SIC
close

晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RTL020P02TR Rohm Semiconductor RTL020P02TR 0.2893
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RTL020 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 2.5V，4.5V 135mohm @ 2A，4.5V 2V @ 1mA 4.9 NC @ 4.5 V ±12V 430 pf @ 10 V - 1W（ta）
RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor RSQ020N03HZGTR 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RSQ020 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 134mohm @ 2a，10v 2.5V @ 1mA 3.1 NC @ 5 V ±20V 110 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RTQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor RTQ035N03HZGTR 0.7000
RFQ
 ECAD 1910 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ035 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3.5A（ta） 2.5V，4.5V 54mohm @ 3.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 V ±12V 285 pf @ 10 V - 950MW（TA）
EMB3T2R Rohm Semiconductor EMB3T2R 0.0801
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB3T2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA - 2 PNP-） 300mv @ 2.5mA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
DTC124GKAT146 Rohm Semiconductor DTC124GKAT146 0.0463
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC124 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
DTA023YUBTL Rohm Semiconductor DTA023YUBTL 0.0536
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Rohm半导体 DTA023Y 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTA023 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp- +二极管 150MV @ 500µA，5mA 35 @ 5mA，10v 250 MHz 2.2 kohms
RCJ050N25TL Rohm Semiconductor RCJ050N25TL 0.4772
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ050 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 5A（TC） 10V 1.36ohm @ 2.5a，10V 5.5V @ 1mA 8.5 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 25 V - 1.56W（ta），30W（TC）
2SAR375P5T100Q Rohm Semiconductor 2SAR375P5T100Q 0.6600
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR375 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA（ICBO） PNP 320mv @ 80mA，800mA 120 @ 200ma，5V 280MHz
RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor RS1E281BNTB1 1.9300
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 28a（28a）（80A）（80a tc） 4.5V，10V 2.3MOHM @ 28A，10V 2.5V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 15 V - （3W）（TA）
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor RQ6C065BCTCR 0.8000
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6C065 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6.5A（TC） 4.5V 21mohm @ 6.5a，4.5V 1.2V @ 1mA 22 NC @ 4.5 V ±8V 1520 pf @ 10 V - 1.25W（TC）
RQ5E020SPTL Rohm Semiconductor RQ5E020SPTL 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5E020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 120MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 4.3 NC @ 5 V ±20V 370 pf @ 10 V - 700MW（TA）
R6024ENJTL Rohm Semiconductor R6024enjtl 3.8100
RFQ
 ECAD 843 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6024 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 24A（TC） 10V 165mohm @ 11.3a，10v 4V @ 1mA 70 NC @ 10 V ±20V 1650 pf @ 25 V - 40W（TC）
R6020ENZC8 Rohm Semiconductor R6020ENZC8 -
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 600 v 20A（TC） 10V 196mohm @ 9.5a，10V 4V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 120W（TC）
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor RE1C002ZPTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 RE1C002 MOSFET （金属 o化物） EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 200ma（ta） 4.5V 1.2OHM @ 200mA，4.5V 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 V ±10V 115 pf @ 10 V - 150MW（TA）
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor RS1E130GNTB 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 11.7MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 1mA 7.9 NC @ 10 V ±20V 420 pf @ 15 V - 3W（TA），22.2W（tc）
BC847BU3T106 Rohm Semiconductor BC847BU3T106 0.3500
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BC847 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 200 @ 2mA，5v 200MHz
RDN080N25FU6 Rohm Semiconductor RDN080N25FU6 -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RDN080 MOSFET （金属 o化物） TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 250 v 8a（8a） 10V 500MOHM @ 4A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 543 pf @ 10 V - 35W（TC）
RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor RV2C014BCT2CL 0.4000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-XFDFN RV2C014 MOSFET （金属 o化物） DFN1006-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 700mA（TA） 1.8V，4.5V 300MOHM @ 1.4A，4.5V 1V @ 100µA ±8V 100 pf @ 10 V - 400MW（TA）
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor SH8K4TB1 1.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K4 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a 17mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
2SCR375PHZGT100Q Rohm Semiconductor 2SCR375PHZGT100Q 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 80mA，800mA 120 @ 200ma，5V 200MHz
RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor RYM002N05T2CL 0.3800
RFQ
 ECAD 821 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 RYM002 MOSFET （金属 o化物） VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 50 V 200ma（ta） 0.9V，4.5V 2.2OHM @ 200mA，4.5V 800mv @ 1mA ±8V 26 pf @ 10 V - 150MW（TA）
RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor rj1l12bgntll 6.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RJ1L12 MOSFET （金属 o化物） TO-263AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 120a（ta） 4.5V，10V 2.9MOHM @ 40a，10v 2.5V @ 500µA 175 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 30 V - （192w（ta）
DTA125TKAT146 Rohm Semiconductor DTA125TKAT146 0.0561
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 Rohm半导体 DTA125T 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA125 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 50µA，500µA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 200 kohms
R6020YNX3C16 Rohm Semiconductor R6020YNX3C16 4.3500
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 R6020 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） 846-R6020YNX3C16 50 n通道 600 v 20A（TC） 10V，12V 185mohm @ 6a，12v 6V @ 1.65mA 28 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 100 V - 182W（TC）
2SAR513PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR513PHZGT100 0.5800
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 50 V 1 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 25mA，500mA 180 @ 50mA，2V 400MHz
2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR583D3TL1 1.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-2SCR583D3TL1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 50 V 7 a 1µA（ICBO） NPN 350mv @ 150mA，3a 180 @ 1A，3V 280MHz
RQ5A025ZPTL Rohm Semiconductor RQ5A025ZPTL 0.6400
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5A025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 2.5a（ta） 1.5V，4.5V 61MOHM @ 2.5a，4.5V 1V @ 1mA 13 NC @ 4.5 V ±10V 1350 pf @ 6 V - 760MW（TA）
R6035ENZC8 Rohm Semiconductor R6035ENZC8 -
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 600 v 35A（TC） 10V 102MOHM @ 18.1a，10V 4V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 2720 PF @ 25 V - 120W（TC）
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65GVC11 6.8800
RFQ
 ECAD 6578 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW00 标准 89 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，50a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 45 a 200 a 1.9V @ 15V，50a （1.18mj）（在），960µJ（OFF）上） 141 NC 52NS/180NS
RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65GVC11 5.9000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW60 标准 72 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 480µJ（在）上，490µj（） 84 NC 37NS/114NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭