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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RW1E015RPT2R Rohm Semiconductor RW1E015RPT2R -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RW1E015 MOSFET （金属 o化物） 6-Wemt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 30 V 1.5A（TA） 4V，10V 160MOHM @ 1.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.2 NC @ 5 V ±20V 230 pf @ 10 V - 400MW（TA）
R5005CNX Rohm Semiconductor R5005CNX 0.7800
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R5005 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 5A（TC） 10V 1.6OHM @ 2.5A，10V 4.5V @ 1mA 10.8 NC @ 10 V ±30V 320 pf @ 25 V - 40W（TC）
2SD2227STPV Rohm Semiconductor 2SD2227STPV -
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 2SD2227 300兆 spt - rohs3符合条件 到达不受影响 846-2SD2227STPVTR 5,000 50 V 150 ma 300NA NPN 800mv @ 200mA，2a 120 @ 500mA，3v
EMB10FHAT2R Rohm Semiconductor EMB10FHAT2R -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB10 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RGTH60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH60TS65DGC11 2.3755
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH60 标准 194 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 58 a 120 a 2.1V @ 15V，30a - 58 NC 27NS/105NS
EMD9FHAT2R Rohm Semiconductor EMD9FHAT2R 0.0630
RFQ
 ECAD 8631 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMD9FHAT2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
2SA1774EBTLR Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLR 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 2SA1774 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 140MHz
RSJ300N10TL Rohm Semiconductor RSJ300N10TL 1.0292
RFQ
 ECAD 1665年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ300 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 30a（TA） 4V，10V 52MOHM @ 15A，10V 2.5V @ 1mA 50 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 50W（TC）
R6013VNXC7G Rohm Semiconductor R6013VNXC7G 3.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6013vn MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 （1 （无限） 846-R6013VNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 8A（TC） 10V，15V 300mohm @ 3a，15v 6.5V @ 500µA 21 NC @ 10 V ±30V 900 PF @ 100 V - 54W（TC）
DTC143ZE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143ZE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC143 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
ES6U42T2R Rohm Semiconductor ES6U42T2R -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） 6-Wemt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 1A（1A） 2.5V，4.5V 390MOHM @ 1A，4.5V 2V @ 1mA 2.1 NC @ 4.5 V ±12V 150 pf @ 10 V （（（） 700MW（TA）
BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor BSS84WAHZGT106 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 MOSFET （金属 o化物） UMT3 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 60 V 210mA（ta） 4.5V，10V 5.3OHM @ 210mA，10V 2.5V @ 100µA ±20V 34 pf @ 30 V - 300MW（TA）
RAF040P01TCL Rohm Semiconductor RAF040P01TCL 0.5600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RAF040 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 30mohm @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 37 NC @ 4.5 V -8V 4000 pf @ 6 V - 800MW（TA）
2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR582D3TL1 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 30 V 10 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 200mA，4a 200 @ 1a，3v 230MHz
RF4E080BNTR Rohm Semiconductor RF4E080BNTR 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn RF4E080 MOSFET （金属 o化物） HUML2020L8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8a（8a） 4.5V，10V 17.6mohm @ 8a，10v 2V @ 250µA 14.5 NC @ 10 V ±20V 660 pf @ 15 V - 2W（TA）
SCT3030ARC15 Rohm Semiconductor SCT3030ARC15 26.2700
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3030 MOSFET （金属 o化物） TO-247-4L 下载 3（168）） 到达不受影响 846-SCT3030ARC15 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 650 v 70A（TC） 18V 39mohm @ 27a，18v 5.6V @ 13.3mA 104 NC @ 18 V +22V，-4V 1526 pf @ 500 V - 262W
RDX060N60FU6 Rohm Semiconductor RDX060N60FU6 -
RFQ
 ECAD 1754年 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RDX060 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 6a（6a） 10V 1.2OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 950 pf @ 25 V - 40W（TC）
RSQ030P03TR Rohm Semiconductor RSQ030P03TR 0.2862
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RSQ030 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 3A（3A） 4V，10V 80mohm @ 3a，10v 2.5V @ 1mA 6 NC @ 5 V ±20V 440 pf @ 10 V - 1.25W（TA）
DTA114GKAT146 Rohm Semiconductor DTA114GKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA114 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms
DTA113ZMT2L Rohm Semiconductor DTA113ZMT2L 0.3500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA113 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 5mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
DTA144EE3TL Rohm Semiconductor DTA144EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTC144E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA144 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn- +二极管 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
BSS64T116 Rohm Semiconductor BSS64T116 -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 350兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 ma 100NA（ICBO） NPN 300mv @ 10mA，100mA 30 @ 25mA，1V 140MHz
R6018VNXC7G Rohm Semiconductor R6018VNXC7G 3.5600
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6018 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6018VNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A（TC） 10V，15V 204MOHM @ 4A，15V 6.5V @ 600µA 27 NC @ 10 V ±30V 1250 pf @ 100 V - 61W（TC）
DTC144EE3TL Rohm Semiconductor DTC144EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTA143T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC144 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
DTC015EUBTL Rohm Semiconductor DTC015EUBTL 0.0536
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 Rohm半导体 DTC015E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTC015 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 100mV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250 MHz 100 kohms 100 kohms
R6030ENZC8 Rohm Semiconductor R6030ENZC8 -
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 600 v 30A（TC） 10V 130MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 1mA 85 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 120W（TC）
RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor RD3H200SNFRATL 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3H200 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 20A（TA） 4V，10V 28mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 V ±20V 950 pf @ 10 V - 20W（TC）
R6030ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6030ENZ4C13 9.6100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6030 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6030ENZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 130MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 1mA 85 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 305W（TC）
RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor RQ3P300BETB1 -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3P300 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 10a（10a），36a （TC） 10V 21mohm @ 10a，10v 4V @ 200µA 19.1 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 50 V - 2W（TA），32W（32W）TC）
SP8M21HZGTB Rohm Semiconductor SP8M21HZGTB 2.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M21 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 6a（6a），4a ta（4a ta） 25mohm @ 6a，10v，46mohm @ 4a，10v 2.5V @ 1mA 21.6nc @ 5v，28nc @ 5v 1400pf @ 10V，2400pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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