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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RSQ030P03TR | 0.2862 | ![]() | 6408 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RSQ030 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3A(3A) | 4V,10V | 80mohm @ 3a,10v | 2.5V @ 1mA | 6 NC @ 5 V | ±20V | 440 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC144E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA144 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn- +二极管 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDX060N60FU6 | - | ![]() | 1754年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RDX060 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 6a(6a) | 10V | 1.2OHM @ 3A,10V | 4V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 950 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114GKAT146 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA114 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ451N20TL | 4.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | RCJ451 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 45A(TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a,10v | 5V @ 1mA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 4200 PF @ 25 V | - | 1.56W(TA),211W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA143T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC144 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JUBTL | 0.0366 | ![]() | 7671 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTA123 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC015EUBTL | 0.0536 | ![]() | 9885 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC015E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | DTC015 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 100mV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6018VNXC7G | 3.5600 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6018 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6018VNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V,15V | 204MOHM @ 4A,15V | 6.5V @ 600µA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 1250 pf @ 100 V | - | 61W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | R6030ENZ4C13 | 9.6100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6030ENZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 130MOHM @ 14.5A,10V | 4V @ 1mA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 305W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ3P300BETB1 | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3P300 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 10a(10a),36a (TC) | 10V | 21mohm @ 10a,10v | 4V @ 200µA | 19.1 NC @ 10 V | ±20V | 1250 pf @ 50 V | - | 2W(TA),32W(32W)TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RD3H200SNFRATL | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3H200 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 45 v | 20A(TA) | 4V,10V | 28mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 1mA | 12 nc @ 5 V | ±20V | 950 pf @ 10 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||
R6030ENZC8 | - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 130MOHM @ 14.5A,10V | 4V @ 1mA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 120W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080KRC14 | 17.1400 | ![]() | 708 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT3080 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 31a(TC) | 18V | 104mohm @ 10a,18v | 5.6V @ 5mA | 60 NC @ 18 V | +22V,-4V | 785 PF @ 800 V | - | 165W | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EEBTL | 0.0488 | ![]() | 5606 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA143E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA143 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp- +二极管 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMD9FHAT2R | 0.0630 | ![]() | 8631 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMD9FHAT2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | - | 100mA | - | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774EBTLR | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 2SA1774 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65CHRC11 | 13.2900 | ![]() | 8418 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW80 | 标准 | 214 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGW80TS65CHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,20a,10ohm,15V | 33 ns | - | 650 v | 81 a | 160 a | 1.9V @ 15V,40a | (120µJ)(在340µJ上) | 110 NC | 43NS/145NS | |||||||||||||||||||||
![]() | R6509knjtl | 3.4100 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | R6509 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 9A(TC) | 10V | 585MOHM @ 2.8A,10V | 5V @ 230µA | 16.5 NC @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W(TC) | ||||||||||||||||||||||
SH8K3TB1 | 0.6262 | ![]() | 1135 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8K3 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 7a(ta) | 24mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 11.8nc @ 5V | 600pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB523YE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTB523 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | pnp- +二极管 | 300mv @ 5mA,100mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RP1A090ZPTR | - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RP1A090 | MOSFET (金属 o化物) | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 12 v | 9a(9a) | 1.5V,4.5V | 12MOHM @ 9A,4.5V | 1V @ 1mA | 59 NC @ 4.5 V | ±10V | 7400 PF @ 6 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC143X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA143 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn- +二极管 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSH070P05TB1 | 1.9000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSH070 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 7a(ta) | 4V,10V | 27mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 47.6 NC @ 5 V | ±20V | 4100 PF @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SCR502 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 MA | 200NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,200mA | 200 @ 100mA,2V | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | sct4062kwahrtl | 10.7400 | ![]() | 8824 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | SIC (硅碳化物交界晶体管) | TO-263-7LA | - | (1 (无限) | 1,000 | n通道 | 1200 v | 24A(TC) | 18V | 81mohm @ 12a,18v | 4.8V @ 6.45mA | 64 NC @ 18 V | +21V,-4V | 1498 PF @ 800 V | - | 93W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115TKAT146 | 0.0463 | ![]() | 9560 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA115T | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA115 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 100µA,1mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
RRH090P03GZETB | 1.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RRH090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9a(9a) | 4V,10V | 15.4mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 10 V | - | 650MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | EMD72T2R | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMD72 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144TMT2L | 0.0572 | ![]() | 6487 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC144 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 |
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