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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SCT2450KEC	-	RFQ	6058	Rohm半导体	-	管子	过时的		175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	SCT2450		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SCT2450KECU	Ear99	8541.29.0095	30	n通道			1200 v	10A（TC）	18V	585MOHM @ 3A，18V	4V @ 900µA	27 NC @ 18 V	+22V，-6V	463 PF @ 800 V	-	85W（TC）
RQ5L035GNTCL	0.7800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-96	RQ5L035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.7V @ 50µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	375 pf @ 30 V	-	700MW（TA）
R5005CNJTL	1.1388	RFQ	1071	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R5005		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 1mA	10.8 NC @ 10 V	±30V	320 pf @ 25 V	-	40W（TC）
R6025ANZFL1C8	-	RFQ	8796	Rohm半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3	R6025		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6025ANZFL1C8	Ear99	8541.29.0095	30	n通道			600 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 12.5a，10V	4.5V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±30V	3250 pf @ 10 V	-	150W（TC）
RGTH40TK65DGC11	5.9600	RFQ	4329	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGTH40	标准		56 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	650 v	23 a	80 a	2.1V @ 15V，20A	-	40 NC	22NS/73NS
UMT18NTR	0.4200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMT18			150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																12V	500mA						100NA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
RCX050N25	1.0786	RFQ	5457	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	RCX050		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道			250 v	5A（5A）	10V	1100mohm @ 2.5a，10v	5.5V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	410 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RSD140P06TL	-	RFQ	2817	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD140		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道			60 V	14A（TA）	4V，10V	84mohm @ 14a，10v	3V @ 1mA	27 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	20W（TC）
RCD050N20TL	0.5385	RFQ	3726	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD050		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			200 v	5A（5A）	10V	618MOHM @ 2.5A，10V	5.25V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RSS120N03TB	-	RFQ	1627年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS120		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			30 V	12a（12a）	4V，10V	10mohm @ 12a，10v	2.5V @ 1mA	25 NC @ 5 V	20V	1360 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RSD080P05TL	0.5924	RFQ	3678	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD080		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道			45 v	8a（8a）	4V，10V	91MOHM @ 8A，10V	3V @ 1mA	93.4 NC @ 5 V	±20V	11000 PF @ 10 V	-	15W（TC）
R5205PND3FRATL	2.2800	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R5205		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			525 v	5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 1mA	10.8 NC @ 10 V	±30V	320 pf @ 25 V	-	65W（TC）
RXH090N03TB1	1.4100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RXH090		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			30 V	9a（9a）	4V，10V	17mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	2W（TA）
EMH3FHAT2R	0.3600	RFQ	655	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH3FHAT2			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50V	100mA						500NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
R6002Endtl	0.2832	RFQ	3999	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6002		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			600 v	1.7A（TC）	10V	3.4ohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	6.5 NC @ 10 V	±20V	65 pf @ 25 V	-	20W（TC）
R6020 Enjtl	2.7900	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6020		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RS6L120BGTB1	3.5900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			60 V	120a（ta）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 90A，10V	2.5V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	3520 PF @ 30 V	-	104W（TJ）
BSM600C12P3G201	1.0000	RFQ	7927	Rohm半导体	-	托盘	积极的		175°C（TJ）		底盘安装	模块	BSM600		sicfet （碳化硅）		模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	n通道			1200 v	600A（TC）	-	-	5.6V @ 182mA		+22V，-4V	28000 PF @ 10 V	-	2460W（TC）
RGTH60TS65GC13	5.2100	RFQ	8180	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	RGTH60	标准		194 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGTH60TS65GC13	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	58 a	120 a	2.1V @ 15V，30a	-	58 NC	27NS/105NS
RV1C001ZPT2L	0.4000	RFQ	85	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	RV1C001		MOSFET （金属 o化物）		VML0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	P通道			20 v	（100mA）（TA）	1.2V，4.5V	3.8OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	15 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
DTC115EUBTL	0.3700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-85	DTC115			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
RSS090P03FU7TB	-	RFQ	8674	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS090		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道			30 V	9a（9a）	4V，10V	14mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	39 NC @ 5 V	±20V	4000 pf @ 10 V	-	2W（TA）
EMF32T2R	0.1084	RFQ	4954	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	50V PNP，30V n通道		通用目的	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF32				EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		100mA PNP，100mA n通道																						pnp预先偏向n通道
2SD1468STPR	-	RFQ	8495	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	SC-72形成铅				300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																15 v	1 a						500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	150MHz
VT6X11T2R	0.1117	RFQ	4234	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）		表面安装	6-SMD，平坦的铅	VT6X11			150MW	VMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																20V	200mA						100NA（ICBO）	2 NPN （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，2V	400MHz
RSJ250P10FRATL	1.8800	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RSJ250		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道			100 v	25A（TA）	4V，10V	63mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	50W（TA）
RS1L120GNTB	1.7500	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	RS1L		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			60 V	12a（12a），36a （TC）	4.5V，10V	12.7MOHM @ 12A，10V	2.7V @ 200µA	26 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
RGTH80TS65DGC13	6.5100	RFQ	1273	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	RGTH80	标准		234 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGTH80TS65DGC13	Ear99	8541.29.0095	600			400V，40a，10ohm，15V											236 ns	沟渠场停止	650 v	70 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	-	79 NC	34NS/120NS
RGWSX2TS65DGC13	6.9700	RFQ	2566	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	RGWSX2	标准		288 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWSX2TS65DGC13	Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，10ohm，15V											88 ns	沟渠场停止	650 v	104 a	180 a	2V @ 15V，60a	1.43MJ（在）上，1.2MJ off）	140 NC	55NS/180NS
RDD020N50TL	0.6086	RFQ	8105	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计						RDD020					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²