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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RGTH00TS65DGC13	6.6000	RFQ	3477	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	rgth00	标准		277 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGTH00TS65DGC13	Ear99	8541.29.0095	600			400V，50a，10ohm，15V											54 ns	沟渠场停止	650 v	85 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	-	94 NC	39NS/143NS
r6009jnjgtl	2.9400	RFQ	9436	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6009		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	9A（TC）	15V	585MOHM @ 4.5A，15V	7V @ 1.38mA	22 NC @ 15 V	±30V	645 pf @ 100 V	-	125W（TC）
BSS63AHZGT116	0.3900	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS63			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																100 v	100 ma						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	30 @ 25mA，1V	200MHz
R6535knzc17	7.8500	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6535		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6535KNZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	35A（TC）	10V	115mohm @ 18.1a，10v	5V @ 1.21MA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	102W（TC）
R6024ENXC7G	5.5800	RFQ	980	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6024		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	24A（24A）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	74W（TC）
2SARA41CHZGT116R	0.5000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2Sara41			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																120 v	50 mA						500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
R6030ENZM12C8	-	RFQ	1373	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6030		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6030ENZM12C8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 1mA	85 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	120W（TC）
RS1E350GNTB	2.6800	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	35A（ta），80a tc）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	4060 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
r6004jnjgtl	2.2300	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6004		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	4A（TC）	15V	1.43OHM @ 2A，15V	7V @ 450µA	10.5 NC @ 15 V	±30V	260 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RRQ045P03TR	0.8900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RRQ045		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	4.5A（ta）	4V，10V	35MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 5 V	±20V	1350 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
RE1E002SPTCL	0.3600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	RE1E002		MOSFET （金属 o化物）		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	250mA（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 250mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
UT6MA2TCR	0.6500	RFQ	33	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6MA2		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			30V	4A（ta）		46mohm @ 4A，10V，70MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	4.3nc @ 10v，6.7nc @ 10V		180pf @ 15V，305pf @ 15V	-
RRS040P03FRATB	0.3489	RFQ	2760	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS040		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	4A（ta）	4V，10V	75MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.2 NC @ 5 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RW1A025APT2CR	-	RFQ	4370	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A025		MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道		12 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	16 NC @ 4.5 V	-8V	2000 pf @ 6 V	-	400MW（TA）
SCT3060ALHRC11	25.3100	RFQ	282	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3060		sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	39A（TC）	18V	78mohm @ 13a，18v	5.6V @ 6.67mA	58 NC @ 18 V	+22V，-4V	852 PF @ 500 V	-	165W
R6018Jnjgtl	4.2600	RFQ	626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6018		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	18A（TC）	15V	286mohm @ 9a，15v	7V @ 4.2mA	42 NC @ 15 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	220W（TC）
RRS050P03HZGTB	1.2800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS050		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	5A（5A）	4V，10V	50mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	9.2 NC @ 5 V	±20V	850 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RSH110N03TB1	-	RFQ	2994	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSH110		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	11a（11a）		10.7MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V		1300 pf @ 10 V	-	2W（TA）
EMB3FHAT2R	0.3600	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB3FHAT2			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50V	100mA						500NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
R6020ENXC7G	5.3400	RFQ	956	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6020		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6020ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	20A（TA）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
RGPR20NS43HRTL	1.8900	RFQ	84	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RGPR20	标准		107 w	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，8A，100OHM，5V												-	460 v	20 a		2.0V @ 5V，10a	-	14 NC	500NS/4µs
RGWS60TS65GC13	4.9800	RFQ	3173	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGWS60	标准		156 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWS60TS65GC13	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	51 a	90 a	2V @ 15V，30a	（500µJ）（在450µJ上）	58 NC	32NS/91NS
rej002yntcl	0.3600	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	REJ002		MOSFET （金属 o化物）		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		50 V	200ma（ta）	0.9V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	800mv @ 1mA		±8V	26 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
UMT4401U3T106	0.5100	RFQ	184	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	UMT4401			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	600 MA						100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
SP8K1FU6TB	-	RFQ	4626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K1		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	5a		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
BC847BU3HZGT106	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
RSF015N06TL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF015		MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	1.5A（TA）	4V，10V	290MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	110 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
EMH2FHAT2R	0.0958	RFQ	3681	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH2FHAT2			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
R6050JNZC8	-	RFQ	7204	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6050		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6050JNZC8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	50A（TC）	15V	83mohm @ 25a，15v	7V @ 5mA	120 NC @ 15 V	±30V	4500 PF @ 100 V	-	120W（TC）
SH8KE7TB1	2.1000	RFQ	2067	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8KE7		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	-		（1 （无限）					2,500	2 n通道			100V	8a（8a）		20.9mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	19.8nc @ 10V		1110pf @ 50V	标准

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²