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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SCT4045DRC15	14.8500	RFQ	2425	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4045		sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4045DRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		750 v	34A（TC）	18V	59mohm @ 17a，18v	4.8V @ 8.89mA	63 NC @ 18 V	+21V，-4V	1460 pf @ 500 V	-	115W
RQ7L055BGTCR	1.1000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RQ7L055		MOSFET （金属 o化物）		TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	5.5A（ta）	4.5V，10V	29mohm @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	7.6 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 30 V	-	1.1W（TA）
RGWX5TS65GC11	6.7700	RFQ	4802	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGWX5TS65	标准		348 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWX5TS65GC11	Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，10欧姆，15V											沟渠场停止	650 v	132 a	300 a	1.9V @ 15V，75a	-	213 NC	64NS/229NS
RGTH00TS65GC13	6.2300	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	rgth00	标准		277 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGTH00TS65GC13	Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，10ohm，15V											沟渠场停止	650 v	85 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	-	94 NC	39NS/143NS
BSS84WT106	0.3900	RFQ	2	Rohm半导体	Optimos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		60 V	210mA（ta）	4.5V，10V	5.3OHM @ 210mA，10V	2.5V @ 200µA		±20V	34 pf @ 30 V	-	200mw（ta）
DTD543XE3TL	0.4000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTD543			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）		846-DTD543XE3TLDKR	Ear99	8541.21.0075	3,000															12 v	500 MA						500NA	npn- +二极管	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
SCT3080ARHRC15	2000年12月12日	RFQ	4373	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3080		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3080ARHRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
DTC123EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA123E	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123			150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA（ICBO）	pnp- +二极管	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
RS3P070ATTB1	2.6400	RFQ	8527	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RS3P070		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		100 v	7a（ta）	4.5V，10V	36mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	115 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	2W（TA）
SCT3120AW7TL	11.0300	RFQ	848	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT3120		sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	21a（TC）		156mohm @ 6.7a，18v	5.6V @ 3.33mA	38 NC @ 18 V	+22V，-4V	460 pf @ 500 V	-	100W
QS6K21FRATR	0.6900	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	QS6K21		MOSFET （金属 o化物）	950MW（TA）	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			45V	1A（1A）		420MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 1mA	2.1nc @ 4.5V		95pf @ 10V	-
ES6U42FU7T2CR	-	RFQ	3891	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-ES6U42FU7T2CRTR	过时的		8,000
ES6U41FU7T2R	-	RFQ	6205	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-ES6U41FU7T2RTR	过时的		8,000
RD3G03BATTL1	1.5100	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3G03		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		40 V	35A（TA）	4.5V，10V	19.1mohm @ 35a，10v	2.5V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	56W（ta）
RD3G01BATTL1	1.1600	RFQ	50	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3G01		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		40 V	15A（TA）	4.5V，10V	39mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	19.3 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 20 V	-	25W（TA）
RGTV80TS65GC11	5.6000	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		234 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V											沟渠场停止	650 v	78 a	160 a	1.9V @ 15V，40a	1.02MJ（在）上（710µJ off）	81 NC	39NS/113NS
DTB123Tchzgt116	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB123			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															40 V	500 MA						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
RGS30TSX2GC11	6.3500	RFQ	1436年	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		267 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			600V，15a，10ohm，15V											沟渠场停止	1200 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	（740µJ）（在600µJ上）	41 NC	30NS/70NS
RGTH60TS65GC11	3.7200	RFQ	14	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTH60	标准		197 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											沟渠场停止	650 v	58 a	120 a	2.1V @ 15V，30a	-	58 NC	27NS/105NS
GNP1070TC-ZE2	18.7000	RFQ	974	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerdfn	GNP1070		ganfet（n化岩）		DFN8080K	下载		3（168））			Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道		650 v	20A（TC）	5V，5.5V	98mohm @ 1.9a，5.5V	2.4V @ 18mA	5.2 NC @ 6 V	+6V，-10V	200 pf @ 400 V	-	56W（TC）
R6061YNZ4C13	11.1300	RFQ	2333	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6061		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载		（1 （无限）		846-R6061YNZ4C13			30		n通道		600 v	61A（TC）	10V，12V	60mohm @ 13a，12v	6V @ 3.5mA	76 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 100 V	-	568W（TC）
R5205CNDTL	0.9710	RFQ	8123	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R5205		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		525 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 1mA	10.8 NC @ 10 V	±30V	320 pf @ 25 V	-	40W（TC）
EM6K31T2R	0.5200	RFQ	31	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EM6K31		MOSFET （金属 o化物）	150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2 n 通道（双）			60V	250mA		2.4OHM @ 250mA，10V	2.3V @ 1mA	-		15pf @ 25V	逻辑级别门
r8002anjfrgtl	2.7200	RFQ	7191	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R8002		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		800 v	2A（TC）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	5V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	62W（TC）
RQ3E180BNTB	0.7000	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3E180		MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	39A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	37 NC @ 4.5 V	±20V	3500 pf @ 15 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
2SAR553PT100	0.6200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR553			2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															50 V	2 a						1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 35mA，700mA	180 @ 50mA，2V	320MHz
RJP020N06T100	0.9100	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	RJP020		MOSFET （金属 o化物）		MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道		60 V	2A（TA）	2.5V，4.5V	240MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	10 NC @ 4 V	±12V	160 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
DTC614TUT106	0.3800	RFQ	299	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC614			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															20 v	600 MA						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 2.5mA，50mA	820 @ 50mA，5V	150 MHz	10 kohms
2SD1468STPQ	-	RFQ	5982	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SD1468			300兆	spt	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SD1468STPQTR			5,000															15 v	1 a						500NA	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v
2SAR340PT100P	0.6600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR340			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000															400 v	100 ma						10µA（ICBO）	PNP	400mv @ 2mA，20mA	82 @ 10mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²