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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC113ZE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC113 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 5mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB1 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K26 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 6a（6a） 38mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 2.9nc @ 5V 280pf @ 10V -
SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor SCT3160KW7HRTL 10.7900
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3160 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-263-7L 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 17a（TC） 18V 208MOHM @ 5A，18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V，-4V 398 PF @ 800 V - -
RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor RS6R035BHTB1 2.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 （1 （无限） 846-RS6R035BHTB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 35A（TC） 6V，10V 41MOHM @ 35A，10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1470 pf @ 75 V - 3W（3W），73W（tc）（TC）
RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H160SPTL1 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3H160 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 45 v 16A（TA） 4V，10V 50mohm @ 16a，10v 3V @ 1mA 16 NC @ 5 V ±20V 2000 pf @ 10 V - 20W（TC）
SH8M12TB1 Rohm Semiconductor SH8M12TB1 0.4439
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M12 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5A，4.5A 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
DTA124EE3TL Rohm Semiconductor DTA124EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA143X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA124 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp- +二极管 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
QSL11TR Rohm Semiconductor QSL11TR 0.2360
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-5薄，TSOT-23-5 QSL11 900兆 TSMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 350mv @ 25mA，500mA 270 @ 100mA，2V 320MHz
2SK2504TL Rohm Semiconductor 2SK2504TL -
RFQ
 ECAD 4485 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SK2504 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 5A（5A） 4V，10V 220MOHM @ 2.5A，10V 2.5V @ 1mA ±20V 520 pf @ 10 V - 20W（TC）
RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E130MNTB1 0.5072
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E130 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 8.1MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 1mA 14 NC @ 10 V ±20V 840 pf @ 15 V - 2W（TA）
RSR020P05TL Rohm Semiconductor RSR020P05TL 0.2984
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RSR020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 45 v 2A（TA） 4V，10V 190mohm @ 2a，10v 3V @ 1mA 4.5 NC @ 4.5 V ±20V 500 pf @ 10 V - 540MW（TA）
DTD123YCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD123Ychzgt116 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTD123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SD1767T100Q Rohm Semiconductor 2SD1767T100Q 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD1767 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 80 V 700 MA 500NA（ICBO） NPN 400mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，3v 120MHz
QH8K51TR Rohm Semiconductor QH8K51TR 1.0600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8K51 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 2A（TA） 325MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 4.7nc @ 5V 290pf @ 25V -
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRS090 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 15.4mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 30 NC @ 5 V ±20V 3000 pf @ 10 V - 2W（TA）
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor RQ5H030TNTL 0.6700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5H030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 67MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V ±12V 510 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC11 2.5127
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGT50 标准 174 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGT50TS65DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/88NS
RSS070N05FRATB Rohm Semiconductor RSS070N05FRATB 0.7825
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS070 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 7a（ta） 4V，10V 25mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 16.8 NC @ 5 V ±20V 1000 pf @ 10 V - 2W（TA）
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor RQ5L030SNTL 0.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5L030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 3A（3A） 4V，10V 85mohm @ 3a，10v 2.5V @ 1mA 5 nc @ 5 V ±20V 380 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH80TS65DGC13 6.5100
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH80 标准 234 w TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGTH80TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400V，40a，10ohm，15V 236 ns 沟渠场停止 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V，40a - 79 NC 34NS/120NS
RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor RX3P07CBHC16 5.6500
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 RX3P07 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 3（168）） 到达不受影响 846-RX3P07CBHC16 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 120A（120A），70A （TC） 6V，10V 5.2MOHM @ 70A，10V 4V @ 1mA 73 NC @ 10 V ±20V 4650 pf @ 50 V - 135W（TC）
DTA124XMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA124XMFHAT2L 0.0668
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-723 DTA124 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
DTC124EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC124EU3HZGT106 0.0683
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTC124 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RDD020N50TL Rohm Semiconductor RDD020N50TL 0.6086
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Rohm半导体 * 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 RDD020 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
DTA113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA113ZE3HZGTL 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA113 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 846-DTA113ZE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 5mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RS1E170GNTB Rohm Semiconductor RS1E170GNTB 0.6300
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 30 V （17a）（TA），40A （TC） 4.5V，10V 6.7MOHM @ 17A，10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 720 PF @ 15 V - （3W）（23W）（23W）TC）
RGWSX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 6.9700
RFQ
 ECAD 2566 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGWSX2 标准 288 w TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGWSX2TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V，60a，10ohm，15V 88 ns 沟渠场停止 650 v 104 a 180 a 2V @ 15V，60a 1.43MJ（在）上，1.2MJ off） 140 NC 55NS/180NS
DTA123EEBTL Rohm Semiconductor DTA123EEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA123 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 20 @ 20mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NL65DGTL 3.1400
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RGT40 标准 161 w LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/75NS
DTA123YCAT116 Rohm Semiconductor DTA123YCAT116 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 22 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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