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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
DTA024XMT2L Rohm Semiconductor DTA024XMT2L 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 DTA024X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA024 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
2SAR293PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR293PHZGT100 0.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 350mv @ 25mA，500mA 270 @ 100mA，2V 320MHz
R6535KNX3C16 Rohm Semiconductor R6535KNX3C16 6.8600
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 R6535 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6535KNX3C16 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 35A（TC） 10V 115mohm @ 18.1a，10v 5V @ 1.3mA 72 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 370W（TC）
BSS138BWAHZGT106 Rohm Semiconductor BSS138BWAHZGT106 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BSS138 MOSFET （金属 o化物） SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 380mA（ta） 2.5V，10V 680MOHM @ 380mA，10V 2V @ 10µA ±20V 47 pf @ 30 V - 200MW
RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EGC11 9.7900
RFQ
 ECAD 438 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65EGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 116 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.44MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
R6509END3TL1 Rohm Semiconductor R6509END3TL1 2.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6509 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 9A（TC） 10V 585MOHM @ 2.8A，10V 4V @ 230µA 24 NC @ 10 V ±20V 430 pf @ 25 V - 94W（TC）
2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR544PHZGT100 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 SOT-89 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-2SCR544PHZGT100CT Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 50mA，1a 120 @ 100mA，3v 320MHz
UT6K3TCR1 Rohm Semiconductor UT6K3TCR1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn UT6K3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HUML2020L8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 5.5A（ta） 42MOHM @ 5A，4.5V 1.5V @ 1mA 4NC @ 4.5V 450pf @ 15V -
RGW80TK65EGVC11 Rohm Semiconductor RGW80TK65EGVC11 7.3400
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW80 标准 81 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW80TK65EGVC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，40a，10ohm，15V 102 ns 沟渠场停止 650 v 39 a 160 a 1.9V @ 15V，40a （760µJ）（在720µJ上） 110 NC 44NS/143NS
RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65DGC11 8.1700
RFQ
 ECAD 1971年 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGWX5TS65 标准 348 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGWX5TS65DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 101 ns 沟渠场停止 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V，75a 2.39mj（在）上，（1.68mj）off） 213 NC 64NS/229NS
SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor SP8M24HZGTB 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M24 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8M24HZGTBCT Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 4.5A（ta），3.5a（ta） 46mohm @ 4.5a，10v，63mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v，18.2nc @ 5v 550pf @ 10V，1700pf @ 10V -
RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor RV5A040APTCR1 0.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6 PowerWFDFN RV5A040 MOSFET （金属 o化物） DFN1616-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 62MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 16 NC @ 4.5 V -8V，0V 2000 pf @ 6 V - 700MW（TA）
R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6535ENZ4C13 7.5100
RFQ
 ECAD 571 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6535 MOSFET （金属 o化物） TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6535ENZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 35A（TC） 10V 115mohm @ 18.1a，10v 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 379W（TC）
RGTH40TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH40TS65DGC13 5.3500
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH40 标准 144 w TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGTH40TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/73NS
RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor RX3G18BGNC16 6.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 RX3G18 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 180a（TC） 4.5V，10V 1.64MOHM @ 90A，10V 2.5V @ 1mA 168 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 20 V - 125W（TC）
RGW00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65DHRC11 8.2600
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW00 标准 254 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW00TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，25a，10ohm，15V 90 ns 沟渠场停止 650 v 96 a 200 a 1.9V @ 15V，50a 141 NC 48NS/186NS
R6035VNXC7G Rohm Semiconductor R6035VNXC7G 5.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6035 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6035VNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 17a（TC） 10V，15V 114mohm @ 8a，15v 6.5V @ 1.1mA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 100 V - 81W（TC）
SCT2080KEGC11 Rohm Semiconductor SCT2080KeGC11 26.0100
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT2080 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT2080KeGC11 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 40a（TC） 18V 117mohm @ 10a，18v 4V @ 4.4mA 106 NC @ 18 V +22V，-6V 2080 pf @ 800 V - 262W（TC）
US5U38TR Rohm Semiconductor US5U38TR 0.1644
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Rohm半导体 * 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 US5U38 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
RTR030N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR030N05HZGTL 0.8300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 67MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V ±12V 510 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RTR020P02HZGTL Rohm Semiconductor RTR020P02HZGTL 0.7800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 2.5V，4.5V 135mohm @ 2A，4.5V 2V @ 1mA 4.9 NC @ 4.5 V ±12V 430 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor RTQ035P02HZGTR 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ035 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.5A（ta） 2.5V，4.5V 65mohm @ 3.5A，4.5V 2V @ 1mA 10.5 NC @ 4.5 V ±12V 1200 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RSS065N03TB1 Rohm Semiconductor RSS065N03TB1 -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-RSS065N03TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 6.5A（TA） 4V，10V 27mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 1mA 8.6 NC @ 5 V ±20V 430 pf @ 10 V - 2W（TA）
SP8K33TB1 Rohm Semiconductor SP8K33TB1 -
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SP8K33 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8K33TB1TR 过时的 2,500 -
DTC143TKT146 Rohm Semiconductor DTC143TKT146 -
RFQ
 ECAD 7251 0.00000000 Rohm半导体 DTC143T 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC143 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 846-DTC143TKT146TR 过时的 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
R6520KNZC8 Rohm Semiconductor R6520knzc8 -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6520 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6520knzc8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 20A（TC） 10V 205mohm @ 9.5A，10V 5V @ 630µA 40 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 25 V - 68W（TC）
UMH1NFHATN Rohm Semiconductor umh1nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMH1 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RGT20TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT20TM65DGC9 2.7900
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RGT20 标准 25 w TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGT20TM65DGC9 Ear99 8541.29.0095 50 400V，10a，10ohm，15V 42 ns 沟渠场停止 650 v 10 a 30 a 2.1V @ 15V，10a - 22 NC 12NS/32NS
RD3U041AAFRATL Rohm Semiconductor RD3U041AAFRATL 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3U041 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 250 v 4A（TC） 10V 1.3OHM @ 2A，10V 5.5V @ 1mA 8.5 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 25 V - 29W（TC）
SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor SCT3060AW7TL 18.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3060 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 38A（TC） 78mohm @ 13a，18v 5.6V @ 6.67mA 58 NC @ 18 V +22V，-4V 852 PF @ 500 V - 159W
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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