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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JASP2N3636	-	RFQ	3401	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			175 v	10 µA						10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
APT20M38BVRG	13.3000	RFQ	2588	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20M38		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
JAN2N3741U4	-	RFQ	9344	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				25 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	10 µA						10µA				PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
APT51F50J	30.4800	RFQ	7013	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT51F50		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	51A（TC）	10V	75MOHM @ 37A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	11600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
2N3498U4	135.1050	RFQ	4962	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-			到达不受影响	150-2N3498U4	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	500 MA						50NA（iCBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTXV2N336	-	RFQ	1236	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			45 v	10 MA						-				NPN	-	-	-
MSCSM120HRM311AG	156.8300	RFQ	3496	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			（SIC）	395W（TC），365W （TC）		-	-				150-MSCSM120HRM311AG			1	（4 n 通道（三级逆变器）						1200V（1.2kV），700V	89A（TC），124A （TC）		31mohm @ 40a，20v，19mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA	232nc @ 20v，215nc @ 20V		3020pf @ 1000V，4500pf @ 700V	（SIC）
JANTX2N6052	76.7700	RFQ	22	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/501	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6052			150 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	12 a						1ma				pnp-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
APT20M22JVRU2	31.5900	RFQ	6183	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M22		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	97A（TC）	10V	22mohm @ 48.5a，10v	4V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	450W（TC）
2N4091UB	47.6539	RFQ	1416	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4091			360兆w		3-UB （3.09x2.45）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道					40 V							16pf @ 20V									40 V	30 ma @ 20 V					30欧姆
2N2919U	48.6647	RFQ	9473	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919			350MW		3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60V	30mA						10µA（ICBO）				2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
MSR2N2222AUBC/TR	249.9203	RFQ	4205	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-MSR2N222222AUBC/tr			100																			50 V	800 MA						50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS2N918UB	220.1112	RFQ	4902	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				200兆		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			15 v	50 mA						1µA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
APT42F50B	10.1400	RFQ	2515	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT42F50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	42A（TC）	10V	130mohm @ 21a，10v	5V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	625W（TC）
DN2530N8-G	0.8800	RFQ	3905	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN2530		MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					300 v	200ma（tj）	0V	12ohm @ 150mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1.6W（TA）
APTGF300SK120G	-	RFQ	3089	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP6				1780 w	标准	SP6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	npt	1200 v	400 a	3.9V @ 15V，300A					500 µA	不	21 nf @ 25 V
MX2N4861UB/TR	68.9206	RFQ	2529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				360兆w		UB	-			到达不受影响	150-MX2N4861UB/TR			100		n通道					30 V							18pf @ 10V									30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA				60欧姆
2N4211	707.8500	RFQ	7520	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				100 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N4211	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	20 a						-				PNP	-	-	-
VRF154FLMP	-	RFQ	4370	微芯片技术	-	管子	积极的	170 v			4-SMD	VRF154	80MHz	MOSFET			-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		4ma	800 MA	600W	17dB											-					50 V
MX2N4858UB	68.7743	RFQ	7152	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4858						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MSCSM120AM03T6LIAG	1.0000	RFQ	5001	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	3.215kW（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM03T6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						1200V（1.2kV）	805a（TC）		3.1MOHM @ 400A，20V	2.8V @ 30mA	2320nc @ 20V		30200pf @ 1000V	-
2N6248	65.3100	RFQ	4956	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				125 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6248	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	15 a						-				PNP	1.3V @ 500µA，5mA	-	-
JANTX2N6649	115.7499	RFQ	4286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/527	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				5 w		TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	10 a						1ma（iCBO）				pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
JANTXV2N3725UB/TR	-	RFQ	5942	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅						UB	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3725UB/TR			50																			50 V	500 MA						-				NPN	-	-	-
2N6231	39.3148	RFQ	1973	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6231						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSF2N3439U4	413.4420	RFQ	2395	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				800兆		U4	-			到达不受影响	150-JANSF2N3439U4			1																			350 v	1 a						2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTXV2N3724UB/TR	-	RFQ	3978	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅						UB	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3724UB/TR			50																			30 V	500 MA						-				NPN	-	-	-
JANSL2N3700UB	40.1900	RFQ	6983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSL2N3700UB			1																			80 V	1 a						10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6582	110.9100	RFQ	3424	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3				125 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6582	Ear99	8541.29.0095	1																			350 v	10 a						-				NPN	-	-	-
2N4393	18.2875	RFQ	5710	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	-	2N4393			1.8 w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4393MS	Ear99	8541.29.0095	1		n通道												14pf @ 20V									40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na				100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²