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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RDX050N50FU6 | - | ![]() | 1179 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RDX050 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 5A(5A) | 10V | 1.5OHM @ 2.5A,10V | 4V @ 1mA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RF6C055BCTCR | 0.7500 | ![]() | 2580 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RF6C055 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5.5A(ta) | 4.5V | 25.8mohm @ 5.5A,4.5V | 1.2V @ 1mA | 15.2 NC @ 4.5 V | ±8V | 1080 pf @ 10 V | - | 1W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RVQ040N05TR | 0.7800 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RVQ040 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 4A(ta) | 4V,10V | 53MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 1mA | 8.8 NC @ 5 V | 21V | 530 pf @ 10 V | - | 600MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGS50TSX2DHRC11 | 10.6100 | ![]() | 406 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGS50 | 标准 | 395 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGS50TSX2DHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,25a,10ohm,15V | 182 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 75 a | 2.1V @ 15V,25a | 1.4MJ(在)上,1.65MJ OFF) | 67 NC | 37NS/140NS | |||||||||||||||||||||
![]() | R6025FNZ1C9 | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6025 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 180MOHM @ 12.5A,10V | 5V @ 1mA | 85 NC @ 10 V | ±30V | 3500 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMH25T2R | 0.4200 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMH25 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RA1C030LDT5CL | 0.4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XFDFN | MOSFET (金属 o化物) | DSN1006-3 | 下载 | (1 (无限) | 846-RA1C030LDT5CLCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 15,000 | n通道 | 20 v | 3A(3A) | 1.8V,4.5V | 140MOHM @ 3A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 1.5 NC @ 4.5 V | +7V,-0.2V | 150 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR512RTL | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SCR512 | 1 w | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30 V | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 35mA,700mA | 200 @ 100mA,2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124GKAT146 | 0.0488 | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA124 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZMT2L | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC113 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 5mA,5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6520knjtl | 6.2900 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6520 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 205mohm @ 9.5A,10V | 5V @ 630µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 25 V | - | 231W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR553PT100 | 0.5800 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR553 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 V | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 35mA,700mA | 180 @ 50mA,2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZEBHZGTL | - | ![]() | 6835 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC143 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4036KEC11 | 22.6700 | ![]() | 419 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT4036 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT4036KEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 43A(TC) | 18V | 47mohm @ 21a,18v | 4.8V @ 11.1mA | 91 NC @ 18 V | +21V,-4V | 2335 PF @ 800 V | - | 176W | |||||||||||||||||||||
![]() | RMW200N03TB | 0.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RMW200 | MOSFET (金属 o化物) | 8-psop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 20A(TA) | 4.5V,10V | 4.2MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 1mA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1780 pf @ 15 V | - | (3W)(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC043XEBTL | 0.2300 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC043 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 35 @ 5mA,10v | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6076MNZ1C9 | - | ![]() | 2188 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6076 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 600 v | 76A(TC) | 10V | 55mohm @ 38a,10v | 5V @ 1mA | 115 NC @ 10 V | ±30V | 7000 PF @ 25 V | - | 740W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTD543EMT2L | 0.1035 | ![]() | 4124 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTD543 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 5mA,100mA | 115 @ 100mA,2V | 260 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6014YNX3C16 | 3.7100 | ![]() | 9832 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | R6014 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 846-R6014YNX3C16 | 50 | n通道 | 600 v | 14A(TC) | 10V,12V | 260MOHM @ 5A,12V | 6V @ 1.4mA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 890 pf @ 100 V | - | 132W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RVQ040N05HZGTR | 0.9600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RVQ040 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 4A(ta) | 4V,10V | 53MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 1mA | 8.8 NC @ 5 V | ±21V | 530 pf @ 10 V | - | 950MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E025SNTL | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 4V,10V | 70MOHM @ 2.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 4.1 NC @ 5 V | ±20V | 165 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6030mnx | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 150mohm @ 15a,10v | 5V @ 1mA | 43 NC @ 10 V | ±30V | 2180 pf @ 25 V | - | 90W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW00TK65GVC11 | 6.8800 | ![]() | 6578 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | RGW00 | 标准 | 89 w | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,50a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 45 a | 200 a | 1.9V @ 15V,50a | (1.18mj)(在),960µJ(OFF)上) | 141 NC | 52NS/180NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | SH8K5TB1 | 0.4190 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8K5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6015knx | 2.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6015 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5A,10V | 5V @ 1mA | 27.5 NC @ 10 V | ±20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RRS090P03TB1 | - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9a(9a) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR523EBTL | 0.3500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 2SCR523 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA024XEBTL | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA024 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSH125N03TB1 | 0.7215 | ![]() | 1324 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSH125 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 12.5A(TA) | 4V,10V | 9.1MOHM @ 12.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 28 NC @ 5 V | ±20V | 1670 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UMD3NFHATR | 0.4800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMD3 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | NPN + PNP | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 10KOHMS |
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