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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC115EMT2L | 0.3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC115 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 20 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6114T2LQ | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-72形成铅 | 150兆 | VMN3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 2.5mA,25mA | 120 @ 2mA,6v | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD046P05TL | 0.2588 | ![]() | 9008 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD046 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 4.5A(TC) | 4V,10V | 155MOHM @ 4.5A,10V | 3V @ 1mA | 12 nc @ 5 V | ±20V | 550 pf @ 10 V | - | 850MW(TA),15W((((((((((( | ||||||||||||||||||||||
![]() | RCX120N25 | 2.7400 | ![]() | 1462 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RCX120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 250 v | 12a(12a) | 10V | - | - | ±30V | - | 2.23W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858BT116 | 0.0848 | ![]() | 2963 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC858 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 210 @ 2mA,5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114YCAHZGT116 | 0.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC114 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1900T100Q | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SA1900 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 50mA,500mA | 120 @ 500mA,3v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR025P03TL | 0.6400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RSR025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 4V,10V | 98mohm @ 2.5a,10v | - | 5.4 NC @ 5 V | ±20V | 460 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P03BBHTL1 | 1.7600 | ![]() | 9621 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3P03 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 35A(TA) | 6V,10V | 23mohm @ 35a,10v | 4V @ 1mA | 12.4 NC @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 50 V | - | 50W(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | R6022YNX3C16 | 3.0400 | ![]() | 1970年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 846-R6022YNX3C16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V,12V | 165mohm @ 6.5a,12v | 6V @ 1.8mA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 100 V | - | 205W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1740STP | - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 2SC1740 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 5mA,50mA | 270 @ 1mA,6v | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZMT2L | 0.3900 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC143 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG9AT148 | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FMG9 | 300MW | SMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMG4T2R | 0.1084 | ![]() | 2468 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | EMG4T2 | 150MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC124 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR552PHZGT100 | 0.7200 | ![]() | 840 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 3 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 50mA,1a | 200 @ 500mA,2V | 330MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1260T100Q | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SB1260 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009RND3TL1 | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R6009 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 9A(TC) | 15V | 665MOHM @ 4.5A,15V | 7V @ 5.5mA | 22 NC @ 15 V | ±30V | 640 pf @ 100 V | - | 125W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124TMT2L | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC124T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC124 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB123ESTP | - | ![]() | 7853 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | SC-72形成铅 | DTB123 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 39 @ 50mA,5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113ZETL | 0.4200 | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA113 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 5mA,5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT50NS65DGTL | 3.4100 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RGT50 | 标准 | 194 w | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,25a,10ohm,15V | 58 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 48 a | 75 a | 2.1V @ 15V,25a | - | 49 NC | 27NS/88NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | umf7ntr | - | ![]() | 2215 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMF7 | 150MW | UMT6 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-umf7ntr | 3,000 | 50V,12V | 100mA,500mA | 500NA,100NA(ICBO) | 1 NPN预先偏见,1 NPN | 300mv @ 500µA,10mA / 250mv @ 10mA,200ma | 20 @ 20mA,5v / 270 @ 10mA,2V | 250MHz,320MHz | 2.2kohms | 2.2kohms | |||||||||||||||||||||||||||
SH8KA7GZETB | 1.9900 | ![]() | 1086 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8KA7 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 15A(TA) | 9.3mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 1mA | 81nc @ 10V | 3320pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR554RTL | 0.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SCR554 | 1 w | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 80 V | 1.5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 25mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSTA06T146 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMSTA06 | 350兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 1µA | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L07BBGTL1 | 2.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3L07 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 70A(TC) | 4.5V,10V | 3.9MOHM @ 70A,10V | 2.5V @ 1mA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 2950 pf @ 30 V | - | 102W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
SP8M4FRATB | 2.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M4 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | (9a)(7a ta)(7a ta) | 18mohm @ 9a,10v,28mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 15nc @ 5v,25nc @ 5v | 1190pf @ 10V,2600pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8K51TR | 0.5748 | ![]() | 8917 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QS8K51 | - | - | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 2a | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
RSS070P05FRATB | 1.2346 | ![]() | 9502 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS070 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 7a(ta) | 4V,10V | 27mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 47.6 NC @ 5 V | ±20V | 4100 PF @ 10 V | - | 2W(TA) |
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