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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SAR574D3FRATL	1.7200	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SAR574		10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-2SAR574D3FRATLTR	Ear99	8541.21.0075	2,500														80 V	2 a	1µA（ICBO）		400mv @ 50mA，1a	180 @ 100mA，3v
R6004JNXC7G	2.4400	RFQ	851	Rohm半导体	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R6004	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	15V	1.43OHM @ 2A，15V	7V @ 450µA	10.5 NC @ 15 V	±30V	260 pf @ 100 V	-	35W（TC）
DTC623TUT106	0.3900	RFQ	646	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	DTC623		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														20 v	600 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 2.5mA，50mA	820 @ 50mA，5V	150 MHz	2.2 kohms
R6004Endtl	1.4600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	20W（TC）
DTC124TUAT106	0.0463	RFQ	7800	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	DTC124		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
2SD1898T100Q	0.5100	RFQ	143	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA	2SD1898		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														80 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	120 @ 500mA，3v	100MHz
RDD020N60TL	0.6600	RFQ	2007	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RDD020	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	2A（TA）	10V	-	-		±30V		-	20W（TC）
RF4G060ATTCR	0.9100	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	6-Powerudfn	RF4G060	MOSFET （金属 o化物）		HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		40 V	6a（6a）	4.5V，10V	40mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	17.2 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 20 V	-	2W（TA）
dtd523yetl	0.4800	RFQ	223	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-75，SOT-416	DTD523		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														12 v	500 MA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2SD2537T100V	0.8400	RFQ	9919	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA	2SD2537		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														25 v	1.2 a	300NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，500mA	820 @ 500mA，5V	200MHz
R8002ANX	-	RFQ	5448	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R8002	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		800 v	2A（TC）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	5V @ 1mA	12.7 NC @ 10 V	±30V	210 pf @ 25 V	-	35W（TC）
2SCR512RHZGTL	0.6800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-96			500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 35mA，700mA	200 @ 100mA，2V	320MHz
RXR035N03TCL	0.2392	RFQ	3372	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	SC-96	RXR035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	3.5A（ta）	4V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3 NC @ 5 V	±20V	180 pf @ 10 V	-	1W（ta）
DTA115ECAT116	0.2700	RFQ	50	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA115		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
DTA024EUBTL	0.3000	RFQ	704	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-85	DTA024		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	30 ma	-	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	60 @ 5mA，10v	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2SA2029T2LQ	0.4000	RFQ	49	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SOT-723	2SA2029		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
QSZ2TR	0.5600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QSZ2		1.25W	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000														30V	1.5a	100NA（ICBO）	NPN，PNP （发射器耦合）	350mv @ 50mA，1a / 370mv @ 50mA，1a	270 @ 100mA，2V	300MHz，280MHz
RD3R02BBHTL1	1.7900	RFQ	2448	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3R02	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	20A（TC）	6V，10V	81mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	12.4 NC @ 10 V	±20V	730 PF @ 75 V	-	50W（TC）
tt8u1tr	0.3152	RFQ	4930	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8U1	MOSFET （金属 o化物）		8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	2.4A（TA）	1.5V，4.5V	105mohm @ 2.4a，4.5V	1V @ 1mA	6.7 NC @ 4.5 V	±10V	850 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
2SD2097TV2Q	-	RFQ	6726	Rohm半导体	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	3-SIP	2SD2097		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500														20 v	5 a	500NA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，4a	120 @ 500mA，2V	150MHz
EMD29T2R	0.4500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD29		120MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000														50V，12V	100mA，500mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA / 300mv @ 5mA，100mA	30 @ 5mA，5v / 140 @ 100mA，2V	250MHz，260MHz	1KOHMS，10KOHMS	10KOHMS
EM6M2T2R	0.5300	RFQ	120	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SOT-563，SOT-666	EM6M2	MOSFET （金属 o化物）	150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	n和p通道			20V	200mA		1欧姆 @ 200ma，4V	1V @ 1mA	-		25pf @ 10V	逻辑级别门
DTA013ZEBTL	0.2600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-89，SOT-490	DTA013		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	30 @ 5mA，10v	250 MHz	1 kohms	10 kohms
RSS060P05FRATB	1.0000	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS060	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		45 v	6a（6a）	4V，10V	36mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	32.2 NC @ 5 V	±20V	2700 PF @ 10 V	-	2W（TA）
2SD1867TV2	-	RFQ	6849	Rohm半导体	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500														100 v	2 a	10µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	1000 @ 1A，2V	80MHz
BC848BHZGT116	0.1900	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	200MHz
DTA114EMT2L	0.3900	RFQ	871	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-723	DTA114		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000														50 V	50 mA	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RSS090P03FU6TB1	-	RFQ	3965	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS090P03FU6TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	9a（9a）	4V，10V	14mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	39 NC @ 5 V	±20V	4000 pf @ 10 V	-	2W（TA）
QS8F2TCR	0.3334	RFQ	6191	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	12V，30V		通用目的	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8F2			TSMT8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			2.5a，2a														PNP，P通道
R8002knxc7g	2.0300	RFQ	960	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R8002	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	1.6a（ta）	10V	4.2OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 150µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	28W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²