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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
R6507KNJTL Rohm Semiconductor R6507knjtl 3.1400
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6507 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 7A（TC） 10V 665mohm @ 2.4a，10v 5V @ 200µA 14.5 NC @ 10 V ±20V 470 pf @ 25 V - 78W（TC）
RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor RQ3E100GNTB 0.4500
RFQ
 ECAD 1727年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E100 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 11.7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 7.9 NC @ 10 V ±20V 420 pf @ 15 V - 2W（TA），15W（TC）
SH8M24GZETB Rohm Semiconductor SH8M24GZETB 1.3200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M24 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 6a（6a） 46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v 550pf @ 10V，1700pf @ 10V -
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor umh3nfhatn 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMH3 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz
DTC115EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC115EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC115 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
RUR020N02TL Rohm Semiconductor RUR020N02TL 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RUR020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 105MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 2 NC @ 4.5 V ±10V 180 pf @ 10 V - 540MW（TA）
RCJ160N20TL Rohm Semiconductor RCJ160N20TL 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ160 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 16A（TC） 10V 180mohm @ 8a，10v 5.25V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 25 V - 1.56W（ta），40W（TC）
2SC4617E3TLQ Rohm Semiconductor 2SC4617E3TLQ 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC4617 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
SH8M41GZETB Rohm Semiconductor SH8M41GZETB 1.4800
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M41 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 80V 3.4a，2.6a 130MOHM @ 3.4A，10V 2.5V @ 1mA 9.2nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
RGTH40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TS65DGC11 1.8792
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH40 标准 144 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/73NS
LP8M3FP8TB1 Rohm Semiconductor LP8M3FP8TB1 -
RFQ
 ECAD 6873 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 LP8M3 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-LP8M3FP8TB1TR 过时的 2,500 -
RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor RH6P040BHTB1 1.8400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 3（168）） 到达不受影响 846-RH6P040BHTB1CT Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 40a（TC） 6V，10V 15.6mohm @ 40a，10v 4V @ 1mA 16.7 NC @ 10 V ±20V 1080 pf @ 50 V - 59W（TC）
HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor HS8MA2TCR1 1.0600
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn HS8MA2 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN3333-9DC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V （5A）（ta），7a（ta） 80mohm @ 5.5a，10v，35mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.8NC @ 10V，8.4NC @ 10V 320pf @ 10V，365pf @ 10V -
R6027YNXC7G Rohm Semiconductor R6027ynxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 （1 （无限） 846-R6027ynxc7g Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 14A（TC） 10V，12V 135mohm @ 7a，12v 6V @ 2mA 40 NC @ 10 V ±30V 1670 pf @ 100 V - 70W（TC）
DTC123JE3TL Rohm Semiconductor DTC123JE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA143Z 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC123 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp- +二极管 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor RTQ045N03HZGTR 0.7400
RFQ
 ECAD 4765 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4.5A（ta） 2.5V，4.5V 43mohm @ 4.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 10.7 NC @ 4.5 V ±12V 540 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65DGVC11 7.2700
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW00 标准 89 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 95 ns 沟渠场停止 650 v 45 a 200 a 1.9V @ 15V，50a （1.18mj）（在），960µJ（OFF）上） 141 NC 52NS/180NS
BSM600D12P4G103 Rohm Semiconductor BSM600D12P4G103 1.0000
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 175°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM600 （SIC） 1.78kW（TC） 模块 下载 （1 （无限） 846-BSM600D12P4G103 4 2 n通道 1200V 567a（TC） - 4.8V @ 291.2mA - 59000pf @ 10V 标准
RQ1A070ZPTR Rohm Semiconductor RQ1A070ZPTR 1.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RQ1A070 MOSFET （金属 o化物） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 7a（ta） 1.5V，4.5V 12MOHM @ 7A，4.5V 1V @ 1mA 58 NC @ 4.5 V ±10V 7400 PF @ 6 V - 700MW（TA）
RCX080N25 Rohm Semiconductor RCX080N25 1.3000
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RCX080 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 250 v 8A（TC） 10V 600MOHM @ 4A，10V 5V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±30V 840 pf @ 25 V - 2.23W（TA），35W（（（（（（（（（（
RCX160N20 Rohm Semiconductor RCX160N20 1.6400
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RCX160 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 200 v 16A（TC） 10V 180mohm @ 8a，10v 5.25V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 25 V - 2.23W（ta），40W（TC）
RGSX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 11.7500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 116 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.44MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
R6004ENXC7G Rohm Semiconductor R6004enxc7g 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6004ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A（TC） 10V 980MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 40W（TC）
DTA143ZMT2L Rohm Semiconductor DTA143ZMT2L 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA143 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
R6015KNZC8 Rohm Semiconductor R6015knzc8 -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6015 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 15A（TC） 10V 290MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 1mA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W（TC）
2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR512P5T100 0.4200
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SCR512 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 35mA，700mA 200 @ 100mA，2V 320MHz
UMF8NTR Rohm Semiconductor umf8ntr 0.1329
RFQ
 ECAD 1047 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMF8 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V，15V 100mA，500mA 500NA 1 NPN预先偏见，1 NPN 300mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 10mA，200ma 68 @ 5mA，5v / 270 @ 10mA，2V 250MHz 47kohms 47kohms
RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor RGT16BM65DTL 2.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGT16 标准 94 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400V，8a，10ohm，15V 42 ns 沟渠场停止 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V，8a - 21 NC 13ns/33ns
RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT30TM65DGC9 2.8400
RFQ
 ECAD 944 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RGT30 标准 32 W TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V，15a，10ohm，15V 55 ns 沟渠场停止 650 v 14 a 45 a 2.1V @ 15V，15a - 32 NC 18NS/64NS
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3040 sicfet （碳化硅） TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 55A（TC） 18V 52Mohm @ 20a，18v 5.6V @ 10mA 107 NC @ 18 V +22V，-4V 1337 PF @ 800 V - 262W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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196-LFBGA裸露的垫子

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