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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RE1C001ZPTL | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | RE1C001 | MOSFET (金属 o化物) | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 1.2V,4.5V | 3.8OHM @ 100mA,4.5V | 1V @ 100µA | ±10V | 15 pf @ 10 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65DHRC11 | 5.4900 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGS00 | 标准 | 326 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 103 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 88 a | 150 a | 2.1V @ 15V,50a | 1.46mj(在)上,1.29mj off) | 58 NC | 36NS/115NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3L090GNTB | 1.4800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3L090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | (9A)(ta),30a (TC) | 4.5V,10V | 13.9mohm @ 9a,10v | 2.7V @ 300µA | 24.5 NC @ 10 V | ±20V | 1260 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | rj1g08cgntll | 2.1300 | ![]() | 960 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | RJ1G08 | MOSFET (金属 o化物) | lptl | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 80a(ta) | 4.5V,10V | 5.6mohm @ 80a,10v | 2.5V @ 500µA | 31.1 NC @ 10 V | ±20V | 2410 pf @ 20 V | - | 78W(ta) | ||||||||||||||||||||||
SP8M21HZGTB | 2.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M21 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 45V | 6a(6a),4a ta(4a ta) | 25mohm @ 6a,10v,46mohm @ 4a,10v | 2.5V @ 1mA | 21.6nc @ 5v,28nc @ 5v | 1400pf @ 10V,2400pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR533PHZGT100 | 0.6700 | ![]() | 810 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 3 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 50mA,1a | 180 @ 50mA,3v | 320MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR523V1T2L | - | ![]() | 8347 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 8,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA115 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-DTA115EE3HZGTLDKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3P07BBHC16 | 3.8800 | ![]() | 2063 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3P07 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 846-RX3P07BBHC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 80a(ta),70a(tc) | 6V,10V | 8.4MOHM @ 70A,10V | 4V @ 1mA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 2410 PF @ 50 V | - | 89w(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L050SNTL1 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3L050 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 5A(5A) | 4V,10V | 109MOHM @ 5A,10V | 3V @ 1mA | 8 nc @ 10 V | ±20V | 290 pf @ 10 V | - | 15W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113ZUAT106 | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA113 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 5mA,5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6042JNZ4C13 | 12.3900 | ![]() | 159 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6042 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 42A(TC) | 15V | 104mohm @ 21a,15v | 7V @ 5.5mA | 100 nc @ 15 V | ±30V | 3500 PF @ 100 V | - | 495W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2656FRAT106 | 0.4900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SD2656 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 25mA,500mA | 270 @ 100mA,2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2029T2LR | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | 2SA2029 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 180 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RV5L030GNTCR1 | - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RV5L030GNTCR1TR | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XKAT146 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC124 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD114GCHZGT116 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTD114 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 56 @ 50mA,5V | 200 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QST9TR | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | QST9 | 1.25W | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30V | 1a | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 350mv @ 25mA,500mA | 270 @ 100mA,2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115EEBTL | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC115 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RZR025P01TL | 0.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RZR025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 2.5a(ta) | 1.5V,4.5V | 61MOHM @ 2.5a,4.5V | 1V @ 1mA | 13 NC @ 4.5 V | ±10V | 1350 pf @ 6 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UT6JA3TCR | 0.8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerudfn | UT6JA3 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 5A(5A) | 59MOHM @ 5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 6.5nc @ 4.5V | 460pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6P020ATTCR | 0.8600 | ![]() | 4540 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RQ6P020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | (1 (无限) | 3,000 | P通道 | 100 v | 2A(TA) | 4.5V,10V | 220MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 760 pf @ 50 V | - | 950MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
RSS100N03FRATB | 0.9400 | ![]() | 166 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 13.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 5 V | ±20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||
SP8M10TB | - | ![]() | 3383 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M10 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 7a,4.5a | 25mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 8.4nc @ 5V | 600pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R5021anjtl | 3.4663 | ![]() | 7004 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | R5021 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 21a(TC) | 220MOHM @ 10.5A,10V | 4.5V @ 1mA | 64 NC @ 10 V | 2300 PF @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R5011fnjtl | 1.0414 | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | R5011 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 11A(TC) | 10V | 520MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 1mA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 950 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124TETL | 0.0954 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC124T | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC124 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XETL | 0.3800 | ![]() | 757 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA124 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5U36TR | 0.6200 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | QS5U36 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 1.5V,4.5V | 81MOHM @ 2.5A,4.5V | 1.3V @ 1mA | 3.5 NC @ 4.5 V | ±10V | 280 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMF18T2R | - | ![]() | 2510 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMF18 | 150MW | EMT6 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-EMF18T2RTR | 8,000 | 50V | 100mA,150mA | 500NA,100NA(ICBO) | 1 npn-预偏,1 pnp | 300mv @ 500µA,10mA / 500mv @ 5mA,50mA | 68 @ 5ma,5v / 180 @ 1mA,6v | 250MHz,140MHz | 47kohms | 47kohms |
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