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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SD1781KT146R	0.4100	RFQ	44	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD1781			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																32 v	800 MA						500NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	150MHz
dtc143xubtl	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-85	DTC143			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
RU1E002SPTCL	0.3600	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-85	RU1E002		MOSFET （金属 o化物）		UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	250mA（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 250mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
RK3055ETL	-	RFQ	6917	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RK3055		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	8a（8a）	10V	150MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA		±20V	520 pf @ 10 V	-	20W（TC）
DTC143EU3T106	0.2000	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC143			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						-	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
FMW4T148	0.2136	RFQ	2533	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				FMW4T148					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
RSR020N06HZGTL	0.5900	RFQ	8	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RSR020		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	2A（TA）	4V，10V	170MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	2.7 NC @ 5 V	±20V	180 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SCT3080KLGC11	21.1100	RFQ	3851	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3080		sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	31a（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	60 NC @ 18 V	+22V，-4V	785 PF @ 800 V	-	165W（TC）
SH8JE5TB1	2.4200	RFQ	6852	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8JE5		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载		（1 （无限）					2,500	2个p通道			100V	4.5A（ta）		9.1MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	52NC @ 10V		2100pf @ 50V	标准
RTL035N03FRATR	0.4200	RFQ	11	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RTL035		MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	56mohm @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.4 NC @ 4.5 V		350 pf @ 10 V	-	1W（ta）
DTD713ZMT2L	0.3700	RFQ	20	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	DTD713			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																30 V	200 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	1 kohms	10 kohms
BSS64AT116	0.3500	RFQ	401	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS64			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																100 v	100 ma						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	30 @ 25mA，1V	140MHz
RYC002N05T316	0.3800	RFQ	54	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RYC002		MOSFET （金属 o化物）		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		50 V	200ma（ta）	4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	800mv @ 1mA		±8V	26 pf @ 10 V	-	350MW（TC）
RCJ100N25TL	0.8404	RFQ	9128	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ100		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道		250 v	10A（TC）	10V	320MOHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	26.5 NC @ 10 V	±30V	1440 pf @ 25 V	-	1.56W（ta），85W（tc）
DTA123YE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA114T	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA123			150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
DTC114YMT2L	0.4100	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC114			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50 V	70 MA						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
R5011ANX	-	RFQ	5279	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R5011		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		500 v	11a（11a）	10V	500MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SCR552P5T100	0.5500	RFQ	126	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR552			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																30 V	3 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	280MHz
EMH52T2R	0.3900	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH52			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	47kohms	47kohms
RGT8NL65DGTL	2.0700	RFQ	972	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RGT8NL65	标准		65 w	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，4A，50OHM，15V											40 ns	沟渠场停止	650 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	-	13.5 NC	17ns/69ns
DTC013ZEBTL	0.2600	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC013			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	30 @ 5mA，10v	250 MHz	1 kohms	10 kohms
DTA124EE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA124			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA124EE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
QH8MA4TCR	0.9000	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8MA4		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			30V	9a，8a		16mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	15.5nc @ 10V		640pf @ 15V	-
SP8M51HZGTB	1.6600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M51		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			100V	3A（3A），2.5A（2.5A）		170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v		610pf @ 25V，1550pf @ 25V	-
QS8J5TR	1.6000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8J5		MOSFET （金属 o化物）	600MW	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			30V	5a		39mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	19nc @ 10V		1100pf @ 10V	逻辑级别门
DTA144WCAT116	0.3700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA144			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
DTC143TKAT146	0.2700	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC143			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
dtc013zubtl	0.2700	RFQ	143	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-85	DTC013			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	30 @ 5mA，10v	250 MHz	1 kohms	10 kohms
R6020knx	2.8500	RFQ	431	Rohm半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6020		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IMB4AT110	0.1067	RFQ	1573年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-74，SOT-457	IMB4			300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						-	2 PNP-）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²