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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1781KT146R | 0.4100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SD1781 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 800 MA | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 50mA,500mA | 180 @ 100mA,3v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | dtc143xubtl | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTC143 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XKAT146 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA143 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EU3T106 | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC143 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
R6024ENZC8 | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a,10v | 4V @ 1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR020N06HZGTL | 0.5900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RSR020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2A(TA) | 4V,10V | 170MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 2.7 NC @ 5 V | ±20V | 180 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4098T106P | 0.1062 | ![]() | 6708 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SC4098 | 200MW | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 25V | 50mA | NPN | 82 @ 1mA,6v | 300MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1740STP | - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 2SC1740 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 5mA,50mA | 270 @ 1mA,6v | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080KLGC11 | 21.1100 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT3080 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 31a(TC) | 18V | 104mohm @ 10a,18v | 5.6V @ 5mA | 60 NC @ 18 V | +22V,-4V | 785 PF @ 800 V | - | 165W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023EEBTL | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA023 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 250mv @ 1mA,10mA | 20 @ 20mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J5TR | 1.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QS8J5 | MOSFET (金属 o化物) | 600MW | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 5a | 39mohm @ 5a,10v | 2.5V @ 1mA | 19nc @ 10V | 1100pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544P5T100 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR544 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 2.5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 50mA,1a | 120 @ 100mA,3v | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMW4T148 | 0.2136 | ![]() | 2533 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | FMW4T148 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4E070BNTR | 1.0000 | ![]() | 780 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerudfn | RF4E070 | MOSFET (金属 o化物) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7a(ta) | 4.5V,10V | 28.6mohm @ 7a,10v | 2V @ 250µA | 8.9 NC @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SH8JE5TB1 | 2.4200 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8JE5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | (1 (无限) | 2,500 | 2个p通道 | 100V | 4.5A(ta) | 9.1MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 52NC @ 10V | 2100pf @ 50V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6X2T2R | 0.5000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD | VT6X2 | 150MW | VMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 300mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8MA2TCR | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QH8MA2 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4.5a,3a | 35MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 8.4nc @ 10V | 365pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA013ZMT2L | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA013 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 30 @ 5mA,10v | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMST8098T146 | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMST8098 | 350兆 | SMT3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 200 ma | 100NA | NPN | 300mv @ 10mA,100mA | 100 @ 1mA,5V | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70KT216 | 0.0805 | ![]() | 6318 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCX70 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 200 ma | 100NA | NPN | 550mv @ 1.25mA,50mA | 250 @ 2mA,5v | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8KA1TCR | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QH8KA1 | - | 2.4W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.5a | 73MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3NC @ 10V | 125pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1189T100R | 0.6400 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SB1189 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 700 MA | 500NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 50mA,500mA | 180 @ 100mA,3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023YEBTL | 0.1900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA023 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 35 @ 5mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | US5U29TR | 0.2786 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | US5U29 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1A(1A) | 2.5V,4.5V | 390MOHM @ 1A,4.5V | 2V @ 1mA | 2.1 NC @ 5 V | ±12V | 150 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RRH140P03TB1 | 2.8100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RRH140 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 14A(TA) | 4V,10V | 7mohm @ 14a,10v | 2.5V @ 1mA | 80 NC @ 5 V | ±20V | 8000 PF @ 10 V | - | 650MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGTV60TK65GVC11 | 5.9100 | ![]() | 436 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | RGTV60 | 标准 | 76 W | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 33 a | 120 a | 1.9V @ 15V,30a | (570µJ)(在500µJ上) | 64 NC | 33NS/105NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3R10BBHC16 | 8.1700 | ![]() | 2649 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3R10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RX3R10BBHC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | n通道 | 150 v | 105A(TC) | 6V,10V | 8.8mohm @ 50a,10v | 4V @ 1mA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 7550 PF @ 75 V | - | 181W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2653KT146 | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SD2653 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 180MV @ 50mA,1a | 270 @ 200ma,2V | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1690TL | 0.6000 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SB1690 | 1 w | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12 v | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 180MV @ 50mA,1a | 270 @ 200ma,2V | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRL025P03TR | 0.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RRL025 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 4V,10V | 75MOHM @ 2.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 5.2 NC @ 5 V | ±20V | 480 pf @ 10 V | - | 320MW(TA) |
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