电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | US6M2GTR | 0.6700 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6M2 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V,20V | 1.5a,1a | 240MOHM @ 1.5A,4.5V,390MOHM @ 1A,4.5V | 1.5V @ 1MA,2V @ 1MA | 2.2nc @ 4.5V,2.1nc @ 4.5V | 80pf @ 10V,150pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3022KLGC11 | 52.3500 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT3022 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 95A(TC) | 18V | 28.6mohm @ 36a,18v | 5.6V @ 18.2mA | 178 NC @ 10 V | +22V,-4V | 2879 PF @ 800 V | - | 427W | ||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M11TB1 | 0.3152 | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8M11 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 3.5a | 98MOHM @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 1.9nc @ 5V | 85pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3017ALGC11 | 116.8400 | ![]() | 3059 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT3017 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT3017ALGC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 118a(TC) | 18V | 22.1mohm @ 47a,18v | 5.6V @ 23.5mA | 172 NC @ 18 V | +22V,-4V | 2884 pf @ 500 V | - | 427W | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR583D3FRATL | 2.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 50 V | 7 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 150mA,3a | 180 @ 1A,3V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BSM250D17P2E004 | 1.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM250 | (SIC) | 1800W(TC) | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道(半桥) | 1700V((1.7kV) | 250A(TC) | - | 4V @ 66mA | - | 30000pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
SP8K41HZGTB | 2.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K41 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SP8K41HZGTBTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 80V | 3.4a(ta) | 130MOHM @ 3.4A,10V | 2.5V @ 1mA | 6.6nc @ 5V | 600pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH25FHAT2R | 0.0572 | ![]() | 7518 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMH25 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | - | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4062KEC11 | 15.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT4062 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT4062KEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 1200 v | 26a(TC) | 18V | 81mohm @ 12a,18v | 4.8V @ 6.45mA | 64 NC @ 18 V | +21V,-4V | 1498 PF @ 800 V | - | 115W | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR573D3FRATL | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SAR573 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 50 V | 3 a | 1µA(ICBO) | 400mv @ 50mA,1a | 180 @ 100mA,3v | ||||||||||||||||||||||||||||
R6535ENZC8 | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6535 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 846-R6535ENZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 35A(TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a,10v | 4V @ 1.21MA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 25 V | - | 102W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSM002N06T2L | 0.4300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | RSM002 | MOSFET (金属 o化物) | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 60 V | 250mA(ta) | 2.5V,10V | 2.4OHM @ 250mA,10V | 2.3V @ 1mA | ±20V | 15 pf @ 25 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGT00TS65DGC11 | 5.8000 | ![]() | 385 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGT00 | 标准 | 277 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 54 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 85 a | 150 a | 2.1V @ 15V,50a | - | 94 NC | 42NS/137NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | mp6k13tcr | - | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MP6K13 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 6a | 31mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 1mA | 5NC @ 5V | 350pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3G110ATTB | 1.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3G110 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | (11a)(ta),35a(tc) | 4.5V,10V | 12.4mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 1mA | 46 NC @ 10 V | ±20V | 2750 pf @ 20 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
RS3E130ATTB1 | 2.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RS3E | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 13A(TA) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 13A,10V | 2.5V @ 2mA | 83 NC @ 10 V | ±20V | 3730 PF @ 15 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||||||||||
RSS100N03TB1 | - | ![]() | 1719年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RSS100N03TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 13.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 5 V | 20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC024XMT2L | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC024 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TT8J13TCR | 0.2165 | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8J13 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 2.5a | 62MOHM @ 2.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 16nc @ 4.5V | 2000pf @ 6V | 逻辑级别门,1.5V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6504KNXC7G | 2.5300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6504 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6504KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 4A(ta) | 10V | 1.05OHM @ 1.5A,10V | 5V @ 130µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | r6020jnjgtl | 4.8900 | ![]() | 940 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 15V | 234mohm @ 10a,15v | 7V @ 3.5mA | 45 NC @ 15 V | ±30V | 1500 pf @ 100 V | - | 252W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UMD9NFHATR | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMD9 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5H020TNTL | 0.9300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5H020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 2A(TA) | 2.5V,4.5V | 180mohm @ 2a,4.v | 1.5V @ 1mA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 200 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6C050BCTCR | 0.8900 | ![]() | 4833 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RQ6C050 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5A(TC) | 4.5V | 36mohm @ 5A,4.5V | 1.2V @ 1mA | 10.4 NC @ 4.5 V | ±8V | 740 pf @ 10 V | - | 1.25W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR293PHZGT100 | 0.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2 w | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-2SCR293PHZGT100DKR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 25mA,500mA | 270 @ 100mA,2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5A020ZPTL | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5A020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 2A(TA) | 1.5V,4.5V | 105MOHM @ 2A,4.5V | 1V @ 1mA | 6.5 NC @ 4.5 V | ±10V | 770 pf @ 6 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QSZ4TR | 0.2459 | ![]() | 9660 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | QSZ4 | 500MW | TSMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30V | 2a | 100NA(ICBO) | NPN,PNP (发射器耦合) | 370MV @ 75mA,1.5a | 270 @ 200ma,2V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65HRC11 | 6.9900 | ![]() | 5388 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW80 | 标准 | 214 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGW80TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,20a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 80 a | 160 a | 1.9V @ 15V,40a | 110 NC | 42NS/148NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1576U3HZGT106R | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SA1576 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,5mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PHZGT100 | 0.6800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 1.5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 25mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 340MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库