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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DTA123YU3T106	0.2000	RFQ	410	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA123		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
DTC114YU3T106	0.2000	RFQ	25	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC114		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													100 ma	-	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
RUL035N02TR	0.6300	RFQ	696	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	Rul035	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	3.5A（ta）	1.5V，4.5V	43mohm @ 3.5A，4.5V	1V @ 1mA	5.7 NC @ 4.5 V	±10V	460 pf @ 10 V	-	320MW（TA）
2SC4083T106N	0.4500	RFQ	95	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4083		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												11 V	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，10mA	56 @ 5mA，10v	3.2GHz
2SC4726TLN	0.4400	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4726		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												11 V	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，10mA	56 @ 5mA，10v	3.2GHz
DTA143EU3T106	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA143		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	100mA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
UMH14NTR	0.1069	RFQ	5101	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMH14		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												50V	100mA	-	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	47kohms	-
DTC124TCAT116	0.3500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC124		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
R6009JND3TL1	2.5900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6009	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	9A（TC）	15V	585MOHM @ 4.5A，15V	7V @ 1.38mA	22 NC @ 15 V	±30V	645 pf @ 100 V	-	125W（TC）
RS1E180BNTB	0.6700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RS1E	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 15 V	-	（3W）（25W）（25W）TC）
RD3P050SNFRATL	1.4100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P050	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	5A（5A）	4V，10V	190MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	15W（TC）
RQ3G100GNTB	0.5400	RFQ	124	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3G100	MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	10a（10a）	4.5V，10V	14.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	8.4 NC @ 10 V	±20V	615 pf @ 20 V	-	2W（TA）
DTC124EUBTL	0.2000	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-85	DTC124		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	30 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
EMB2T2R	0.3900	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB2T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000												50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
DTC144SATP	-	RFQ	1784年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	SC-72形成铅	DTC144		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000												50 V	30 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
RQ5E040AJTCL	0.5300	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E040	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	4A（ta）	2.5V，4.5V	37MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	4.3 NC @ 4.5 V	±12V	480 pf @ 15 V	-	1W（ta）
DTA114TU3T106	0.3100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA114		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
R6024ENZ4C13	-	RFQ	7145	Rohm半导体	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	R6024	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6024ENZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	24A（TC）	10V，15V	165MOHM @ 24A，15V	-	70 NC @ 15 V	±20V		-	245W（TC）
2SC6114T2LQ	-	RFQ	2779	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-72形成铅			150兆	VMN3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 2.5mA，25mA	120 @ 2mA，6v	130MHz
R6009enxc7g	2.7900	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6009	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6009ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	9a（9a）	10V	535MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 25 V	-	48W（TC）
2SA1036KT146R	0.4400	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1036		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												32 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	600mv @ 30mA，300mA	120 @ 100mA，3v	200MHz
2SC5658T2LQ	0.4000	RFQ	504	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SC5658		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
DTC043EUBTL	0.3000	RFQ	9912	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTC043		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	20 @ 5mA，10v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
2SD2096T114E	1.1600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	HRT	2SD2096		1.8 w	HRT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000												60 V	3 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	8MHz
2SA1036KT146P	-	RFQ	3108	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1036		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												32 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	600mv @ 30mA，300mA	82 @ 100mA，3v	200MHz
2SA1514KT146S	0.4200	RFQ	449	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1514		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												120 v	50 mA	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
EMX4T2R	0.6400	RFQ	9729	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX4T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000												20V	50mA	500NA（ICBO）	2 NPN （双）	500mv @ 4mA，20mA	56 @ 10mA，10v	1.5GHz
2SD1758TLQ	0.3120	RFQ	5981	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1758		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500												32 v	2 a	1µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，3v	100MHz
2SAR554RTL	0.6700	RFQ	3976	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SAR554		1 w	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000												80 V	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 25mA，500mA	120 @ 100mA，3v	340MHz
DTC014EEBTL	0.1900	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC014		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	50 mA	-	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	35 @ 5mA，10v	250 MHz	10 kohms	10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²