AUA/TR			100														50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N5415UAC	63.3600	RFQ	4897	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			750兆w		UA	-			到达不受影响	150-2N5415UAC	Ear99	8541.21.0095	1														200 v	1 a					1ma				PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
2N5151U3	85.8382	RFQ	4433	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w		U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	1 MA					1ma				PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N4033UB/TR	25.9350	RFQ	5360	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N4033UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a					10µA（ICBO）				PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
2N3499L	13.5394	RFQ	7909	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3499		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	500 MA					10µA（ICBO）				NPN	1.4V @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
2N3743	15.3482	RFQ	7735	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3743		1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														300 v	200 ma					250NA（ICBO）				PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
2N5337	12.6882	RFQ	5980	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5337					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N5090	287.8650	RFQ	4688	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N5090			1
JankCBM2N3700	-	RFQ	1716年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBM2N3700			100														80 V	1 a					10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MQ2N4860	54.6231	RFQ	1105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4860			1		n通道	30 V							18pf @ 10V							30 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 500 PA				40欧姆
JANSG2N2221AUB/TR	255.6750	RFQ	9063	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				150-JANSG2N222221AUB/TR			50
JANTXV2N2906AUA/TR	29.7388	RFQ	1017	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2906		500兆		4-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N2906AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
Janhcb2n2222a	8.9376	RFQ	9513	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhcb2n2222a	Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5760	77.3850	RFQ	7509	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5760	Ear99	8541.29.0095	1														140 v	6 a					-				NPN	-	-	-
VRF152GMP	356.1300	RFQ	10	微芯片技术	-	大部分	积极的				VRF152					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-VRF152GMP	Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N3635	10.5070	RFQ	6674	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3635		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²