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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH50TS65DGC13 5.6800
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH50 标准 174 w TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGTH50TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/94NS
RDD050N20TL Rohm Semiconductor RDD050N20TL 1.6700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RDD050 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 5A（5A） 10V 720MOHM @ 2.5A，10V 4V @ 1mA 9.3 NC @ 10 V ±30V 292 PF @ 10 V - 20W（TC）
RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor RQ1E070RPTR 1.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RQ1E070 MOSFET （金属 o化物） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 7a（ta） 4V，10V 17MOHM @ 7A，10V 2.5V @ 1mA 26 NC @ 5 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 550MW（TA）
DTA115TCAT116 Rohm Semiconductor DTA115TCAT116 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA115 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 100µA，1mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 100 kohms
R6004ENJTL Rohm Semiconductor r6004enjtl 1.4300
RFQ
 ECAD 3511 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R6004 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 4A（TC） 10V 980MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 40W（TC）
2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR512P5T100 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR512 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 35mA，700mA 200 @ 100mA，2V 430MHz
DTC024XEBTL Rohm Semiconductor DTC024XEBTL 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTC024 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
2SA933ASTPQ Rohm Semiconductor 2SA933333 -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 Rohm半导体 - （CT） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 2SA933 300兆 spt - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 140MHz
RGTV00TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV00TK65DGC11 7.7700
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGTV00 标准 94 W to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，50a，10ohm，15V 102 ns 沟渠场停止 650 v 45 a 200 a 1.9V @ 15V，50a （1.17MJ）（在），940µJ降低） 104 NC 41NS/142NS
DTA143EUAT106 Rohm Semiconductor DTA143EUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-70，SOT-323 DTA143 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RUF025N02TL Rohm Semiconductor RUF025N02TL 0.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RUF025 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.5a（ta） 1.5V，4.5V 54mohm @ 2.5a，4.5V 1.3V @ 1mA 5 NC @ 4.5 V ±10V 370 pf @ 10 V - 320MW（TA）
2SD2351T106V Rohm Semiconductor 2SD2351T106V 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SD2351 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 300NA（ICBO） NPN 300mv @ 5mA，50mA 820 @ 1mA，5v 250MHz
R6530ENXC7G Rohm Semiconductor R6530ENXC7G 6.6700
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6530 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6530ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 30a（TA） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 86W（TC）
SP8K22FRATB Rohm Semiconductor SP8K22FRATB 0.8080
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K22 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 45V 4.5A（ta） 46mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5V 550pf @ 10V -
EMB9T2R Rohm Semiconductor EMB9T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB9T2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
DTA143XMT2L Rohm Semiconductor DTA143XMT2L 0.0615
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA143 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RRF015P03TL Rohm Semiconductor RRF015P03TL 0.4900
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RRF015 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 1.5A（TA） 4V，10V 160MOHM @ 1.5A，10V 2.5V @ 1mA 6.4 NC @ 10 V ±20V 230 pf @ 10 V - 320MW（TA）
US5U35TR Rohm Semiconductor US5U35TR 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 US5U35 MOSFET （金属 o化物） Tumt5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 45 v 700mA（TA） 4V，10V 800mohm @ 700mA，10v 2.5V @ 1mA 1.7 NC @ 5 V ±20V 120 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1W（ta）
DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD113Zchzgt116 0.2800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTD113 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 500 MA - npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 82 @ 50mA，5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
2SD2657KT146 Rohm Semiconductor 2SD2657KT146 0.4300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SD2657 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 1.5 a 100NA（ICBO） NPN 350mv @ 50mA，1a 270 @ 100mA，2V 330MHz
DTC114EEFRATL Rohm Semiconductor DTC114EEFRATL 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC114 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 500NA npn-预先偏见 300MV @ 500NA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SB1565FU6E Rohm Semiconductor 2SB1565FU6E -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2 w TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 60 V 3 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 200mA，2a 100 @ 500mA，5V 15MHz
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor RU1C001ZPTL 0.2900
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-85 RU1C001 MOSFET （金属 o化物） UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v （100mA）（TA） 1.2V，4.5V 3.8OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA ±10V 15 pf @ 10 V - 150MW（TA）
EMB11FHAT2R Rohm Semiconductor EMB11FHAT2R 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 Emb11 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 PNP-） 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
DTC014TUBTL Rohm Semiconductor DTC014TUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTC014 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 100 @ 5mA，10v 250 MHz 10 kohms
2SC4081UBTLR Rohm Semiconductor 2SC4081UBTLR 0.2300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-85 2SC4081 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
RS1P600BETB1 Rohm Semiconductor RS1P600BETB1 2.8000
RFQ
 ECAD 1910 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1P MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 17.5A（TA），60a （TC） 10V 9.7MOHM @ 17.5A，10V 4V @ 500µA 33 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 50 V - 3W（3），35W（tc）（TC）
DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTB114ECHZGT116 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB114 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
DTB123YKT146 Rohm Semiconductor DTB123YKT146 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB123 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
DTC114YUBTL Rohm Semiconductor dtc114yubtl 0.2000
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-85 DTC114 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 70 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
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