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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RCD100N19TL	1.4000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD100	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	190 v	10A（TC）	4V，10V	182MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
2SCR513PT100	0.5700	RFQ	528	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR513		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													50 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	360MHz
2SC5916TLR	0.4400	RFQ	20	Rohm半导体	*	（CT）	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
DTD114GCT116	0.3700	RFQ	80	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	200 MHz		10 kohms
RD3P100SNTL1	1.5100	RFQ	17	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	10a（10a）	4V，10V	133mohm @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RQ3E075ATTB	1.2300	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3E075	MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	18A（TC）	10V	23mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 1mA	10.4 NC @ 4.5 V	±20V	930 PF @ 15 V	-	15W（TC）
dtc123yetl	0.4500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
DTC024EEBTL	0.1900	RFQ	122	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC024		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	30 ma	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	60 @ 5mA，10v	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
QS8J4TR	1.1100	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8J4	MOSFET （金属 o化物）	550MW	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4a		56mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	13nc @ 10V		800pf @ 10V	逻辑级别门
2SD2607FU6	-	RFQ	3685	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			2 w	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													100 v	8 a	10µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 6mA，3a	1000 @ 2a，3v	40MHz
MMST4403T146	0.4700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMST4403		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	600 MA	100NA（ICBO）	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	200MHz
2SC1741STPQ	-	RFQ	6140	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅			300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													32 v	500 MA	1µA（ICBO）	NPN	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	250MHz
umt2ntr	0.4000	RFQ	465	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMT2		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
2SD2118TLR	0.3412	RFQ	2487	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD2118		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													20 v	5 a	500NA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，4a	180 @ 500mA，2V	150MHz
DTA144WETL	0.1011	RFQ	5416	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA144		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	30 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
EMD9T2R	0.3900	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD9T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	47kohms
DTA015TMT2L	0.0382	RFQ	1908年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTA015		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	250mv @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250 MHz	100 kohms
DTC124GUAT106	0.3000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC124		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz		22 KOHMS
DTC123JEBTL	0.2700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC123		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
R6015ANX	6.2100	RFQ	189	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6015	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	15A（TA）	10V	300MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	50W（TC）
RX3P12BATC16	6.8300	RFQ	1682年	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3P12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		846-RX3P12BATC16			50		P通道	100 v	120a（ta）	6V，10V	12.3mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	385 NC @ 10 V	±20V	16600 PF @ 50 V	-	201W（TC）
EMD6T2R	0.4000	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD6T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	-	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
2SB1709TL	0.1890	RFQ	6836	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SB1709		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													12 v	1.5 a	100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 25mA，500mA	270 @ 200ma，2V	400MHz
QS8K21TR	0.9400	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K21	MOSFET （金属 o化物）	550MW	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		45V	4a		53MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.4NC @ 5V		460pf @ 10V	逻辑级别门
EMD3T2R	0.3900	RFQ	6804	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD3T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
RTL030P02TR	0.8500	RFQ	425	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RTL030	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 3A，4.5V	2V @ 1mA	8 NC @ 4.5 V	±12V	760 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SCR553P5T100	0.4600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR553		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 35mA，700mA	180 @ 50mA，2V	360MHz
EMF24T2R	0.1035	RFQ	5362	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF24		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA，150mA	500NA	1 NPN预先偏见，1 NPN	300mv @ 500µA，10mA / 400mv @ 5mA，50mA	30 @ 5ma，5v / 180 @ 1mA，6v	250MHz，180MHz	10KOHMS	10KOHMS
2SD1864TV2R	-	RFQ	3502	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD1864		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	180 @ 500mA，3v	90MHz
BCX71HT116	0.1069	RFQ	2660	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX71		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	200 ma	100NA	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	140 @ 2mA，5V	180MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²