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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
R6046ANZ1C9	15.7900	RFQ	448	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6046ANZ1C9	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		600 v	46A（TC）	10V	90MOHM @ 23A，10V	4.5V @ 1mA	150 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2SC4115STP	-	RFQ	7788	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SC4115			400兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																20 v	2 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，2a	270 @ 100mA，2V	290MHz
BSM180C12P2E202	720.0000	RFQ	4	Rohm半导体	-	托盘	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM180		sicfet （碳化硅）		模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4		n通道		1200 v	204a（TC）	-	-	4V @ 35.2mA		+22V，-6V	20000 PF @ 10 V	-	1360W（TC）
2SB1412TLQ	0.8600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1412			10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500																20 v	5 a						500NA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，4a	82 @ 500mA，2V	120MHz
DTA115TUAT106	0.0463	RFQ	9973	Rohm半导体	DTA115T	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA115			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	100 kohms
R6509KND3TL1	1.8500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6509		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		650 v	9A（TC）	10V	585MOHM @ 2.8A，10V	5V @ 230µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 25 V	-	94W（TC）
RT1E040RPTR	0.2100	RFQ	3295	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RT1E040		MOSFET （金属 o化物）		8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	4A（ta）	4V，10V	45mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±20V	1000 pf @ 10 V	-	550MW（TA）
SCT4036KRC15	22.4500	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4036		sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4036KRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		1200 v	43A（TC）	18V	47mohm @ 21a，18v	4.8V @ 11.1mA	91 NC @ 18 V	+21V，-4V	2335 PF @ 800 V	-	176W
BSM600D12P3G001	1.0000	RFQ	1	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM600		（SIC）	2450W（TC）	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BSM600D12P3G001	Ear99	8541.29.0095	4	2 n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	600A（TC）		-	5.6V @ 182mA	-		31000pf @ 10V	-
RQ6L035ATTCR	0.9400	RFQ	1021	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6L035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	78MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 30 V	-	950MW（TA）
RSH070P05GZETB	2.1700	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSH070		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		45 v	7a（ta）	4V，10V	27mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	47.6 NC @ 5 V	±20V	4100 PF @ 10 V	-	2W（TA）
RRL035P03FRATR	0.5200	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RRL035		MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	3.5A（ta）	4V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RW1E014SNT2R	-	RFQ	2042	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1E014		MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		30 V	1.4a（ta）	4V，10V	240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	1.4 NC @ 5 V	±20V	70 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
SCT2160KEC	-	RFQ	1614年	Rohm半导体	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2160		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SCT2160KECU	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	22a（TC）	18V	208MOHM @ 7A，18V	4V @ 2.5mA	62 NC @ 18 V	+22V，-6V	1200 PF @ 800 V	-	165W（TC）
SCT3105KRC14	21.7600	RFQ	106	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3105		sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	24A（TC）	18V	137MOHM @ 7.6A，18V	5.6V @ 3.81mA	51 NC @ 18 V	+22V，-4V	574 PF @ 800 V	-	134W
2SD2687STP	-	RFQ	1143	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SD2687			400兆	spt	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SD2687STPTR			5,000																12 v	5 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v
BSS63AT116	0.3500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS63			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																100 v	100 ma						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	30 @ 25mA，1V	200MHz
2sar502ubtl	0.3000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-85	2SAR502			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	500 MA						200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	520MHz
FMA3AT148	0.1312	RFQ	6177	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA3			300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						500NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
2SAR502EBTL	0.3000	RFQ	8349	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SAR502			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	500 MA						200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	520MHz
R6015anzfu7c8	-	RFQ	5471	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6015		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6015ANZFU7C8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	15A（TC）	10V	300MOHM @ 7.5A，10V	4.15V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
2SD2701TL	0.5700	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2SD2701			800兆	Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																12 v	2 a						100NA（ICBO）	NPN	350mv @ 50mA，1a	270 @ 100mA，2V	300MHz
RGW60TK65DGVC11	6.6900	RFQ	5259	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGW60	标准		72 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			400V，30a，10ohm，15V											92 ns	沟渠场停止	650 v	33 a	120 a	1.9V @ 15V，30a	480µJ（在）上，490µj（）	84 NC	37NS/114NS
RQ6E055BNTCR	0.6500	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6E055		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	5.5A（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 1mA	8.6 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
R6030JNZC8	9.0800	RFQ	29	Rohm半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6030		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		600 v	30A（TC）	15V	143mohm @ 15a，15v	7V @ 5.5mA	74 NC @ 15 V	±30V	2500 PF @ 100 V	-	93W（TC）
RS3E075ATTB	0.9100	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RS3E		MOSFET （金属 o化物）		8-SOP-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	-	4.5V，10V	23.5MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	2W（TA）
R5021ANX	3.3797	RFQ	4461	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R5021		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		500 v	21a（TC）	10V	210mohm @ 10.5a，10v	4.5V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	50W（TC）
SCT3080KW7TL	19.9900	RFQ	792	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT3080		sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT3080KW7TLTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		1200 v	30A（TC）		104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	60 NC @ 18 V	+22V，-4V	785 PF @ 800 V	-	159W
RS6R060BHTB1	3.3200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	60a（ta）	6V，10V	21.8mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2750 pf @ 75 V	-	104W（TC）
2SC2389STP	-	RFQ	8109	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅				300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																120 v	50 mA						500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²