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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
r6007jnjgtl	2.8200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6007	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	7A（TC）	15V	780MOHM @ 3.5A，15V	7V @ 1mA	17.5 NC @ 15 V	±30V	475 PF @ 100 V	-	96W（TC）
DTC643TUT106	0.3800	RFQ	200	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC643		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													20 v	600 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 2.5mA，50mA	820 @ 50mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯
R6504knjtl	2.3800	RFQ	76	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6504	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.05OHM @ 1.5A，10V	5V @ 130µA	10 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	58W（TC）
SP8K32HZGTB	1.7300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K32	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	4.5A（ta）		65mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	10NC @ 5V		500pf @ 10V	-
RSS060P05HZGTB	2.2500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS060	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	45 v	6a（6a）	4V，10V	36mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	32.2 NC @ 5 V	±20V	2700 PF @ 10 V	-	1.4W（TA）
SP8K4FU6TB	-	RFQ	5293	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K4	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	9a		17mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	21nc @ 5V		1190pf @ 10V	逻辑级别门
2SK2887TL	-	RFQ	2108	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK2887	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	3A（3A）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 10 V	-	20W（TC）
2SD2705STP	-	RFQ	6050	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅			300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													20 v	300 MA	100NA（ICBO）	NPN	100mv @ 3mA，30mA	820 @ 4mA，2V	35MHz
RSD221N06TL	0.6497	RFQ	4495	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD221	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	22a（TC）	4V，10V	26mohm @ 22a，10v	3V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 10 V	-	850MW（TA），20W（tc）
DTA143ZCAT116	0.2700	RFQ	5176	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA143		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
EMB61T2R	0.0801	RFQ	7385	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB61		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	50mA	500NA	2 PNP-）	150MV @ 500µA，5mA	35 @ 5mA，10v	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
2SA2090TLQ	0.1610	RFQ	2383	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SA2090		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，2V	400MHz
2SC4102U3T106S	0.4900	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	2SC4102		1.2 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													60 V	50 mA	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 600mA，6a	150 @ 500mA，2V	100MHz
RSS065N03TB1	-	RFQ	3569	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS065N03TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.5A（TA）	4V，10V	27mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	8.6 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	2W（TA）
SH8KA2TB1	1.5100	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8KA2	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SH8KA2TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a（8a）		28mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	8NC @ 10V		330pf @ 15V	-
FMA11AT148	0.1399	RFQ	1089	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA11		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
SCT3040KLGC11	39.7400	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3040	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	55A（TC）	18V	52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	262W（TC）
2SD1664T100P	0.4200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1664		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													32 v	1 a	500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	82 @ 100mA，3v	150MHz
2SC4081T106S	0.2300	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4081		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
2SB1240TV2P	-	RFQ	5266	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													32 v	2 a	1µA（ICBO）	PNP	800mv @ 200mA，2a	82 @ 500mA，3v	100MHz
DTA143XE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA143		150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA143XE3HZGTLDKR	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
SCT2080KeGC11	26.0100	RFQ	7091	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2080	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT2080KeGC11	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	40a（TC）	18V	117mohm @ 10a，18v	4V @ 4.4mA	106 NC @ 18 V	+22V，-6V	2080 pf @ 800 V	-	262W（TC）
RTR030N05HZGTL	0.8300	RFQ	12	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RTR030	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	45 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4.5 V	±12V	510 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
2SC5876T106Q	0.4700	RFQ	496	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5876		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	500 MA	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，2V	300MHz
TT8J21TR	0.9600	RFQ	27	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8J21	MOSFET （金属 o化物）	650MW	8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.5a		68mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 1mA	12nc @ 4.5V		1270pf @ 10V	逻辑级别门
DTC114EEBTL	0.2700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC114		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	50 mA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SA1727TLQ	0.3581	RFQ	1469	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA1727		1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，5V	12MHz
BCX70KT116	0.0935	RFQ	3508	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70		350兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	200 ma	100NA	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	125MHz
2SCR554P5T100	0.5100	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR554		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													80 V	1.5 a	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 25mA，500mA	120 @ 100mA，3v	300MHz
2SAR573D3TL1	0.8500	RFQ	338	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SAR573		10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	180 @ 100mA，3v	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²