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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SD1768STPR Rohm Semiconductor 2SD1768STPR -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-72形成铅 300兆 spt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 80 V 1 a 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 20mA，500mA 120 @ 500mA，3v 100MHz
RCJ451N20TL Rohm Semiconductor RCJ451N20TL 4.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ451 MOSFET （金属 o化物） TO-263S 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 45A（TC） 10V 55mohm @ 22.5a，10v 5V @ 1mA 80 NC @ 10 V ±30V 4200 PF @ 25 V - 1.56W（TA），211W（tc）
DTA123JUBTL Rohm Semiconductor DTA123JUBTL 0.0366
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-85 DTA123 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
SCT3080KRC14 Rohm Semiconductor SCT3080KRC14 17.1400
RFQ
 ECAD 708 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3080 sicfet （碳化硅） TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 31a（TC） 18V 104mohm @ 10a，18v 5.6V @ 5mA 60 NC @ 18 V +22V，-4V 785 PF @ 800 V - 165W
DTA143EEBTL Rohm Semiconductor DTA143EEBTL 0.0488
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Rohm半导体 DTA143E 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA143 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp- +二极管 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
R5011FNJTL Rohm Semiconductor R5011fnjtl 1.0414
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R5011 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 11A（TC） 10V 520MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 950 pf @ 25 V - 50W（TC）
R5021ANJTL Rohm Semiconductor R5021anjtl 3.4663
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB R5021 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 21a（TC） 220MOHM @ 10.5A，10V 4.5V @ 1mA 64 NC @ 10 V 2300 PF @ 25 V - 100W（TC）
DTC124TETL Rohm Semiconductor DTC124TETL 0.0954
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 Rohm半导体 DTC124T 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC124 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
SP8M10TB Rohm Semiconductor SP8M10TB -
RFQ
 ECAD 3383 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M10 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a，4.5a 25mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 8.4nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
QS5U36TR Rohm Semiconductor QS5U36TR 0.6200
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-5薄，TSOT-23-5 QS5U36 MOSFET （金属 o化物） TSMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 2.5a（ta） 1.5V，4.5V 81MOHM @ 2.5A，4.5V 1.3V @ 1mA 3.5 NC @ 4.5 V ±10V 280 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1.25W（TA）
DTA124XETL Rohm Semiconductor DTA124XETL 0.3800
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA124 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
DTA014TEBTL Rohm Semiconductor DTA014TEBTL 0.0351
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Rohm半导体 DTA014T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA014 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 100 @ 5mA，10v 250 MHz 10 kohms
UT6JE5TCR Rohm Semiconductor UT6JE5TCR 0.6200
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HUML2020L8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3,000 n和p通道 100V 1A（1A） 840MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 1mA 6.7nc @ 10V 90pf @ 50V 标准
RCJ330N25TL Rohm Semiconductor RCJ330N25TL 1.6560
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ330 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 33A（TC） 10V 105MOHM @ 16.5A，10V 5V @ 1mA 80 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 1.56W（ta），40W（TC）
DTA124EUBTL Rohm Semiconductor DTA124EUBTL 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-85 DTA124 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 30 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor RQ3L050GNTB 0.8300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3L050 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 12A（TC） 4.5V，10V 61MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 25µA 2.8 NC @ 4.5 V ±20V 300 pf @ 30 V - 14.8W（TC）
DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor DTC115GU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTC115 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms
R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6047ENZ4C13 14.5600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6047 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6047ENZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 47A（TC） 10V 72MOHM @ 25.8A，10V 4V @ 1mA 145 NC @ 10 V ±20V 3850 pf @ 25 V - 481W（TC）
DTA114TUAT106 Rohm Semiconductor DTA114TUAT106 0.0463
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-70，SOT-323 DTA114 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 1mA，10mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
UMH1NTN Rohm Semiconductor umh1ntn 0.0992
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMH1 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
VT6T1T2R Rohm Semiconductor VT6T1T2R 0.1045
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 VT6T1 150MW VMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 1mA，6v 350MHz
RSJ301N10FRATL Rohm Semiconductor RSJ301N10FRATL 2.6500
RFQ
 ECAD 935 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ301 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 30a（TA） 4V，10V 46mohm @ 15a，10v 2.5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 50W（TA）
SCT2080KEC Rohm Semiconductor SCT2080KEC -
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT2080 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SCT2080KECU Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 40a（TC） 18V 117mohm @ 10a，18v 4V @ 4.4mA 106 NC @ 18 V +22V，-6V 2080 pf @ 800 V - 262W（TC）
R6015KNXC7G Rohm Semiconductor R6015knxc7g 3.8300
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6015 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6015knxc7g Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15A（TC） 10V 290MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 1mA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W（TC）
2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR582D3TL1 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 30 V 10 a 1µA（ICBO） NPN 350mv @ 200mA，4a 200 @ 1a，3v 250MHz
RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC13 9.8900
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGT50 标准 174 w TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGT50TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/88NS
2SK2299N Rohm Semiconductor 2SK2299N -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK2299 MOSFET （金属 o化物） TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 450 v 7a（ta） 10V 1.1OHM @ 4A，10V 4V @ 1mA ±30V 870 pf @ 10 V - 30W（TC）
RQ3G150GNTB Rohm Semiconductor RQ3G150GNTB 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3G150 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 39A（TC） 10V 7.2MOHM @ 15A，10V 2.5V @ 1mA 11.6 NC @ 4.5 V ±20V 1450 pf @ 20 V - 20W（TC）
DTC114EUBTL Rohm Semiconductor dtc114eubtl 0.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SC-85 DTC114 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor SP8M6HZGTB 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5A（5A），3.5a ta（3.5A） 51MOHM @ 5A，10V，90MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v，5.5nc @ 5V 230pf @ 10V，490pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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