RFQ
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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RGCL60TS60GC13	5.4400	RFQ	6646	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGCL60	标准		111 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGCL60TS60GC13	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											沟渠场停止	600 v	48 a	120 a	1.8V @ 15V，30a	（770µJ）（在），1.11mj（）	68 NC	44NS/186NS
RD3P02BATTL1	1.6100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P02		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		（1 （无限）					2,500		P通道		100 v	20A（TA）	6V，10V	116mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	56W（ta）
RSS125N03FU6TB	-	RFQ	9211	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS125		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	12.5A（TA）	4V，10V	8.9mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 1mA	28 NC @ 5 V	20V	1670 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TT8U2TR	0.1774	RFQ	6721	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8U2		MOSFET （金属 o化物）		8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	2.4A（TA）	1.5V，4.5V	105mohm @ 2.4a，4.5V	1V @ 1mA	6.7 NC @ 4.5 V	±10V	850 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
R6011knxc7g	3.2900	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6011		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6011knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	11a（11a）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	53W（TC）
RSS075P03TB1	-	RFQ	7186	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS075P03TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	7.5A（ta）	4V，10V	21MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 1mA	30 NC @ 5 V	±20V	2900 PF @ 10 V	-	2W（TA）
EMX52T2R	0.4700	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX52			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000															50V	100mA						100NA（ICBO）	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	350MHz
RDN150N20FU6	-	RFQ	9865	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDN150		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		200 v	15A（TA）	10V	160MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 10 V	-	40W（TC）
R6024KNZ1C9	3.2600	RFQ	3	Rohm半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	245W（TC）
RCD040N25TL	-	RFQ	9023	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD040		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		250 v	4A（ta）	10V	-	-		±30V		-	20W（TC）
RSS095N05FU7TB1	-	RFQ	6951	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS095N05FU7TB1TR	过时的		2,500					-
RQ5E035BNTCL	0.4900	RFQ	23	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	37MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 15 V	-	1W（ta）
R6007knx	1.2054	RFQ	3213	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6007		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	14.5 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	46W（TC）
RHU002N06FRAT106	0.4200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	Rhu002		MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	200ma（ta）	4V，10V	2.4OHM @ 200mA，10v	2.5V @ 1mA	4.4 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
R6015ANZC8	-	RFQ	7402	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		600 v	15A（TC）	10V	300MOHM @ 7.5A，10V	4.15V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
2SAR554P5T100	0.5100	RFQ	460	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR554			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															80 V	1.5 a						1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 25mA，500mA	120 @ 100mA，3v	340MHz
R6050JNZC17	11.5700	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6050		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6050JNZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	50A（TC）	15V	83mohm @ 25a，15v	7V @ 5mA	120 NC @ 15 V	±30V	4500 PF @ 100 V	-	120W（TC）
RS6L090BGTB1	2.3600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 90A，10V	2.5V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 30 V	-	3W（3W），73W（tc）（TC）
QSX2TR	0.2767	RFQ	5099	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	QSX2			500兆	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	5 a						100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 40mA，2a	270 @ 500mA，2V	200MHz
RF4E100AJTCR	0.8700	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerudfn	RF4E100		MOSFET （金属 o化物）		HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	10a（10a）	4.5V	12.4mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 1mA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1460 pf @ 15 V	-	2W（TC）
QH8KB5TCR	0.7400	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8KB5		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	4.5A（ta）		44mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.5nc @ 10V		150pf @ 20V	-
SP8K22FU6TB	-	RFQ	6739	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K22		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			45V	4.5a		46mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	9.6nc @ 5V		550pf @ 10V	逻辑级别门
umc5ntr	0.3900	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UMC5			150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50V	30mA，100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5v / 30 @ 10mA，5V	250MHz	47KOHM，4.7KOHM	47KOHM，10KOHM
SCT4045DRHRC15	15.2900	RFQ	60	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4045DRHRC15	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		750 v	34A（TC）	18V	59mohm @ 17a，18v	4.8V @ 8.89mA	63 NC @ 18 V	+21V，-4V	1460 pf @ 500 V	-	115W
QH8MB5TCR	0.9600	RFQ	2245	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8MB5		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			40V	4.5A（5a），5a（ta）		44mohm @ 4.5A，10V，41MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	3.5nc @ 10v，17.2nc @ 10v		150pf @ 20v，920pf @ 20V	-
RZQ050P01TR	0.8800	RFQ	21	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RZQ050		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		12 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	±10V	2850 pf @ 6 V	-	600MW（TA）
RRH050P03GZETB	0.9200	RFQ	373	Rohm半导体	*	（CT）	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500
RX3G18BBGC16	7.6300	RFQ	6633	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3G18		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-RX3G18BBGC16	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	270a（ta），180a （TC）	4.5V，10V	1.47MOHM @ 90A，10V	2.5V @ 1mA	210 NC @ 10 V	±20V	13200 PF @ 20 V	-	192W（TC）
DTC123EU3HZGT106	0.3800	RFQ	437	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC123			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
RSR020N06TL	0.2181	RFQ	5439	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RSR020		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	2A（TA）	4V，10V	170MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	4.9 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 10 V	-	540MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²