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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
QS8J2TR Rohm Semiconductor QS8J2TR 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J2 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4a 36mohm @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 20NC @ 4.5V 1940pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
DTA124EEBTL Rohm Semiconductor DTA124EEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 781 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA124 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 30 ma 500NA pnp-预先偏见 300MV @ 500NA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RUC002N05T116 Rohm Semiconductor RUC002N05T116 0.3200
RFQ
 ECAD 672 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RUC002 MOSFET （金属 o化物） SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 200ma（ta） 1.2V，4.5V 2.2OHM @ 200mA，4.5V 1V @ 1mA ±8V 25 pf @ 10 V - 200mw（ta）
2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SAR586 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 80 V 5 a 1µA（ICBO） 320mv @ 100mA，2a 120 @ 500mA，3v
DTB123YUT106 Rohm Semiconductor DTB123YUT106 0.4300
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTB123 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor RUM001L02T2CL 0.4000
RFQ
 ECAD 842 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 Rum001 MOSFET （金属 o化物） VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 1.2V，4.5V 3.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA ±8V 7.1 pf @ 10 V - 150MW（TA）
RSD200N05TL Rohm Semiconductor RSD200N05TL 0.4542
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD200 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 20A（TA） 4V，10V 28mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 V ±20V 950 pf @ 10 V - 20W（TC）
US6M2GTR Rohm Semiconductor US6M2GTR 0.6700
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6M2 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.5a，1a 240MOHM @ 1.5A，4.5V，390MOHM @ 1A，4.5V 1.5V @ 1MA，2V @ 1MA 2.2nc @ 4.5V，2.1nc @ 4.5V 80pf @ 10V，150pf @ 10V -
RUR020N02TL Rohm Semiconductor RUR020N02TL 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RUR020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 105MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 2 NC @ 4.5 V ±10V 180 pf @ 10 V - 540MW（TA）
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K41 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8K41HZGTBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 3.4a（ta） 130MOHM @ 3.4A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 5V 600pf @ 10V -
2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR583D3FRATL 2.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 10 W TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 50 V 7 a 1µA（ICBO） NPN 350mv @ 150mA，3a 180 @ 1A，3V 280MHz
BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM250 （SIC） 1800W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1700V（（1.7kV） 250A（TC） - 4V @ 66mA - 30000pf @ 10V -
RGTH40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TS65DGC11 1.8792
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH40 标准 144 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/73NS
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3P01BATTL1 1.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3P01 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 10a（10a） 6V，10V 240MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 19.4 NC @ 10 V ±20V 660 pf @ 50 V - 25W（TA）
LP8M3FP8TB1 Rohm Semiconductor LP8M3FP8TB1 -
RFQ
 ECAD 6873 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 LP8M3 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-LP8M3FP8TB1TR 过时的 2,500 -
DTA015TEBTL Rohm Semiconductor DTA015TEBTL 0.0351
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-89，SOT-490 DTA015 150兆 EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） pnp-预先偏见 250mv @ 250µA，5mA 100 @ 5mA，10v 250 MHz 100 kohms
QS8J13TR Rohm Semiconductor QS8J13TR 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J13 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 5.5a 22mohm @ 5.5a，4.5V 1V @ 1mA 60nc @ 4.5V 6300pf @ 6V 逻辑级别门
EMF7T2R Rohm Semiconductor EMF7T2R -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMF7 150MW EMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-EMF7T2RTR 8,000 50V，12V 100mA，500mA 500NA，100NA（ICBO） 1 NPN预先偏见，1 NPN 300mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 10mA，200ma 20 @ 20mA，5v / 270 @ 10mA，2V 250MHz，320MHz 2.2kohms 2.2kohms
US6M1TR Rohm Semiconductor US6M1TR 0.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6M1 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.4a，1a 240MOHM @ 1.4A，10V 2.5V @ 1mA 2NC @ 5V 70pf @ 10V 逻辑级别门
RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor RQ3E080GNTB 0.5300
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E080 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8a（8a） 4.5V，10V 16.7MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 1mA 5.8 NC @ 10 V ±20V 295 pf @ 15 V - 2W（TA），15W（TC）
RSS110N03TB Rohm Semiconductor RSS110N03TB -
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS110 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11a（11a） 4V，10V 10.7MOHM @ 11A，10V 2.5V @ 1mA 17 NC @ 5 V 20V 1300 pf @ 10 V - 2W（TA）
BSM600D12P4G103 Rohm Semiconductor BSM600D12P4G103 1.0000
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 175°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM600 （SIC） 1.78kW（TC） 模块 下载 （1 （无限） 846-BSM600D12P4G103 4 2 n通道 1200V 567a（TC） - 4.8V @ 291.2mA - 59000pf @ 10V 标准
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65DGVC11 7.2700
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW00 标准 89 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 95 ns 沟渠场停止 650 v 45 a 200 a 1.9V @ 15V，50a （1.18mj）（在），960µJ（OFF）上） 141 NC 52NS/180NS
DTC115EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC115EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC115 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
RQ1A070ZPTR Rohm Semiconductor RQ1A070ZPTR 1.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RQ1A070 MOSFET （金属 o化物） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 7a（ta） 1.5V，4.5V 12MOHM @ 7A，4.5V 1V @ 1mA 58 NC @ 4.5 V ±10V 7400 PF @ 6 V - 700MW（TA）
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor RTQ045N03HZGTR 0.7400
RFQ
 ECAD 4765 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4.5A（ta） 2.5V，4.5V 43mohm @ 4.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 10.7 NC @ 4.5 V ±12V 540 pf @ 10 V - 950MW（TA）
R6004ENXC7G Rohm Semiconductor R6004enxc7g 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6004 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6004ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A（TC） 10V 980MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 40W（TC）
DTA114YMFHAT2L Rohm Semiconductor dta114ymfhat2l 0.2600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 DTA114 150兆 VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 100 ma - pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1L MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 14.5A（TA），47A （TC） 4.5V，10V 9.7MOHM @ 14.5A，10V 2.7V @ 200µA 37 NC @ 10 V ±20V 1880 pf @ 30 V - （3W）（TA）
RSD050N06TL Rohm Semiconductor RSD050N06TL 0.2999
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD050 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 109MOHM @ 5A，10V 3V @ 1mA 8 nc @ 10 V ±20V 290 pf @ 10 V - 15W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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