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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCX70KT216 | 0.0805 | ![]() | 6318 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCX70 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 200 ma | 100NA | NPN | 550mv @ 1.25mA,50mA | 250 @ 2mA,5v | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMZ7T2R | 0.5700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMZ7T2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12V | 500mA | 100NA(ICBO) | NPN,PNP | 250mv @ 10mA,200mA | 270 @ 10mA,2V | 320MHz,260MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | tt8m1tr | 0.5500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8M1 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 2.5a | 72MOHM @ 2.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 3.6nc @ 4.5V | 260pf @ 10V | 逻辑级别门,1.5V | |||||||||||||||||||||||
![]() | uma2ntr | 0.0992 | ![]() | 1137 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMA2 | 150MW | UMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-) | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGCL60TS60GC11 | 4.2200 | ![]() | 363 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGCL60 | 标准 | 111 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,30a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 48 a | 120 a | 1.8V @ 15V,30a | (770µJ)(在),1.11mj() | 68 NC | 44NS/186NS | ||||||||||||||||||||||
SP8M8FD5TB1 | - | ![]() | 3307 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M8 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-SP8M8FD5TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6a(6A),4.5a ta(4.5a) | 30mohm @ 6a,10v,56mohm @ 4.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 7.2nc @ 5v,8.5nc @ 5V | 520pf @ 10V,850pf @ 10V | 逻辑水平门,4V驱动器 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6507enxc7g | 2.9400 | ![]() | 998 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6507 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6507ENXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 7a(ta) | 10V | 665mohm @ 2.4a,10v | 4V @ 200µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 390 pf @ 25 V | - | 46W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | R6007knxc7g | 2.9400 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6007 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6007KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 620MOHM @ 2.4a,10V | 5V @ 1mA | 14.5 NC @ 10 V | ±20V | 470 pf @ 25 V | - | 46W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR544PFRAT100 | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR544 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 2.5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 50mA,1a | 120 @ 100mA,3v | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020ynxc7g | 3.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6020ynxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V,12V | 200mohm @ 6a,10v | 6V @ 1.65mA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1200 pf @ 100 V | - | 62W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4061KT146N | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SC4061 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 300 v | 100 ma | 500NA(ICBO) | NPN | 2V @ 5mA,50mA | 56 @ 10mA,10v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RH6P030BG | - | ![]() | 8209 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | RH6P030 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RH6P030BGTR | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RSS100N03TB | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 13mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 14 NC @ 5 V | 20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RTL020P02FRATR | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RTL020 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2A(TA) | 2.5V,4.5V | 135mohm @ 2A,4.5V | 2V @ 1mA | 4.9 NC @ 4.5 V | ±12V | 430 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | RTQ045N03TR | 0.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RTQ045 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.5A(ta) | 2.5V,4.5V | 43mohm @ 4.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 10.7 NC @ 4.5 V | ±12V | 540 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | QS8J12TCR | 0.3685 | ![]() | 5261 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QS8J12 | MOSFET (金属 o化物) | 550MW | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 4.5a | 29mohm @ 4.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 40NC @ 4.5V | 4200pf @ 6V | 逻辑级别门,1.5V | |||||||||||||||||||||||
![]() | RRF015P03GTL | 0.4400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | RRF015 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 1.5A(TA) | 4V,10V | 160MOHM @ 1.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 6.4 NC @ 10 V | ±20V | 230 pf @ 10 V | - | 320MW(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SCRC41CT116R | 0.4100 | ![]() | 768 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SCRC41 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 50 mA | 500NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 180 @ 2mA,6v | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC123 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L220SNFRATL | 2.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3L220 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 22a(22a) | 4V,10V | 26mohm @ 22a,10v | 3V @ 1mA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1500 pf @ 10 V | - | 20W(TC) | |||||||||||||||||||||
RSS090P03TB | - | ![]() | 1864年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9a(9a) | 4V,10V | 14mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 39 NC @ 5 V | ±20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RTR025N03TL | 0.5700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RTR025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 92MOHM @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 4.6 NC @ 4.5 V | 12V | 220 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR586JFRGTLL | 2.1200 | ![]() | 974 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | 2SAR586 | 40 W | lptl | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 V | 5 a | 1µA(ICBO) | 320mv @ 100mA,2a | 120 @ 500mA,3v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2199T2LR | - | ![]() | 1702 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-923F | 150兆 | VMN3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 2.5mA,25mA | 180 @ 2mA,6v | 110MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2450KeHRC11 | 12.0300 | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT2450 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT2450KEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 1200 v | 10A(TC) | 18V | 585MOHM @ 3A,18V | 4V @ 900µA | 27 NC @ 18 V | +22V,-6V | 463 PF @ 800 V | - | 85W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR514PHZGT100 | 0.5800 | ![]() | 179 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 700 MA | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 15mA,300mA | 120 @ 100mA,3v | 380MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | umx2ntr | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMX2 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC123J | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA123 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn- +二极管 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | dtc923tubtl | 0.0784 | ![]() | 3118 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | DTC923 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20 v | 400 MA | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 100mv @ 3mA,30mA | 820 @ 10mA,5V | 35 MHz | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ510N25TL | 5.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | RCJ510 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 51A(TC) | 10V | 65mohm @ 25.5A,10V | 5V @ 1mA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 7000 PF @ 25 V | - | 1.56W(ta),40W(TC) |
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