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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SCT3040KRHRC15	28.2200	RFQ	1320	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3040	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3040KRHRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	55A（TC）	18V	52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	262W
RHK005N03FRAT146	0.4800	RFQ	382	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RHK005	MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	500mA（ta）	4V，10V	550MOHM @ 500mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	45 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
UMB4NTN	0.0848	RFQ	1507	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMB4		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	-	2 PNP-）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
2SCR552PT100	0.6000	RFQ	475	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR552		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													30 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	280MHz
BSS63T116	-	RFQ	1527年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													100 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	30 @ 10mA，1V	200MHz
RD3S075CNTL1	1.9200	RFQ	1429	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3S075	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	190 v	7.5A（TC）	4V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	52W（TC）
2SAR533PFRAT100	0.4400	RFQ	33	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR533		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	120 @ 50mA，3v	300MHz
2SCR346PT100Q	0.6200	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR346		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000													400 v	100 ma	10µA（ICBO）	NPN	300mv @ 2mA，20mA	82 @ 10mA，10v	-
dtc114tetl	0.3800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
RSS090N03FU6TB	-	RFQ	2530	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS090	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9a（9a）	4V，10V	15mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	2W（TA）
SSTA56T116	0.4400	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSTA56		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													80 V	500 MA	1µA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
R6011knx	1.9600	RFQ	420	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6011	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	53W（TC）
DTC114EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTC123E	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn- +二极管	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
UMD12NTR	0.4700	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMD12		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
2SD2211T100Q	0.8500	RFQ	991	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2211		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	NPN	2V @ 100mA，1a	120 @ 100mA，5V	80MHz
DTA124TMT2L	0.0615	RFQ	7895	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTA124		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
RTQ020N05TR	0.5900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ020	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	45 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	190mohm @ 2a，4.5V	1.5V @ 1mA	2.3 NC @ 4.5 V	±12V	150 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
DTB123EKT146	0.4500	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB123		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	39 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
DTC114EU3HZGT106	0.3800	RFQ	301	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC114		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
R5016anjtl	2.9591	RFQ	9089	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R5016	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	16A（TA）	10V	270MOHM @ 8A，10V	4.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	100W（TC）
US5U30TR	0.2604	RFQ	4998	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	US5U30	MOSFET （金属 o化物）		Tumt5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	1A（1A）	2.5V，4.5V	390MOHM @ 1A，4.5V	2V @ 1mA	2.1 NC @ 4.5 V	±12V	150 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1W（ta）
DTD543ZE3TL	0.4000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTD543		150兆	EMT3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	500 MA	500NA	npn- +二极管	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
UMB8NTR	0.0848	RFQ	3905	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMB8		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	-	2 PNP-）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
RRQ045P03HZGTR	1.3300	RFQ	248	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RRQ045	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	4.5A（ta）	4V，10V	35MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 5 V	±20V	1350 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
EM6J1T2R	0.4400	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EM6J1	MOSFET （金属 o化物）	150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2（p 通道（双）		20V	200mA		1.2OHM @ 200mA，4.5V	1V @ 100µA	1.4NC @ 4.5V		115pf @ 10V	逻辑级别门
SCT3080ARC14	20.2100	RFQ	18	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3080	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
R6015knx	2.2000	RFQ	1	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6015	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	5V @ 1mA	27.5 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	60W（TC）
R5016fnjtl	2.0698	RFQ	6200	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R5016	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	500 v	16A（TC）	10V	325MOHM @ 8A，10V	5V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	255W（TC）
DTA143XU3HZGT106	0.3800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA143		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
RD3L01BATTL1	1.1600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3L01	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	10a（10a）	4.5V，10V	84mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15.2 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	26W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²