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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SA1774TLS Rohm Semiconductor 2SA1774TL 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SA1774 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 140MHz
SCT3105KRC14 Rohm Semiconductor SCT3105KRC14 21.7600
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3105 sicfet （碳化硅） TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 24A（TC） 18V 137MOHM @ 7.6A，18V 5.6V @ 3.81mA 51 NC @ 18 V +22V，-4V 574 PF @ 800 V - 134W
RD3H200SNTL1 Rohm Semiconductor RD3H200SNTL1 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3H200 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 20A（TA） 4V，10V 28mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 V ±20V 950 pf @ 10 V - 20W（TC）
2SD1664T100Q Rohm Semiconductor 2SD1664T100Q 0.1694
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD1664 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 32 v 1 a 500NA（ICBO） NPN 400mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，3v 150MHz
2SD2687STP Rohm Semiconductor 2SD2687STP -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 2SD2687 400兆 spt - rohs3符合条件 到达不受影响 846-2SD2687STPTR 5,000 12 v 5 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 180 @ 2mA，6v
QS5U12TR Rohm Semiconductor QS5U12TR 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-5薄，TSOT-23-5 QS5U12 MOSFET （金属 o化物） TSMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 2A（TA） 2.5V，4.5V 100mohm @ 2A，4.5V 1.5V @ 1mA 3.9 NC @ 4.5 V ±12V 175 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1.25W（TA）
IMH9AT110 Rohm Semiconductor IMH9AT110 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 IMH9 300MW SMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
BSS63AT116 Rohm Semiconductor BSS63AT116 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS63 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 10mA，100mA 30 @ 25mA，1V 200MHz
2SAR502UBTL Rohm Semiconductor 2sar502ubtl 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-85 2SAR502 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 200NA（ICBO） PNP 400mv @ 10mA，200mA 200 @ 100mA，2V 520MHz
FMA3AT148 Rohm Semiconductor FMA3AT148 0.1312
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 FMA3 300MW SMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RCD100N20TL Rohm Semiconductor RCD100N20TL 0.7590
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RCD100 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 10A（TC） 10V 182MOHM @ 5A，10V 5.25V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 850MW（TA），20W（tc）
2SAR502EBTL Rohm Semiconductor 2SAR502EBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 8349 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 2SAR502 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 200NA（ICBO） PNP 400mv @ 10mA，200mA 200 @ 100mA，2V 520MHz
R6015ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6015anzfu7c8 -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6015 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6015ANZFU7C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 15A（TC） 10V 300MOHM @ 7.5A，10V 4.15V @ 1mA 50 NC @ 10 V ±30V 1700 PF @ 25 V - 110W（TC）
2SD2701TL Rohm Semiconductor 2SD2701TL 0.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 2SD2701 800兆 Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 2 a 100NA（ICBO） NPN 350mv @ 50mA，1a 270 @ 100mA，2V 300MHz
RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65DGVC11 6.6900
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW60 标准 72 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，30a，10ohm，15V 92 ns 沟渠场停止 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 480µJ（在）上，490µj（） 84 NC 37NS/114NS
DTC023EMT2L Rohm Semiconductor DTC023EMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTC023 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma - npn-预先偏见 200mv @ 1mA，10mA 20 @ 20mA，10v 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
R5205CNDTL Rohm Semiconductor R5205CNDTL 0.9710
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R5205 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 525 v 5A（5A） 10V 1.6OHM @ 2.5A，10V 4.5V @ 1mA 10.8 NC @ 10 V ±30V 320 pf @ 25 V - 40W（TC）
RQ6E055BNTCR Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E055 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.5A（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 5.5a，10v 2.5V @ 1mA 8.6 NC @ 10 V ±20V 355 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
R6030JNZC8 Rohm Semiconductor R6030JNZC8 9.0800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6030 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 600 v 30A（TC） 15V 143mohm @ 15a，15v 7V @ 5.5mA 74 NC @ 15 V ±30V 2500 PF @ 100 V - 93W（TC）
RS3E075ATTB Rohm Semiconductor RS3E075ATTB 0.9100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3E MOSFET （金属 o化物） 8-SOP-J 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V - 4.5V，10V 23.5MOHM @ 7.5A，10V 2.5V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 15 V - 2W（TA）
R5021ANX Rohm Semiconductor R5021ANX 3.3797
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R5021 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 21a（TC） 10V 210mohm @ 10.5a，10v 4.5V @ 1mA 64 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W（TC）
SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor SCT3080KW7TL 19.9900
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3080 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT3080KW7TLTR Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 30A（TC） 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 159W
RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor RS6R060BHTB1 3.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 60a（ta） 6V，10V 21.8mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 46 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 75 V - 104W（TC）
2SC2389STPS Rohm Semiconductor 2SC2389STP -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 300兆 spt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 120 v 50 mA 500NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 180 @ 2mA，6v 140MHz
DTC143ZCAT116 Rohm Semiconductor DTC143ZCAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC143 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
DTB123YCT116 Rohm Semiconductor DTB123YCT116 0.3700
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
SH8M51GZETB Rohm Semiconductor SH8M51GZETB 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M51 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3A（3A），2.5A（2.5A） 170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v 610pf @ 25V，1550pf @ 25V -
2SB1326TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1326TV2Q -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 Rohm半导体 - （CT） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 3-SIP 2SB1326 1 w ATV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 20 v 5 a 500NA（ICBO） PNP 1V @ 100mA，4a 120 @ 500mA，2V 120MHz
DTA143EUBTL Rohm Semiconductor DTA143EUBTL 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-85 DTA143 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G18BBGC16 7.6300
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 RX3G18 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） 到达不受影响 846-RX3G18BBGC16 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 270a（ta），180a （TC） 4.5V，10V 1.47MOHM @ 90A，10V 2.5V @ 1mA 210 NC @ 10 V ±20V 13200 PF @ 20 V - 192W（TC）
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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