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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SP8J1FU6TB	-	RFQ	7343	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8J1	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5a		42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	16nc @ 5V		1400pf @ 10V	逻辑级别门
DTA114YCAT116	0.2700	RFQ	28	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
R6024enx	3.8100	RFQ	464	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6024	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	40W（TC）
QS5U26TR	0.2451	RFQ	7399	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U26	MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.5A，4.5V	2V @ 1mA	4.2 NC @ 4.5 V	±12V	325 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
R6024ENZC8	-	RFQ	4344	Rohm半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RS1L151ATTB1	2.9000	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1L	MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	56A（TC）	4.5V，10V	11.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 30 V	-	（3W）（TA）
SP8M51FRATB	0.8122	RFQ	9868	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M51	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		100V	3A（3A），2.5A（2.5A）		170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v		610pf @ 10V，1550pf @ 25V	-
RQ5C035BCTCL	0.5000	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5C035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.5A（ta）	4.5V	59MOHM @ 3.5A，4.5V	1.2V @ 1mA	6.5 NC @ 4.5 V	±8V	460 pf @ 10 V	-	1W（TC）
RT1A045APTCR	0.2527	RFQ	7337	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RT1A045	MOSFET （金属 o化物）		8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.5A（ta）	1.5V，4.5V	30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 1mA	40 NC @ 4.5 V	-8V	4200 PF @ 6 V	-	650MW（TA）
R6009knjtl	1.9600	RFQ	20	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6009	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	535MOHM @ 2.8A，10V	5V @ 1mA	16.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 25 V	-	94W（TC）
2SB1690KT146	0.4600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SB1690		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	2 a	100NA（ICBO）	PNP	180MV @ 50mA，1a	270 @ 200ma，2V	360MHz
SCT4018KW7TL	38.7800	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		sicfet （碳化硅）		TO-263-7L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	1200 v	75A（TJ）	18V	23.4mohm @ 42a，18v	4.8V @ 22.2mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4532 PF @ 800 V	-	267W
R6011knjtl	2.3500	RFQ	1525年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6011	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	11A（TC）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	124W（TC）
RRS110N03TB1	-	RFQ	5244	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS110	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4V，10V	12.6mohm @ 11a，10v	2.5V @ 1mA	33 NC @ 5 V	±20V	2000 pf @ 10 V	-	2W（TA）
DTA123EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA124E	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA123		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp- +二极管	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
ES6M2T2CR	-	RFQ	5431	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-ES6M2T2CRTR	过时的		8,000
BSS138BWAHZGT106	0.4000	RFQ	9	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	380mA（ta）	2.5V，10V	680MOHM @ 380mA，10V	2V @ 10µA		±20V	47 pf @ 30 V	-	200MW
2SAR502U3T106	0.4000	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SAR502		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	520MHz
RRQ020P03TCR	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RRQ020	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2A（TA）	4V，10V	160MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	3.2 NC @ 5 V	±20V	230 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
2SC4083T106P	0.4500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4083		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													11 V	50 mA	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，10mA	82 @ 5mA，10v	3.2GHz
RD3P130SPTL1	1.8900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3P130	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	13A（TA）	4V，10V	200mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	20W（TC）
SP8K2HZGTB	2.0400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K2	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6a（6a）		30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	10.1NC @ 5V		520pf @ 10V	-
MP6K11TCR	-	RFQ	7480	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MP6K11	MOSFET （金属 o化物）	2W	MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2 n 通道（双）		30V	3.5a		98MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	1.9nc @ 5V		85pf @ 10V	逻辑级别门
dtd543zetl	0.4600	RFQ	4308	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTD543		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													12 v	500 MA	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RD3H045SPFRATL	1.4300	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3H045	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	45 v	4.5A（ta）	4V，10V	155MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	15W（TC）
dta013zubtl	0.0488	RFQ	2525	Rohm半导体	DTA013Z	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTA013		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	30 @ 5mA，10v	250 MHz	1 kohms	10 kohms
SH8K39GZETB	2.1600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K39	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	8a（8a）		21mohm @ 8a，10v	2.7V @ 200µA	25nc @ 10V		1240pf @ 30V	-
R5007FNX	1.7200	RFQ	222	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R5007	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	7A（TC）	10V	1.3OHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DTA044TEBTL	0.1900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA044		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	60 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250 MHz	47科姆斯
2SC4617TLQ	0.3500	RFQ	923	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4617		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²