SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
US6M2GTR Rohm Semiconductor US6M2GTR 0.6700
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-SMD,平坦的铅 US6M2 MOSFET (金属 o化物) 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V,20V 1.5a,1a 240MOHM @ 1.5A,4.5V,390MOHM @ 1A,4.5V 1.5V @ 1MA,2V @ 1MA 2.2nc @ 4.5V,2.1nc @ 4.5V 80pf @ 10V,150pf @ 10V -
SCT3022KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3022KLGC11 52.3500
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SCT3022 sicfet (碳化硅) TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 95A(TC) 18V 28.6mohm @ 36a,18v 5.6V @ 18.2mA 178 NC @ 10 V +22V,-4V 2879 PF @ 800 V - 427W
SH8M11TB1 Rohm Semiconductor SH8M11TB1 0.3152
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SH8M11 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 3.5a 98MOHM @ 3.5A,10V 2.5V @ 1mA 1.9nc @ 5V 85pf @ 10V 逻辑级别门
SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALGC11 116.8400
RFQ
ECAD 3059 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SCT3017 sicfet (碳化硅) TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-SCT3017ALGC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 118a(TC) 18V 22.1mohm @ 47a,18v 5.6V @ 23.5mA 172 NC @ 18 V +22V,-4V 2884 pf @ 500 V - 427W
2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR583D3FRATL 2.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 50 V 7 a 1µA(ICBO) NPN 350mv @ 150mA,3a 180 @ 1A,3V 280MHz
BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM250 (SIC) 1800W(TC) 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道(半桥) 1700V((1.7kV) 250A(TC) - 4V @ 66mA - 30000pf @ 10V -
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SP8K41 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA) 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-SP8K41HZGTBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 80V 3.4a(ta) 130MOHM @ 3.4A,10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 5V 600pf @ 10V -
EMH25FHAT2R Rohm Semiconductor EMH25FHAT2R 0.0572
RFQ
ECAD 7518 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SOT-563,SOT-666 EMH25 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
SCT4062KEC11 Rohm Semiconductor SCT4062KEC11 15.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SCT4062 sicfet (碳化硅) TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-SCT4062KEC11 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 26a(TC) 18V 81mohm @ 12a,18v 4.8V @ 6.45mA 64 NC @ 18 V +21V,-4V 1498 PF @ 800 V - 115W
2SAR573D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR573D3FRATL 1.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SAR573 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 50 V 3 a 1µA(ICBO) 400mv @ 50mA,1a 180 @ 100mA,3v
R6535ENZC8 Rohm Semiconductor R6535ENZC8 -
RFQ
ECAD 4858 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3 R6535 MOSFET (金属 o化物) to-3pf 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 846-R6535ENZC8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 35A(TC) 10V 115mohm @ 18.1a,10v 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 102W(TC)
RSM002N06T2L Rohm Semiconductor RSM002N06T2L 0.4300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-723 RSM002 MOSFET (金属 o化物) VMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 60 V 250mA(ta) 2.5V,10V 2.4OHM @ 250mA,10V 2.3V @ 1mA ±20V 15 pf @ 25 V - 150MW(TA)
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5.8000
RFQ
ECAD 385 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGT00 标准 277 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,10ohm,15V 54 ns 沟渠场停止 650 v 85 a 150 a 2.1V @ 15V,50a - 94 NC 42NS/137NS
MP6K13TCR Rohm Semiconductor mp6k13tcr -
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 6-SMD,平坦的铅 MP6K13 MOSFET (金属 o化物) 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道(双) 30V 6a 31mohm @ 6a,10v 2.5V @ 1mA 5NC @ 5V 350pf @ 10V 逻辑级别门
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor RQ3G110ATTB 1.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn RQ3G110 MOSFET (金属 o化物) 8-hsmt(3.2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V (11a)(ta),35a(tc) 4.5V,10V 12.4mohm @ 11a,10v 2.5V @ 1mA 46 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 20 V - 2W(TA)
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) RS3E MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 13A(TA) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 13A,10V 2.5V @ 2mA 83 NC @ 10 V ±20V 3730 PF @ 15 V - 1.4W(TA)
RSS100N03TB1 Rohm Semiconductor RSS100N03TB1 -
RFQ
ECAD 1719年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 846-RSS100N03TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10a(10a) 4V,10V 13.3mohm @ 10a,10v 2.5V @ 1mA 20 nc @ 5 V 20V 1070 pf @ 10 V - 2W(TA)
DTC024XMT2L Rohm Semiconductor DTC024XMT2L 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 DTC024 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 50 mA 500NA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,5mA 80 @ 5mA,10v 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
TT8J13TCR Rohm Semiconductor TT8J13TCR 0.2165
RFQ
ECAD 3914 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TT8J13 MOSFET (金属 o化物) 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 2.5a 62MOHM @ 2.5A,4.5V 1V @ 1mA 16nc @ 4.5V 2000pf @ 6V 逻辑级别门,1.5V
R6504KNXC7G Rohm Semiconductor R6504KNXC7G 2.5300
RFQ
ECAD 995 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 R6504 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-R6504KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A(ta) 10V 1.05OHM @ 1.5A,10V 5V @ 130µA 10 NC @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 40W(TC)
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor r6020jnjgtl 4.8900
RFQ
ECAD 940 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB R6020 MOSFET (金属 o化物) LPT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 20A(TC) 15V 234mohm @ 10a,15v 7V @ 3.5mA 45 NC @ 15 V ±30V 1500 pf @ 100 V - 252W(TC)
UMD9NFHATR Rohm Semiconductor UMD9NFHATR 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMD9 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 68 @ 5mA,5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor RQ5H020TNTL 0.9300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-96 RQ5H020 MOSFET (金属 o化物) TSMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 2A(TA) 2.5V,4.5V 180mohm @ 2a,4.v 1.5V @ 1mA 4.1 NC @ 4.5 V ±12V 200 pf @ 10 V - 700MW(TA)
RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor RQ6C050BCTCR 0.8900
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 RQ6C050 MOSFET (金属 o化物) TSMT6(SC-95) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 5A(TC) 4.5V 36mohm @ 5A,4.5V 1.2V @ 1mA 10.4 NC @ 4.5 V ±8V 740 pf @ 10 V - 1.25W(TC)
2SCR293PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PHZGT100 0.7700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2 w SOT-89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-2SCR293PHZGT100DKR Ear99 8541.29.0075 1,000 30 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 350mv @ 25mA,500mA 270 @ 100mA,2V 320MHz
RQ5A020ZPTL Rohm Semiconductor RQ5A020ZPTL 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-96 RQ5A020 MOSFET (金属 o化物) TSMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 2A(TA) 1.5V,4.5V 105MOHM @ 2A,4.5V 1V @ 1mA 6.5 NC @ 4.5 V ±10V 770 pf @ 6 V - 700MW(TA)
QSZ4TR Rohm Semiconductor QSZ4TR 0.2459
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-5薄,TSOT-23-5 QSZ4 500MW TSMT5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 30V 2a 100NA(ICBO) NPN,PNP (发射器耦合) 370MV @ 75mA,1.5a 270 @ 200ma,2V 280MHz
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
ECAD 5388 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGW80 标准 214 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RGW80TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V,20a,10ohm,15V 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V,40a 110 NC 42NS/148NS
2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SA1576U3HZGT106R 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SA1576 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 5mA,5mA 120 @ 1mA,6v 140MHz
2SAR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR554PHZGT100 0.6800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 80 V 1.5 a 1µA(ICBO) PNP 400mv @ 25mA,500mA 120 @ 100mA,3v 340MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库