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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGCL80TS60GC13 | 5.9400 | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGCL80 | 标准 | 148 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGCL80TS60GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 65 a | 160 a | 1.8V @ 15V,40a | 1.11mj(在)上,1.68mj off) | 98 NC | 53NS/227NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR554PFRAT100 | 0.4400 | ![]() | 269 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR554 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 1.5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 25mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123YE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC124E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC123 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn- +二极管 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6024knx | 2.8800 | ![]() | 495 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6024 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a,10v | 5V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6024KNZ4C13 | 6.7200 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6024 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6024KNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a,10v | 5V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 25 V | - | 245W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC023YMT2L | 0.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC023 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 35 @ 5mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1A060APTR | 0.5900 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RT1A060 | MOSFET (金属 o化物) | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 6a(6a) | 1.5V,4.5V | 19mohm @ 6a,4.5V | 1V @ 1mA | 80 NC @ 4.5 V | -8V | 7800 PF @ 6 V | - | 600MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
RSS090N03FRATB | 0.6465 | ![]() | 9268 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4V,10V | 16mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 15 NC @ 5 V | ±20V | 810 pf @ 10 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4083T106N | 0.4500 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SC4083 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 11 V | 50 mA | 500NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 5mA,10mA | 56 @ 5mA,10v | 3.2GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | dtc143xubhzgtl | 0.0415 | ![]() | 4123 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTC143 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5U26TR | 0.2451 | ![]() | 7399 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | QS5U26 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 200mohm @ 1.5A,4.5V | 2V @ 1mA | 4.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 325 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1690KT146 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SB1690 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 180MV @ 50mA,1a | 270 @ 200ma,2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009knjtl | 1.9600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6009 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 9A(TC) | 10V | 535MOHM @ 2.8A,10V | 5V @ 1mA | 16.5 NC @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W(TC) | ||||||||||||||||||||||
SP8J1FU6TB | - | ![]() | 7343 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8J1 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 5a | 42MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 1mA | 16nc @ 5V | 1400pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||
SP8K2HZGTB | 2.0400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K2 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 6a(6a) | 30mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 1mA | 10.1NC @ 5V | 520pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR502U3T106 | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SAR502 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 MA | 200NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 10mA,200mA | 200 @ 100mA,2V | 520MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YCAT116 | 0.2700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA114 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6K11TCR | - | ![]() | 7480 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MP6K11 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.5a | 98MOHM @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 1.9nc @ 5V | 85pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
R6024ENZC8 | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a,10v | 4V @ 1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113ZSATP | - | ![]() | 9588 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | SC-72形成铅 | DTA113 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 5mA,5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RRQ020P03TCR | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RRQ020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2A(TA) | 4V,10V | 160MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.2 NC @ 5 V | ±20V | 230 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH50TS65DGC13 | 5.6800 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGTH50 | 标准 | 174 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGTH50TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V,25a,10ohm,15V | 58 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 50 a | 100 a | 2.1V @ 15V,25a | - | 49 NC | 27NS/94NS | |||||||||||||||||||||
![]() | BC848CT116 | 0.1049 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC848 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 15µA(ICBO) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JUBHZGTL | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTC123 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115GKAT146 | 0.0463 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA115 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDD050N20TL | 1.6700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RDD050 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 5A(5A) | 10V | 720MOHM @ 2.5A,10V | 4V @ 1mA | 9.3 NC @ 10 V | ±30V | 292 PF @ 10 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA115 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 100µA,1mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR512P5T100 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR512 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 2 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 35mA,700mA | 200 @ 100mA,2V | 430MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | r6004enjtl | 1.4300 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6004 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 980MOHM @ 1.5A,10V | 4V @ 1mA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 250 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FMG6AT148 | 0.1011 | ![]() | 1095 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FMG6 | 300MW | SMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 47kohms | - |
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