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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor RA1C030LDT5CL 0.4800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-XFDFN MOSFET （金属 o化物） DSN1006-3 下载 （1 （无限） 846-RA1C030LDT5CLCT Ear99 8541.29.0095 15,000 n通道 20 v 3A（3A） 1.8V，4.5V 140MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 1.5 NC @ 4.5 V +7V，-0.2V 150 pf @ 10 V - 1W（ta）
RS3L140GNGZETB Rohm Semiconductor RS3L140GNGZETB 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3L MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 14A（TA） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 14A，10V 2.7V @ 500µA 58 NC @ 10 V ±20V 2980 pf @ 30 V - 1.4W（TA）
DTD113ZSTP Rohm Semiconductor DTD113ZSTP -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 SC-72形成铅 DTD113 300兆 spt - rohs3符合条件 到达不受影响 846-DTD113ZSTPTR 5,000 50 V 500 MA 500NA npn- +二极管 300mv @ 2.5mA，50mA 82 @ 50mA，5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6520ENZ4C13 5.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6520 MOSFET （金属 o化物） TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6520ENZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 20A（TC） 10V 205mohm @ 9.5A，10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 231W（TC）
R6024KNXC7G Rohm Semiconductor R6024knxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6024 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6024KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 24A（24A） 10V 165mohm @ 11.3a，10v 5V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 25 V - 74W（TC）
DTC123JMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC123JMFHAT2L 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTC123 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
RSS070N05TB1 Rohm Semiconductor RSS070N05TB1 -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-RSS070N05TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 7a（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 16.8 NC @ 5 V ±20V 1000 pf @ 10 V - 2W（TA）
2SA1038STPS Rohm Semiconductor 2SA1038STP -
RFQ
 ECAD 5220 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 300兆 spt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 120 v 50 mA 500NA（ICBO） PNP 500mv @ 1mA，10mA 180 @ 2mA，6v 140MHz
DTC144GKAT146 Rohm Semiconductor DTC144GKAT146 0.0463
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 Rohm半导体 DTC144G 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC144 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯
SCT3080KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3080KRHRC15 15.6500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3080 MOSFET （金属 o化物） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3080KRHRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 31a（TC） 18V 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 165W
DTC124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC124ECAHZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC124 350兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor DTA114EUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-70，SOT-323 DTA114 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH50TS65DGC11 4.0100
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH50 标准 174 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/94NS
SH8K37GZETB Rohm Semiconductor SH8K37GZETB 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K37 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.5A（ta） 46mohm @ 5.5A，10V 2.7V @ 100µA 9.7nc @ 10V 500pf @ 30V -
UT6ME5TCR Rohm Semiconductor UT6ME5TCR 0.6500
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HUML2020L8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3,000 n和p通道 100V 2a（2a），1A（1a ta） 207MOHM @ 2A，10V，840MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 1mA 2.8nc @ 10v，6.7nc @ 10V 90pf @ 50V 标准
BSS138BKAHZGT116 Rohm Semiconductor BSS138BKAHZGT116 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS138 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 2.5V，10V 680MOHM @ 400mA，10V 2V @ 10µA ±20V 47 pf @ 30 V - 350MW（TA）
VT6Z1T2R Rohm Semiconductor VT6Z1T2R 0.5000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD VT6Z1 150MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100µA（ICBO） NPN，PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 1mA，2V 400MHz
SH8K2TB1 Rohm Semiconductor SH8K2TB1 0.5586
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，鸥翼 SH8K2 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOP（5.0x6.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 10.1NC @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
2SAR372P5T100R Rohm Semiconductor 2SAR372P5T100R 0.6300
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR372 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 700 MA 1µA（ICBO） PNP 360mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 300MHz
DTC024EUBTL Rohm Semiconductor DTC024EUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTC024 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 30 ma - npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 60 @ 5mA，10v 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor R8006KND3TL1 3.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R8006 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 6a（6a） 10V 900MOHM @ 3A，10V 4.5V @ 4mA 22 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 100 V - 83W（TC）
IMH21T110 Rohm Semiconductor IMH21T110 0.2037
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 IMH21 300MW SMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 600mA 500NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 150mv @ 2.5mA，50mA 820 @ 50mA，5V 150MHz 10KOHMS -
RQ5C025TPTL Rohm Semiconductor RQ5C025TPTL 0.6300
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5C025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 95MOHM @ 2.5a，4.5V 2V @ 1mA 7 NC @ 4.5 V ±12V 630 pf @ 10 V - 700MW（TA）
DTC123JCAT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
RTF025N03FRATL Rohm Semiconductor RTF025N03FRATL 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RTF025 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 67MOHM @ 2.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 5.2 NC @ 4.5 V 270 pf @ 10 V - 800MW（TA）
2SD1766T100P Rohm Semiconductor 2SD1766T100P 0.2559
RFQ
 ECAD 8379 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD1766 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 32 v 2 a 1µA（ICBO） NPN 800mv @ 200mA，2a 82 @ 500mA，3v 100MHz
R6535ENZC17 Rohm Semiconductor R6535ENZC17 7.8500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6535 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6535ENZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 35A（TC） 10V 115mohm @ 18.1a，10v 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 102W（TC）
2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2SA2088T106Q 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA2088 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 MA 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 10mA，100mA 120 @ 50mA，2V 400MHz
QS8K2TR Rohm Semiconductor QS8K2TR 0.9200
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8K2 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 54mohm @ 3.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 4.6NC @ 4.5V 285pf @ 10V 逻辑级别门
UMF22NTR Rohm Semiconductor UMF22NTR -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMF22 150MW UMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-UMF22NTR 3,000 12V，50V 500mA，100mA 100NA（ICBO），500NA 1 NPN预先偏见，1 NPN 250mv @ 10mA，200ma / 300mv @ 500µA，10mA 270 @ 10mA，2v / 30 @ 5mA，5V 250MHz，320MHz 10KOHMS 10KOHMS
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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  • In-stock Warehouse

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196-LFBGA裸露的垫子

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