SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
RDX050N50FU6 Rohm Semiconductor RDX050N50FU6 -
RFQ
ECAD 1179 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RDX050 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 5A(5A) 10V 1.5OHM @ 2.5A,10V 4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 500 pf @ 25 V - 35W(TC)
RF6C055BCTCR Rohm Semiconductor RF6C055BCTCR 0.7500
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-SMD,平坦的铅 RF6C055 MOSFET (金属 o化物) Tumt6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 5.5A(ta) 4.5V 25.8mohm @ 5.5A,4.5V 1.2V @ 1mA 15.2 NC @ 4.5 V ±8V 1080 pf @ 10 V - 1W(TC)
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor RVQ040N05TR 0.7800
RFQ
ECAD 7296 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 RVQ040 MOSFET (金属 o化物) TSMT6(SC-95) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 4A(ta) 4V,10V 53MOHM @ 4A,10V 2.5V @ 1mA 8.8 NC @ 5 V 21V 530 pf @ 10 V - 600MW(TA)
RGS50TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DHRC11 10.6100
RFQ
ECAD 406 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGS50 标准 395 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RGS50TSX2DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V,25a,10ohm,15V 182 ns 沟渠场停止 1200 v 50 a 75 a 2.1V @ 15V,25a 1.4MJ(在)上,1.65MJ OFF) 67 NC 37NS/140NS
R6025FNZ1C9 Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9 -
RFQ
ECAD 4757 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 R6025 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 25A(TC) 10V 180MOHM @ 12.5A,10V 5V @ 1mA 85 NC @ 10 V ±30V 3500 PF @ 25 V - 150W(TC)
EMH25T2R Rohm Semiconductor EMH25T2R 0.4200
RFQ
ECAD 345 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 EMH25 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor RA1C030LDT5CL 0.4800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN MOSFET (金属 o化物) DSN1006-3 下载 (1 (无限) 846-RA1C030LDT5CLCT Ear99 8541.29.0095 15,000 n通道 20 v 3A(3A) 1.8V,4.5V 140MOHM @ 3A,4.5V 1.5V @ 1mA 1.5 NC @ 4.5 V +7V,-0.2V 150 pf @ 10 V - 1W(ta)
2SCR512RTL Rohm Semiconductor 2SCR512RTL 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-96 2SCR512 1 w TSMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 30 V 2 a 1µA(ICBO) NPN 400mv @ 35mA,700mA 200 @ 100mA,2V 320MHz
DTA124GKAT146 Rohm Semiconductor DTA124GKAT146 0.0488
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DTA124 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 56 @ 5mA,5V 250 MHz 22 KOHMS
DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor DTC113ZMT2L 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 DTC113 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 33 @ 5mA,5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
R6520KNJTL Rohm Semiconductor R6520knjtl 6.2900
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB R6520 MOSFET (金属 o化物) LPT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 20A(TC) 10V 205mohm @ 9.5A,10V 5V @ 630µA 40 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 25 V - 231W(TC)
2SCR553PT100 Rohm Semiconductor 2SCR553PT100 0.5800
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SCR553 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 50 V 2 a 1µA(ICBO) NPN 350mv @ 35mA,700mA 180 @ 50mA,2V 360MHz
DTC143ZEBHZGTL Rohm Semiconductor DTC143ZEBHZGTL -
RFQ
ECAD 6835 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SC-89,SOT-490 DTC143 150兆 EMT3F(SOT-416FL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEC11 22.6700
RFQ
ECAD 419 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SCT4036 sicfet (碳化硅) TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-SCT4036KEC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 43A(TC) 18V 47mohm @ 21a,18v 4.8V @ 11.1mA 91 NC @ 18 V +21V,-4V 2335 PF @ 800 V - 176W
RMW200N03TB Rohm Semiconductor RMW200N03TB 0.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 RMW200 MOSFET (金属 o化物) 8-psop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 20A(TA) 4.5V,10V 4.2MOHM @ 20A,10V 2.5V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±20V 1780 pf @ 15 V - (3W)(TA)
DTC043XEBTL Rohm Semiconductor DTC043XEBTL 0.2300
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-89,SOT-490 DTC043 150兆 EMT3F(SOT-416FL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,5mA 35 @ 5mA,10v 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
R6076MNZ1C9 Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9 -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 R6076 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 600 v 76A(TC) 10V 55mohm @ 38a,10v 5V @ 1mA 115 NC @ 10 V ±30V 7000 PF @ 25 V - 740W(TC)
DTD543EMT2L Rohm Semiconductor DTD543EMT2L 0.1035
RFQ
ECAD 4124 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 DTD543 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 5mA,100mA 115 @ 100mA,2V 260 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
R6014YNX3C16 Rohm Semiconductor R6014YNX3C16 3.7100
RFQ
ECAD 9832 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 R6014 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) 846-R6014YNX3C16 50 n通道 600 v 14A(TC) 10V,12V 260MOHM @ 5A,12V 6V @ 1.4mA 20 nc @ 10 V ±30V 890 pf @ 100 V - 132W(TC)
RVQ040N05HZGTR Rohm Semiconductor RVQ040N05HZGTR 0.9600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 RVQ040 MOSFET (金属 o化物) TSMT6(SC-95) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 4A(ta) 4V,10V 53MOHM @ 4A,10V 2.5V @ 1mA 8.8 NC @ 5 V ±21V 530 pf @ 10 V - 950MW(TA)
RQ5E025SNTL Rohm Semiconductor RQ5E025SNTL 0.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-96 RQ5E025 MOSFET (金属 o化物) TSMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.5a(ta) 4V,10V 70MOHM @ 2.5A,10V 2.5V @ 1mA 4.1 NC @ 5 V ±20V 165 pf @ 10 V - 700MW(TA)
R6030MNX Rohm Semiconductor R6030mnx -
RFQ
ECAD 8681 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 R6030 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 30A(TC) 10V 150mohm @ 15a,10v 5V @ 1mA 43 NC @ 10 V ±30V 2180 pf @ 25 V - 90W(TC)
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65GVC11 6.8800
RFQ
ECAD 6578 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3PFM,SC-93-3 RGW00 标准 89 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V,50a,10ohm,15V 沟渠场停止 650 v 45 a 200 a 1.9V @ 15V,50a (1.18mj)(在),960µJ(OFF)上) 141 NC 52NS/180NS
SH8K5TB1 Rohm Semiconductor SH8K5TB1 0.4190
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SH8K5 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 3.5a 83mohm @ 3.5A,10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 5V 140pf @ 10V 逻辑级别门
R6015KNX Rohm Semiconductor R6015knx 2.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 R6015 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 15A(TC) 10V 290MOHM @ 6.5A,10V 5V @ 1mA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W(TC)
RRS090P03TB1 Rohm Semiconductor RRS090P03TB1 -
RFQ
ECAD 1552 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a(9a) - - - -
2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2SCR523EBTL 0.3500
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-89,SOT-490 2SCR523 150兆 EMT3F(SOT-416FL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 5mA,50mA 120 @ 1mA,6v 350MHz
DTA024XEBTL Rohm Semiconductor DTA024XEBTL 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-89,SOT-490 DTA024 150兆 EMT3F(SOT-416FL) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,5mA 80 @ 5mA,10v 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
RSH125N03TB1 Rohm Semiconductor RSH125N03TB1 0.7215
RFQ
ECAD 1324 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) RSH125 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 12.5A(TA) 4V,10V 9.1MOHM @ 12.5A,10V 2.5V @ 1mA 28 NC @ 5 V ±20V 1670 pf @ 10 V - 2W(TA)
UMD3NFHATR Rohm Semiconductor UMD3NFHATR 0.4800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMD3 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA NPN + PNP 300mv @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库