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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (amp) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSTA06T116 | 0.3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SSTA06 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3R05BBHC16 | 3.9700 | ![]() | 9237 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3R05 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RX3R05BBHC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | n通道 | 150 v | 50a(ta) | 6V,10V | 29mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 75 V | - | 89w(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RSD201N10TL | - | ![]() | 2012 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD201 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 4V,10V | 46mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 1mA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 850MW(TA),20W(tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144TETL | 0.0707 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC144T | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5A030APTL | 0.4400 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5A030 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 3A(3A) | 1.5V,4.5V | 62MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 1mA | 16 NC @ 4.5 V | -8V | 2000 pf @ 6 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1237TV2P | - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 1 w | ATV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 1 a | 500NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 82 @ 100mA,3v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA14444EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA144 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EETL | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114ECAT116 | 0.1049 | ![]() | 2230 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA114 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5865TLQ | 0.1102 | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SC5865 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 1 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,2V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5H020SPTL | 0.5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5H020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 45 v | 2A(TA) | 4V,10V | 190mohm @ 2a,10v | 3V @ 1mA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 500 pf @ 10 V | - | 540MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RF4E11111BNTR | 0.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (金属 o化物) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 11.1mohm @ 11a,10v | 2V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | umx1ntn | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMX1 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRS075P03FD5TB1 | - | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RRS075P03FD5TB1TR | 过时的 | 2,500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R8006knxc7g | 3.3400 | ![]() | 790 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R8006 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 6a(6a) | 10V | 900MOHM @ 3A,10V | 4.5V @ 4mA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 650 pf @ 100 V | - | 52W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | umf9ntr | 0.1495 | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 12v npn,30v n通道 | 通用目的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMF9 | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 500mA npn,100mA n通道 | npn,n通道 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BU3T106 | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC857 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 210 @ 2mA,5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR015P03TL | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | SC-96 | RSR015 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 1.5A(TA) | 4V,10V | 235mohm @ 1.5A,10V | - | 2.6 NC @ 5 V | ±20V | 190 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E040TNTL | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E040 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4A(ta) | 2.5V,4.5V | 48mohm @ 4A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 8.3 NC @ 4.5 V | ±12V | 475 PF @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA124 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-DTA124XE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTVX2TS65GC11 | 6.7600 | ![]() | 418 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGTVX2 | 标准 | 319 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGTVX2TS65GC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,60a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 111 a | 240 a | 1.9V @ 15V,60a | 2.08mj(在)上,1.15mj off) | 123 NC | 49NS/150NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | RF4C100BCTCR | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerudfn | RF4C100 | MOSFET (金属 o化物) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 10a(10a) | 1.8V,4.5V | 15.6mohm @ 10a,4.5V | 1.2V @ 1mA | 23.5 NC @ 4.5 V | ±8V | 1660 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA143 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSH100N03TB1 | 0.4998 | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSH100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 13.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 5 V | ±20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTB543EETL | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTB543 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 5mA,100mA | 115 @ 100mA,2V | 260 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143XKAT146 | 0.2700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC143 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB713ZMT2L | 0.1002 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-723 | DTB713 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA043ZMT2L | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA043 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1707TL | 0.8200 | ![]() | 2698 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SB1707 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 4 a | 100NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 40mA,2a | 270 @ 200ma,2V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | umd6ntr | 0.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMD6 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | - |
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