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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA144SATP | - | ![]() | 1701 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | SC-72形成铅 | DTA144 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB143ECT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTB143 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 47 @ 50mA,5V | 200 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5866TLR | 0.4700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SC5866 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 120 @ 100mA,2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JEFRATL | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA123 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMB10AT110 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMB10 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA1AT148 | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FMA1 | 300MW | SMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2(PNP- 预偏(双重)() | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1198KT146Q | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SB1198 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114Eetl | 0.3700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC114 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDX080N50FU6 | - | ![]() | 9782 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RDX080 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 8a(8a) | 10V | 850MOHM @ 4A,10V | 4V @ 1mA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 920 PF @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1834T100 | 0.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD1834 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 a | 1µA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 500µA,500mA | 2000 @ 500mA,3v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144WCAT116 | 0.3500 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC144 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT3AT108 | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMT3 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RZY200P01TL | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | RZY200 | MOSFET (金属 o化物) | TCPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 12 v | 20A(TA) | - | - | ±10V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115EMT2L | 0.3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC115 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 20 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6114T2LQ | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-72形成铅 | 150兆 | VMN3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 2.5mA,25mA | 120 @ 2mA,6v | 130MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4713KT146R | 0.1007 | ![]() | 5704 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SC4713 | 200MW | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 6V | 50mA | NPN | 180 @ 5mA,5v | 800MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RV2C002UNT2L | 0.4600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | RV2C002 | MOSFET (金属 o化物) | VML1006 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 20 v | 180mA(TA) | 1.2V,4.5V | 2ohm @ 150mA,4.5V | 1V @ 100µA | ±10V | 12 pf @ 10 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||||||||||||||
SP8J4TB | - | ![]() | 4479 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8J4 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 2a | 235mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 1mA | 2.4NC @ 5V | 190pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS80TSX2HRC11 | 11.6100 | ![]() | 2889 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGS80 | 标准 | 555 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGS80TSX2HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,40a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 1200 v | 80 a | 120 a | 2.1V @ 15V,40a | 3MJ(在)上,3.1MJ(3.1MJ) | 104 NC | 49NS/199N | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114TUBTL | 0.0366 | ![]() | 6332 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA114 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH10NFHATN | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMH10 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113ZEBTL | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA113 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 5mA,5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | rrr040p03tl | 0.1351 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RRRRRRRRR040 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4A(ta) | 4V,10V | 45mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 1mA | 10.5 NC @ 5 V | ±20V | 1000 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2750NYTB | 6.9900 | ![]() | 5038 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | SCT2750 | sicfet (碳化硅) | TO-268 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 1700 v | 5.9a(TC) | 18V | 975MOHM @ 1.7A,18V | 4V @ 630µA | 17 NC @ 18 V | +22V,-6V | 275 PF @ 800 V | - | 57W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMST3904T146 | 0.3500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMST3904 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA024EMT2L | 0.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA024 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 30 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 60 @ 5mA,10v | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMD6NFHATR | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMD6 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA(ICBO) | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC143Z | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA143 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6X8TR | 0.5800 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6X8 | 400MW | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 1a | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 350mv @ 25mA,500mA | 270 @ 100mA,2V | 320MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | dtd114ect116 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTD114 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 56 @ 50mA,5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms |
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