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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DTC115TUAT106	0.0463	RFQ	1472	Rohm半导体	DTC115T	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC115			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	100 kohms
BSS138WT106	0.5000	RFQ	2	Rohm半导体	Optimos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		UMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		60 V	310mA ta）	2.5V，10V	2.4OHM @ 310mA，10V	2.3V @ 1mA		±20V	15 pf @ 30 V	-	200mw（ta）
umh8ntr	0.1479	RFQ	3129	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMH8			150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50V	100mA						500NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
RQ6P015SPTR	0.8000	RFQ	13	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6P015		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		100 v	1.5A（TA）	4V，10V	470MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	322 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	600MW（TA）
R6020knz4c13	7.9200	RFQ	442	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6020		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6020KNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	231W（TC）
2SCR553PHZGT100	0.6400	RFQ	620	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															50 V	2 a						1µA（ICBO）	NPN	350mv @ 35mA，700mA	180 @ 50mA，2V	360MHz
DTA143XEBTL	0.0488	RFQ	9410	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA143			150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
IMX17T108	0.1807	RFQ	8955	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMX17			300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50V	500mA						100NA（ICBO）	2 NPN （双）	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	250MHz
RGT60TS65DGC13	10.5100	RFQ	8559	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGT60	标准		194 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGT60TS65DGC13	Ear99	8541.29.0095	600		400V，30a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	-	58 NC	29n/100ns
DTD513ZE3TL	0.4000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTD513			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000															12 v	500 MA						500NA	npn- +二极管	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	1 kohms	10 kohms
RSJ151P10TL	1.5500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	RSJ151		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道		100 v	15A（TC）	4V，10V	120mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	1.35W（TA），50W（TC）
DTC114WKAT146	0.0561	RFQ	9231	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	24 @ 10mA，5v	250 MHz	10 kohms	4.7科姆斯
R6524knjtl	6.6500	RFQ	5561	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	R6524		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		650 v	24A（TC）	10V	185mohm @ 11.3a，10v	5V @ 750µA	45 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	245W（TC）
RQ3E100ATTB	0.8800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3E100		MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		30 V	10a（10A），31a （TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	42 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IMX5T108	0.1434	RFQ	8919	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				IMX5					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
RSR030N06HZGTL	0.7700	RFQ	22	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RSR030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		60 V	3A（3A）	4V，10V	85mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	5 nc @ 5 V	±20V	380 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
RHK005N03T146	0.1282	RFQ	2284	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RHK005		MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		30 V	500mA（ta）	4V，10V	550MOHM @ 500mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	45 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
DTB114GCT116	0.3700	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB114			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	500 MA						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	56 @ 50mA，5V	200 MHz		10 kohms
RQ5E065AJTCL	0.7600	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E065		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		30 V	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	18.1MOHM @ 6.5A，4.5V	1.5V @ 2mA	12.2 NC @ 4.5 V	±12V	1370 pf @ 15 V	-	760MW（TA）
DTC144TMFHAT2L	0.0668	RFQ	2095	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	DTC144			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000															50 V	100 ma						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
RSQ035N03TR	0.7700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RSQ035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	3.5A（ta）	4V，10V	62MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	7.4 NC @ 5 V	20V	290 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
2SAR572D3FRATL	1.6300	RFQ	832	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SAR572			10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500															30 V	5 a						1µA（ICBO）		400mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，3V
RS6P100BHTB1	3.2200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-RS6P100BHTB1DKR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	5.9MOHM @ 90A，10V	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 50 V	-	104W（TC）
DTC143TMFHAT2L	0.2700	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	DTC143			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000															50 V	100 ma						500NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
RX3R10BBHC16	8.1700	RFQ	2649	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3R10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-RX3R10BBHC16	Ear99	8541.29.0095	100	n通道		150 v	105A（TC）	6V，10V	8.8mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	7550 PF @ 75 V	-	181W（TC）
2SC4082T106P	0.4900	RFQ	5648	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4082			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															20 v	50 mA						500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 4mA，20mA	82 @ 10mA，10v	1.5GHz
EMG8T2R	0.3900	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	EMG8T2			150MW	EMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000															50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
R6007KND3TL1	0.8500	RFQ	1775年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					TO-252	-		（1 （无限）					2,500
EMT51T2R	0.4700	RFQ	74	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMT51			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000															20V	200mA						100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	350MHz
BSS84T116	0.4300	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS84		MOSFET （金属 o化物）		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5.3OHM @ 230mA，10V	2.5V @ 100µA		±20V	34 pf @ 30 V	-	200mw（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²