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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMST3906T146	0.3500	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMST3906			300兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	200 ma						50NA	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
RSJ800N06TL	2.0801	RFQ	2576	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	RSJ800		MOSFET （金属 o化物）		LPT	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	80a（ta）	-	-	-		-		-	-
2SB1705TL	0.2120	RFQ	6634	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SB1705			500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																12 v	3 a						100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 500mA，2V	280MHz
R6015enxc7g	3.8300	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6015		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6015ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15A（TA）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 25 V	-	60W（TC）
RSS105N03FU6TB	-	RFQ	2545	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS105		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	10.5a（ta）	4V，10V	11.7mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 5 V	20V	1130 pf @ 10 V	-	2W（TA）
R6006KND3TL1	2.1700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6006		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	6A（TC）	10V	830mohm @ 3a，10v	5.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	70W（TC）
BSS138BKAHZGT116	0.5100	RFQ	9	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	400mA（TA）	2.5V，10V	680MOHM @ 400mA，10V	2V @ 10µA		±20V	47 pf @ 30 V	-	350MW（TA）
R6011enxc7g	3.2800	RFQ	998	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6011		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6011enxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	11a（11a）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	53W（TC）
SP8M7FU6TB	-	RFQ	2256	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M7		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			30V	5a，7a		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
DTC114EU3HZGT106	0.3800	RFQ	301	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC114			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
DTB743EMT2L	0.1035	RFQ	5216	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	DTB743			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																30 V	200 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	115 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
DTC023EEBTL	0.1900	RFQ	28	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC023			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						-	npn-预先偏见	200mv @ 1mA，10mA	20 @ 20mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
R6076ENZ1C9	-	RFQ	5068	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道		600 v	76A（TC）	10V	42MOHM @ 44.4a，10V	4V @ 1mA	260 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 25 V	-	120W（TC）
RSR030N06TL	0.4700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RSR030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	3A（3A）	4V，10V	85mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	380 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
RD3U040CNTL1	1.4300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3U040		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		250 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	5.5V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	29W（TC）
QS5U27TR	0.7400	RFQ	128	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U27		MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.5A，4.5V	2V @ 1mA	4.2 NC @ 4.5 V	±12V	325 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
R6012JNXC7G	4.0000	RFQ	8804	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6012		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6012JNXC7G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	12A（TC）	15V	390MOHM @ 6A，15V	7V @ 2.5mA	28 NC @ 15 V	±30V	900 PF @ 100 V	-	60W（TC）
2SA1579U3T106R	0.1126	RFQ	2157	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1579			200兆	UMT3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SA1579U3T106RTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																120 v	50 mA						500NA（ICBO）	NPN	250mv @ 30mA，1.5a	180 @ 2mA，6v
Rum002N02T2L	0.3700	RFQ	783	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	Rum002		MOSFET （金属 o化物）		VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		20 v	200ma（ta）	1.2V，2.5V	1.2OHM @ 200mA，2.5V	1V @ 1mA		±8V	25 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
R8005anjgtl	4.1100	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	R8005		MOSFET （金属 o化物）		TO-263S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		800 v	5A（TC）	10V	2.1OHM @ 2.5a，10v	5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RZR020P01TL	0.5300	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RZR020		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	105MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	6.5 NC @ 4.5 V	±10V	770 pf @ 6 V	-	1W（ta）
RV2C001ZPT2L	0.4600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	RV2C001		MOSFET （金属 o化物）		VML1006	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道		20 v	（100mA）（TA）	1.2V，4.5V	3.8OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	15 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
RGCL80TK60DGC11	6.0100	RFQ	433	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGCL80	标准		57 W	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			400V，40a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	600 v	35 a	160 a	1.8V @ 15V，40a	1.11mj（在）上，1.68mj off）	98 NC	53NS/227NS
RQ6C065BCTCR	0.8000	RFQ	6491	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6C065		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	6.5A（TC）	4.5V	21mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V	±8V	1520 pf @ 10 V	-	1.25W（TC）
RQ5E020SPTL	0.5800	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E020		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	2A（TA）	4V，10V	120MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	4.3 NC @ 5 V	±20V	370 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
R6024enjtl	3.8100	RFQ	843	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	R6024		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	40W（TC）
Rum002N05T2L	0.4200	RFQ	938	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	Rum002		MOSFET （金属 o化物）		VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		50 V	200ma（ta）	1.2V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	1V @ 1mA		±8V	25 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
RS1E281BNTB1	1.9300	RFQ	940	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	28a（28a）（80A）（80a tc）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 28A，10V	2.5V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
2SAR513PHZGT100	0.5800	RFQ	448	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																50 V	1 a						1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	400MHz
DTA125TKAT146	0.0561	RFQ	2584	Rohm半导体	DTA125T	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA125			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 50µA，500µA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	200 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²