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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | dtc114yebtl | 0.0488 | ![]() | 1526年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC114 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 70 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
R6024ENZC17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6024 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6024ENZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a,10v | 4V @ 1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2318TLV | 1.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SD2318 | 15 W | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 60 V | 3 a | 100µA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,2a | 560 @ 500mA,4V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EEBTL | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC124 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR553RTL | 0.5800 | ![]() | 178 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SAR553 | 1 w | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 50 V | 2 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 35mA,700mA | 180 @ 50mA,2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC123 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-DTC123EE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 20mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6K31TCR | - | ![]() | 3293 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MP6K31 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 2a | 290MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 2NC @ 5V | 110pf @ 10V | 逻辑水平门,4V驱动器 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3R05BBHC16 | 3.9700 | ![]() | 9237 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3R05 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RX3R05BBHC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | n通道 | 150 v | 50a(ta) | 6V,10V | 29mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 75 V | - | 89w(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144TETL | 0.0707 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC144T | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6K31NFHATCN | 0.4900 | ![]() | 4516 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6K31 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 250mA(ta) | 2.4OHM @ 250mA,10V | 2.3V @ 1mA | - | 15pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2280KeHRC11 | 15.1500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT2280 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT2280KEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 14A(TC) | 18V | 364mohm @ 4a,18v | 4V @ 1.4mA | 36 NC @ 400 V | +22V,-6V | 667 PF @ 800 V | - | 108W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EMT2L | 0.4700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC114 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC123 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300D12P2E001 | 852.5400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM300 | (SIC) | 1875W | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 300A(TC) | - | 4V @ 68mA | - | 35000pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RRR015P03TL | 0.5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RRR015 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 1.5A(TA) | 4V,10V | 160MOHM @ 1.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 6.5 NC @ 10 V | ±20V | 230 pf @ 10 V | - | 540MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138BKT116 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 400mA(TA) | 2.5V,10V | 680MOHM @ 400mA,10V | 2V @ 10µA | ±20V | 47 pf @ 30 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IMH14AT108 | 0.1692 | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMH14 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 47kohms | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65EHRC11 | 8.0200 | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW80 | 标准 | 214 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGW80TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,20a,10ohm,15V | 86 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 80 a | 160 a | 1.9V @ 15V,40a | 110 NC | 43ns/148ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RCD080N25TL | 1.7100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RCD080 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 8a(8a) | 10V | 300MOHM @ 4A,10V | 5V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1440 pf @ 25 V | - | 850MW(TA),20W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC114 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020knxc7g | 4.9000 | ![]() | 775 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6020knxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TA) | 10V | 196mohm @ 9.5a,10V | 5V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGCL80TS60GC11 | 4.6100 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGCL80 | 标准 | 148 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,40a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 65 a | 160 a | 1.8V @ 15V,40a | 1.11mj(在)上,1.68mj off) | 98 NC | 53NS/227NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | RSD201N10TL | - | ![]() | 2012 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD201 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 4V,10V | 46mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 1mA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 850MW(TA),20W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RF4E11111BNTR | 0.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (金属 o化物) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 11.1mohm @ 11a,10v | 2V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RTR020N05TL | 0.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RTR020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 2A(TA) | 2.5V,4.5V | 180MOHM @ 2A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 200 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RTR020N05HZGTL | 0.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RTR020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 2A(TA) | 2.5V,4.5V | 180MOHM @ 2A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 200 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSL020P03TR | 0.2246 | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RSL020 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2A(TA) | 4V,10V | 120MOHM @ 2A,10V | - | 3.9 NC @ 5 V | ±20V | 350 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ7G080ATTCR | 1.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RQ7G080 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 8a(8a) | 4.5V,10V | 18.2MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 1mA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2060 pf @ 20 V | - | 1.1W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGS50TSX2GC11 | 8.1700 | ![]() | 174 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGS50 | 标准 | 395 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGS50TSX2GC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,25a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 75 a | 2.1V @ 15V,25a | 1.4MJ(在)上,1.65MJ OFF) | 67 NC | 37NS/140NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | RS1P090ATTB1 | 2.9100 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | RS1P090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsop | 下载 | (1 (无限) | 2,500 | P通道 | 100 v | (9A)(ta),33a(tc) | 4.5V,10V | 34mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 5650 pf @ 50 V | - | (3W)(40W)(40W)TC) |
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