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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RSS100N03TB Rohm Semiconductor RSS100N03TB -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 13mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 14 NC @ 5 V 20V 1070 pf @ 10 V - 2W（TA）
DTA144ESATP Rohm Semiconductor DTA144SATP -
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 Rohm半导体 - （TB） 过时的 通过洞 SC-72形成铅 DTA144 300兆 spt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 30 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
DTA123JCAT116 Rohm Semiconductor DTA123JCAT116 0.3800
RFQ
 ECAD 285 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
MMST2907AT146 Rohm Semiconductor MMST2907AT146 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMST2907 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 600 MA 100NA PNP 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V 200MHz
DTA114ESATP Rohm Semiconductor DTA114SATP -
RFQ
 ECAD 1901年 0.00000000 Rohm半导体 - （TB） 过时的 通过洞 SC-72形成铅 DTA114 300兆 spt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 50 mA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
EMT51T2R Rohm Semiconductor EMT51T2R 0.4700
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMT51 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 1mA，6v 350MHz
R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor R6009JND3TL1 2.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6009 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 9A（TC） 15V 585MOHM @ 4.5A，15V 7V @ 1.38mA 22 NC @ 15 V ±30V 645 pf @ 100 V - 125W（TC）
DTC143TKAT146 Rohm Semiconductor DTC143TKAT146 0.2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC143 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
DTC114YU3T106 Rohm Semiconductor DTC114YU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTC114 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
EMG2T2R Rohm Semiconductor EMG2T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 EMG2T2 150MW EMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
2SB1732TL Rohm Semiconductor 2SB1732TL 0.4200
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 2SB1732 400兆 Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 25mA，500mA 270 @ 200ma，2V 400MHz
RSJ301N10TL Rohm Semiconductor RSJ301N10TL 2.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ301 MOSFET （金属 o化物） TO-263S 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 30a（TA） 4V，10V 46mohm @ 15a，10v 2.5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 50W（TA）
RCD100N19TL Rohm Semiconductor RCD100N19TL 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RCD100 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 190 v 10A（TC） 4V，10V 182MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 25 V - 850MW（TA），20W（tc）
R6511KNJTL Rohm Semiconductor R6511knjtl 4.0600
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6511 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 11A（TC） 10V 400MOHM @ 3.8A，10V 5V @ 320µA 22 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 124W（TC）
RSR025N05TL Rohm Semiconductor RSR025N05TL 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RSR025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 45 v 2.5a（ta） 4V，10V 100mohm @ 2.5a，10v 3V @ 1mA 3.6 NC @ 5 V ±20V 260 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SP8K24FU6TB Rohm Semiconductor SP8K24FU6TB -
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K24 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 45V 6a 25mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 21.6nc @ 5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS4130AHZGT116 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS4130 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 340mv @ 50mA，500mA 270 @ 100mA，2V 400MHz
RUE003N02TL Rohm Semiconductor RUE003N02TL 0.4300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 RUE003 MOSFET （金属 o化物） EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 300mA（TA） 1.8V，4V 1欧姆 @ 300mA，4V 1V @ 1mA ±8V 25 pf @ 10 V - 150MW（TA）
EMH9FHAT2R Rohm Semiconductor EMH9FHAT2R 0.3500
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMH9FHAT2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
UMF22NTR Rohm Semiconductor UMF22NTR -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMF22 150MW UMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-UMF22NTR 3,000 12V，50V 500mA，100mA 100NA（ICBO），500NA 1 NPN预先偏见，1 NPN 250mv @ 10mA，200ma / 300mv @ 500µA，10mA 270 @ 10mA，2v / 30 @ 5mA，5V 250MHz，320MHz 10KOHMS 10KOHMS
DTC024EUBTL Rohm Semiconductor DTC024EUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTC024 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 30 ma - npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 60 @ 5mA，10v 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor R8006KND3TL1 3.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R8006 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 6a（6a） 10V 900MOHM @ 3A，10V 4.5V @ 4mA 22 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 100 V - 83W（TC）
RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor RQ3E180GNTB 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E180 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 18A（18A） 4.5V，10V 4.3mohm @ 18a，10v 2.5V @ 1mA 22.4 NC @ 10 V ±20V 1520 pf @ 15 V - 2W（TA）
SP8M31HZGTB Rohm Semiconductor SP8M31HZGTB 2.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5A（ta） 65MOHM @ 4.5A，10V，70MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 1mA 7NC @ 5V，40NC @ 10V 500pf @ 10V，2500pf @ 10V -
R6025JNZC8 Rohm Semiconductor R6025JNZC8 7.8800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm半导体 - 包 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6025 MOSFET （金属 o化物） to-3pf - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 600 v 25A（TC） 15V 182MOHM @ 12.5A，15V 7V @ 4.5mA 57 NC @ 15 V ±30V 1900 pf @ 100 V - 85W（TC）
SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3040KRHRC15 28.2200
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3040 MOSFET （金属 o化物） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3040KRHRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 55A（TC） 18V 52Mohm @ 20a，18v 5.6V @ 10mA 107 NC @ 18 V +22V，-4V 1337 PF @ 800 V - 262W
BSS63T116 Rohm Semiconductor BSS63T116 -
RFQ
 ECAD 1527年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 350兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 10mA，100mA 30 @ 10mA，1V 200MHz
2SCR346PT100Q Rohm Semiconductor 2SCR346PT100Q 0.6200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR346 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 400 v 100 ma 10µA（ICBO） NPN 300mv @ 2mA，20mA 82 @ 10mA，10v -
RRQ045P03HZGTR Rohm Semiconductor RRQ045P03HZGTR 1.3300
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RRQ045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 4.5A（ta） 4V，10V 35MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 14 NC @ 5 V ±20V 1350 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor RD3P100SNTL1 1.5100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3P100 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 10a（10a） 4V，10V 133mohm @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 20W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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