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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SD2679T100 Rohm Semiconductor 2SD2679T100 0.2883
RFQ
 ECAD 1534年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD2679 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 2 a 100NA（ICBO） NPN 370MV @ 75mA，1.5a 270 @ 200ma，2V 280MHz
RGTH50TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH50TK65GC11 5.6400
RFQ
 ECAD 446 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGTH50 标准 59 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，25a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 26 a 100 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/94NS
RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGS80TS65DHRC11 8.0400
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS80 标准 272 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS80TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，40a，10ohm，15V 103 ns 沟渠场停止 650 v 73 a 120 a 2.1V @ 15V，40a 1.05MJ（在）上，1.03MJ OFF） 48 NC 37NS/112NS
UMB11NFHATN Rohm Semiconductor UMB11NFHATN 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMB11 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
SCT4026DEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4026DEHRC11 22.7600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 846-SCT4026DEHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 750 v 56A（TC） 18V 34mohm @ 29a，18v 4.8V @ 15.4mA 94 NC @ 18 V +21V，-4V 2320 PF @ 500 V - 176W
SP8M3FU6TB1 Rohm Semiconductor SP8M3FU6TB1 -
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8M3FU6TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V （5A）（ta），4.5a ta（ta） 51MOHM @ 5A，10V，56MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v，8.5nc @ 5V 230pf @ 10V，850pf @ 10V -
SCT4036KW7TL Rohm Semiconductor SCT4036KW7TL 20.3600
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA sicfet （碳化硅） TO-263-7L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 40a（TJ） 18V 47mohm @ 21a，18v 4.8V @ 11.1mA 91 NC @ 18 V +21V，-4V 2335 PF @ 800 V - 150W
RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor RD3L080SNFRATL 1.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3L080 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 8a（8a） 4V，10V 80mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 9.4 NC @ 10 V ±20V 380 pf @ 10 V - 15W（TC）
RAQ045P01TCR Rohm Semiconductor RAQ045P01TCR 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RAQ045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 4.5A（ta） 1.5V，4.5V 30mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 1mA 40 NC @ 4.5 V -8V 4200 PF @ 6 V - 600MW（TA）
SH8M31GZETB Rohm Semiconductor SH8M31GZETB 1.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M31 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5A（ta） 65MOHM @ 4.5A，10V，70MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 1mA 7NC @ 5V，40NC @ 10V 500pf @ 10V，2500pf @ 10V -
RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor RD3H160SPFRATL 1.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3H160 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 45 v 16A（TA） 4V，10V 50mohm @ 16a，10v 3V @ 1mA 16 NC @ 5 V ±20V 2000 pf @ 10 V - 20W（TC）
RGTH50TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH50TS65GC11 -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH50 标准 174 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，25a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/94NS
RUF025N02TL Rohm Semiconductor RUF025N02TL 0.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RUF025 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.5a（ta） 1.5V，4.5V 54mohm @ 2.5a，4.5V 1.3V @ 1mA 5 NC @ 4.5 V ±10V 370 pf @ 10 V - 320MW（TA）
R6524KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6524KNZ4C13 5.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6524 MOSFET （金属 o化物） TO-247G 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6524KNZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 24A（TC） 10V 185mohm @ 11.3a，10v 5V @ 750µA 45 NC @ 10 V ±20V 1850 pf @ 25 V - 245W（TC）
BSS138BKWT106 Rohm Semiconductor BSS138BKWT106 0.4900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BSS138 MOSFET （金属 o化物） SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSS138BKWT106TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 380mA（ta） 2.5V，10V 680MOHM @ 380mA，10V 2V @ 10µA ±20V 47 pf @ 30 V - 200mw（ta）
RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor RH6L040BGTB1 2.0600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RH6L040 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 40a（ta） 4.5V，10V 7.1MOHM @ 40a，10v 2.5V @ 1mA 18.8 NC @ 10 V ±20V 1320 PF @ 30 V - 2W（TA），59w（tc）
R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6520knz4c13 8.5600
RFQ
 ECAD 419 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6520 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 20A（TC） 10V 205mohm @ 9.5A，10V 5V @ 630µA 40 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 25 V - 231W（TC）
R6504KND3TL1 Rohm Semiconductor R6504KND3TL1 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6504 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 4A（TC） 10V 1.05OHM @ 1.5A，10V 5V @ 130µA 10 NC @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 58W（TC）
RGS80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS80TS65HRC11 6.5500
RFQ
 ECAD 269 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS80 标准 272 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS80TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 73 a 120 a 2.1V @ 15V，40a 1.05MJ（在）上，1.03MJ OFF） 48 NC 37NS/112NS
R6507KNXC7G Rohm Semiconductor R6507knxc7g 2.3500
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6507 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 7a（ta） 10V 665mohm @ 2.4a，10v 5V @ 200µA 14.5 NC @ 10 V ±20V 470 pf @ 25 V - 46W（TC）
RS1L151ATTB1 Rohm Semiconductor RS1L151ATTB1 2.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1L MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 56A（TC） 4.5V，10V 11.3mohm @ 15a，10v 2.5V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 30 V - （3W）（TA）
DTC124ECAT116 Rohm Semiconductor DTC124ECAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC124 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BSM180C12P3C202 Rohm Semiconductor BSM180C12P3C202 590.4000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM180 sicfet （碳化硅） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM180C12P3C202 Ear99 8541.29.0095 12 n通道 1200 v 180a（TC） - - 5.6V @ 50mA +22V，-4V 9000 PF @ 10 V - 880W（TC）
RXH070N03TB1 Rohm Semiconductor RXH070N03TB1 0.9800
RFQ
 ECAD 9083 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RXH070 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 7a（ta） 4V，10V 28mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 5.8 NC @ 5 V ±20V 390 pf @ 10 V - 1.4W（TA）
RGW80TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW80TK65GVC11 6.4000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW80 标准 81 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 39 a 160 a 1.9V @ 15V，40a （760µJ）（在720µJ上） 110 NC 44NS/143NS
R8010ANX Rohm Semiconductor R8010ANX 2.2851
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R8010 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 800 v 10A（TC） 10V 560MOHM @ 5A，10V 5V @ 1mA 62 NC @ 10 V ±30V 1750 pf @ 25 V - 40W（TC）
SP8M24MB4TB1 Rohm Semiconductor SP8M24MB4TB1 -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SP8M24 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8M24MB4TB1TR 过时的 2,500 -
SP8M3FU7TB1 Rohm Semiconductor SP8M3FU7TB1 -
RFQ
 ECAD 9955 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8M3FU7TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V （5A）（ta），4.5a ta（ta） 51MOHM @ 5A，10V，56MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v，8.5nc @ 5V 230pf @ 10V，850pf @ 10V -
UMB3NTN Rohm Semiconductor UMB3NTN 0.0848
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMB3 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
EM6K1T2R Rohm Semiconductor EM6K1T2R 0.4800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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196-LFBGA裸露的垫子

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