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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RGTV80TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV80TS65DGC11 6.4100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 234 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，10ohm，15V 101 ns 沟渠场停止 650 v 78 a 160 a 1.9V @ 15V，40a 1.02MJ（在）上（710µJ off） 81 NC 39NS/113NS
RDX120N50FU6 Rohm Semiconductor RDX120N50FU6 -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RDX120 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 12a（12a） 10V 500mohm @ 6a，10v 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 V - 45W（TC）
RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor RGC80TSX8RGC11 9.8700
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGC80 标准 535 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 1800 v 80 a 120 a 5V @ 15V，40a 1.85MJ（在）上，1.6MJ OFF） 468 NC 80NS/565NS
RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor RQ6E030SPTR 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E030 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 3A（3A） 4V，10V 80mohm @ 3a，10v 2.5V @ 1mA 6 NC @ 5 V ±20V 440 pf @ 10 V - 950MW（TA）
DTB113ECT116 Rohm Semiconductor DTB113ECT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB113 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 33 @ 50mA，5V 200 MHz 1 kohms 1 kohms
HP8S36TB Rohm Semiconductor HP8S36TB 0.7100
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN HP8S36 - 29W 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 27a，80a 2.4mohm @ 32a，10v 2.5V @ 1mA 47NC @ 4.5V 6100pf @ 15V -
QS8K13TCR Rohm Semiconductor QS8K13TCR 0.5704
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8K13 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 28mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 20NC @ 10V 390pf @ 10V -
RGW40TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65GC11 4.5300
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 136 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V，20A （330µJ）（在300µJ上） 59 NC 33NS/76NS
2SCR372PHZGT100Q Rohm Semiconductor 2SCR372PHZGT100Q 0.8000
RFQ
 ECAD 8341 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 700 MA 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 220MHz
R6025ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFU7C8 -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6025 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6025ANZFU7C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 25A（TC） 10V 150MOHM @ 12.5a，10V 4.5V @ 1mA 88 NC @ 10 V ±30V 3250 pf @ 10 V - 150W（TC）
R6022YNXC7G Rohm Semiconductor R6022ynxc7g 4.4600
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6022 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 （1 （无限） 846-R6022YNXC7G 50 n通道 600 v 13A（TC） 10V，12V 165mohm @ 6.5a，12v 6V @ 1.8mA 33 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 100 V - 65W（TC）
BCX17HZGT116 Rohm Semiconductor BCX17HZGT116 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCX17 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA（ICBO） 620mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V
R6018ANJTL Rohm Semiconductor R6018anjtl 3.5001
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6018 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 18A（18A） 10V 270MOHM @ 9A，10V 4.5V @ 1mA 55 NC @ 10 V ±30V 2050 pf @ 25 V - 100W（TC）
DTC044EEBTL Rohm Semiconductor DTC044EEBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTC044 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 30 ma - npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
SP8M24FU7TB1 Rohm Semiconductor SP8M24FU7TB1 -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SP8M24 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8M24FU7TB1TR 过时的 2,500 -
UMH11NFHATN Rohm Semiconductor UMH11NFHATN 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMH11 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RTE002P02TL Rohm Semiconductor RTE002P02TL 0.1546
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 RTE002 MOSFET （金属 o化物） EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 200ma（ta） 2.5V，4.5V 1.5OHM @ 200mA，4.5V 2V @ 1mA ±12V 50 pf @ 10 V - 150MW（TA）
R6007ENX Rohm Semiconductor R6007enx 2.4600
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6007 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 7A（TC） 10V 620MOHM @ 2.4a，10V 4V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±20V 390 pf @ 25 V - 40W（TC）
DTC043XMT2L Rohm Semiconductor DTC043XMT2L 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTC043 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 35 @ 5mA，10v 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
DTD543XETL Rohm Semiconductor DTD543XETL 0.1049
RFQ
 ECAD 3611 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTD543 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 5mA，100mA 140 @ 100mA，2V 260 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RQ3P045ATTB1 Rohm Semiconductor RQ3P045ATTB1 1.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3P045 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 100 v 4.5A（ta），14.5A（TC） 4.5V，10V 86mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 49 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 50 V - 2W（TA），20W（20W）TC）
DTC143TE3TL Rohm Semiconductor DTC143TE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA123J 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC143 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp- +二极管 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
VT6X1T2R Rohm Semiconductor VT6X1T2R 0.4800
RFQ
 ECAD 9449 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD VT6X1 150MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 1mA，2V 400MHz
DTC115GU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC115GU3HZGT106 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-70，SOT-323 DTC115 200兆 UMT3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms
SCT3105KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3105KRHRC15 12.5400
RFQ
 ECAD 1715年 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3105 MOSFET （金属 o化物） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3105KRHRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 24A（TC） 18V 137MOHM @ 7.6A，18V 5.6V @ 3.81mA 51 NC @ 18 V +22V，-4V 574 PF @ 800 V - 134W
SH8K12TB1 Rohm Semiconductor SH8K12TB1 0.4204
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K12 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
RSQ015N06HZGTR Rohm Semiconductor RSQ015N06HZGTR 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RSQ015 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 1.5A（TA） 4V，10V 290MOHM @ 1.5A，10V 2.5V @ 1mA 2 NC @ 5 V ±20V 110 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RSR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RSR025N05HZGTL 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RSR025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 2.5a（ta） 4V，10V 100mohm @ 2.5a，10v 3V @ 1mA 3.6 NC @ 5 V ±20V 260 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR025N05HZGTL 0.6900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 130mohm @ 2.5a，4.5V 1.5V @ 1mA 3.2 NC @ 4.5 V ±12V 250 pf @ 10 V - 700MW（TA）
R6011END3TL1 Rohm Semiconductor R6011END3TL1 3.0400
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6011 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 11A（TC） 10V 390MOHM @ 3.8A，10V 4V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±20V 670 pf @ 25 V - 124W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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