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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RZY200P01TL | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | RZY200 | MOSFET (金属 o化物) | TCPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 12 v | 20A(TA) | - | - | ±10V | - | 20W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R5011ANX | - | ![]() | 5279 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R5011 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 11a(11a) | 10V | 500MOHM @ 5.5A,10V | 4.5V @ 1mA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 1000 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGT50TS65DGC13 | 9.8900 | ![]() | 4660 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGT50 | 标准 | 174 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGT50TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V,25a,10ohm,15V | 58 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 48 a | 75 a | 2.1V @ 15V,25a | - | 49 NC | 27NS/88NS | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XCAHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC124 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
R6046anzc8 | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6046 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | n通道 | 600 v | 46a(ta) | 10V | 81MOHM @ 23A,10V | 4.5V @ 1mA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 6000 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | mp6k31tr | - | ![]() | 1449 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MP6K31 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 2a | 290MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 2NC @ 5V | 110pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC143 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZKAT246 | - | ![]() | 1786年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC143 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030JNXC7G | 7.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6030JNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 15V | 143mohm @ 15a,15v | 7V @ 5.5mA | 74 NC @ 15 V | ±30V | 2500 PF @ 100 V | - | 95W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC643TUT106 | 0.3800 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC643 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 600 MA | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 150mv @ 2.5mA,50mA | 820 @ 50mA,5V | 150 MHz | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPR | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 V | 1 a | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 20mA,500mA | 120 @ 500mA,3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EEFRATL | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EEBHZGTL | 0.0415 | ![]() | 2678 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTC143 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD543EETL | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTD543 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 115 @ 100mA,2V | 260 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114TEBTL | 0.0488 | ![]() | 6236 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA114 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5001TLQ | 0.5175 | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SC5001 | 1 w | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 20 v | 10 a | 1µA(ICBO) | NPN | 250mv @ 50mA,4a | 120 @ 500mA,2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA93333ASTPR | - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 2SA933 | 300兆 | spt | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 180 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1515STPQ | - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 32 v | 1 a | 500NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023JUBTL | 0.3000 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | DTA023 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6K1NTN | 0.4000 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6K1 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 100mA | 8ohm @ 10mA,4V | 1.5V @ 100µA | - | 13pf @ 5V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA124 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-DTA124EE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | umh6ntr | 0.4400 | ![]() | 640 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 嗯6 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ECHZGT116 | 0.4100 | ![]() | 903 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTB113 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 33 @ 50mA,5V | 200 MHz | 1 kohms | 1 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123YCAHZGT116 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC123 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
R6524KNZC17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6524 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6524KNZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 24A(TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a,10v | 5V @ 750µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1850 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMG4T2R | 0.1084 | ![]() | 2468 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | EMG4T2 | 150MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4725TLP | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SC4725 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 50 mA | 500NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 4mA,20mA | 82 @ 10mA,10v | 1.5GHz | ||||||||||||||||||||||||||
R6520knzc17 | 5.8300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6520 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6520knzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 205mohm @ 9.5A,10V | 5V @ 630µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMH15T2R | 0.0801 | ![]() | 2339 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMH15 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA(ICBO) | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 47kohms | - |
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