SIC
close

晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
R6027YNX3C16 Rohm Semiconductor R6027YNX3C16 5.3800
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） 846-R6027YNX3C16 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 27a（TC） 10V，12V 135mohm @ 7a，12v 6V @ 2mA 40 NC @ 10 V ±30V 1670 pf @ 100 V - 245W（TC）
RQ1A070ZPHZGTR Rohm Semiconductor RQ1A070ZPHZGTR 0.5900
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TSMT8 - （1 （无限） 3,000
DTC123YE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123YE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC123 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 846-DTC123YE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
SCT3160KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3160KLHRC11 15.8100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 不适合新设计 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3160 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 17a（TC） 18V 208MOHM @ 5A，18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V，-4V 398 PF @ 800 V - 103W
R6011KNXC7G Rohm Semiconductor R6011knxc7g 3.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6011 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6011knxc7g Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11a（11a） 10V 390MOHM @ 3.8A，10V 5V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 740 pf @ 25 V - 53W（TC）
RGS50TSX2DGC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DGC11 9.8200
RFQ
 ECAD 441 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS50 标准 395 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS50TSX2DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V，25a，10ohm，15V 182 ns 沟渠场停止 1200 v 50 a 75 a 2.1V @ 15V，25a 1.4MJ（在）上，1.65MJ OFF） 67 NC 37NS/140NS
UT6JC5TCR Rohm Semiconductor UT6JC5TCR 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn UT6JC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HUML2020L8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-UT6JC5TCRTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 2.5a（ta） 280MOHM @ 2.5A，10V 2.5V @ 1mA 6.3nc @ 10V 265pf @ 30V -
RDN080N25FU6 Rohm Semiconductor RDN080N25FU6 -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RDN080 MOSFET （金属 o化物） TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 250 v 8a（8a） 10V 500MOHM @ 4A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 543 pf @ 10 V - 35W（TC）
RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor RV2C014BCT2CL 0.4000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-XFDFN RV2C014 MOSFET （金属 o化物） DFN1006-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 700mA（TA） 1.8V，4.5V 300MOHM @ 1.4A，4.5V 1V @ 100µA ±8V 100 pf @ 10 V - 400MW（TA）
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor RE1C002ZPTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 RE1C002 MOSFET （金属 o化物） EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 200ma（ta） 4.5V 1.2OHM @ 200mA，4.5V 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 V ±10V 115 pf @ 10 V - 150MW（TA）
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor RS1E130GNTB 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 11.7MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 1mA 7.9 NC @ 10 V ±20V 420 pf @ 15 V - 3W（TA），22.2W（tc）
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor SH8K4TB1 1.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K4 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a 17mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor R6006JND3TL1 2.4200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6006 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 6A（TC） 15V 936mohm @ 3A，15V 7V @ 800µA 15.5 NC @ 15 V ±30V 410 pf @ 100 V - 86W（TC）
RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor RQ6E050AJTCR 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E050 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 5A（5A） 2.5V，4.5V 35mohm @ 5A，4.5V 1.5V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V ±12V 520 pf @ 15 V - 950MW（TA）
RSS040P03FU6TB Rohm Semiconductor RSS040P03FU6TB -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS040 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 58mohm @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 8 nc @ 5 V ±20V 800 pf @ 10 V - 2W（TA）
R6006ANX Rohm Semiconductor R6006anx 1.5214
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6006 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 6A（TC） 10V 1.2OHM @ 3A，10V 4.5V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±30V 520 pf @ 25 V - 40W（TC）
SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor SH8KA1GZETB 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KA1 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.5A（ta） 80MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 3NC @ 10V 125pf @ 15V -
R8008ANJGTL Rohm Semiconductor R8008anjgtl 5.8200
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R8008 MOSFET （金属 o化物） TO-263S 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R8008anjgtltr Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 8A（TC） 10V 1.03OHM @ 4A，10V 5V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - （195W）（TC）
R6024VNXC7G Rohm Semiconductor R6024VNXC7G 4.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6024 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6024VNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13A（TC） 10V，15V 153mohm @ 6a，15v 6.5V @ 700µA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 PF @ 100 V - 70W（TC）
SCT4036KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4036KeHRC11 23.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 846-SCT4036KEHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 43A（TC） 18V 47mohm @ 21a，18v 4.8V @ 11.1mA 91 NC @ 18 V +21V，-4V 2335 PF @ 800 V - 176W
DTA115TUAT106 Rohm Semiconductor DTA115TUAT106 0.0463
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 Rohm半导体 DTA115T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTA115 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 100µA，1mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 100 kohms
R6509KND3TL1 Rohm Semiconductor R6509KND3TL1 1.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6509 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 9A（TC） 10V 585MOHM @ 2.8A，10V 5V @ 230µA 16.5 NC @ 10 V ±20V 540 pf @ 25 V - 94W（TC）
SCT4036KRC15 Rohm Semiconductor SCT4036KRC15 22.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT4036 sicfet （碳化硅） TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT4036KRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 43A（TC） 18V 47mohm @ 21a，18v 4.8V @ 11.1mA 91 NC @ 18 V +21V，-4V 2335 PF @ 800 V - 176W
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM600 （SIC） 2450W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM600D12P3G001 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 600A（TC） - 5.6V @ 182mA - 31000pf @ 10V -
RQ6L035ATTCR Rohm Semiconductor RQ6L035ATTCR 0.9400
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6L035 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 3.5A（ta） 4.5V，10V 78MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 1190 pf @ 30 V - 950MW（TA）
FMA3AT148 Rohm Semiconductor FMA3AT148 0.1312
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 FMA3 300MW SMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
R6015ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6015anzfu7c8 -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6015 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6015ANZFU7C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 15A（TC） 10V 300MOHM @ 7.5A，10V 4.15V @ 1mA 50 NC @ 10 V ±30V 1700 PF @ 25 V - 110W（TC）
RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65DGVC11 6.6900
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW60 标准 72 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，30a，10ohm，15V 92 ns 沟渠场停止 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 480µJ（在）上，490µj（） 84 NC 37NS/114NS
SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor SCT3080KW7TL 19.9900
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3080 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT3080KW7TLTR Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 30A（TC） 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 159W
RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor RS6R060BHTB1 3.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 60a（ta） 6V，10V 21.8mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 46 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 75 V - 104W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭