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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor Ru1c002untcl 0.3700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-85 RU1C002 MOSFET （金属 o化物） UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 200ma（ta） 1.2V，2.5V 1.2OHM @ 200mA，2.5V 1V @ 1mA ±8V 25 pf @ 10 V - 150MW（TA）
RZM002P02T2L Rohm Semiconductor RZM002P02T2L 0.3600
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 RZM002 MOSFET （金属 o化物） VMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 200ma（ta） 1.2V，4.5V 1.2OHM @ 200mA，4.5V 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 V ±10V 115 pf @ 10 V - 150MW（TA）
MP6M12TCR Rohm Semiconductor MP6M12TCR -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6M12 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor R6007RND3TL1 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6007 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 7A（TC） 15V 940MOHM @ 3.5A，15V 7V @ 1mA 17.5 NC @ 15 V ±30V 460 pf @ 100 V - 96W（TC）
IMB2AT110 Rohm Semiconductor IMB2AT110 0.1277
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 IMB2 300MW SMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
R6020KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6020knz1c9 -
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A（TC） 10V 196mohm @ 9.5a，10V 5V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 25 V - 231W（TC）
SH8M13GZETB Rohm Semiconductor SH8M13GZETB 0.4645
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M13 - 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a，7a 29mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 18NC @ 5V 1200pf @ 10V -
EMF7T2R Rohm Semiconductor EMF7T2R -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMF7 150MW EMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-EMF7T2RTR 8,000 50V，12V 100mA，500mA 500NA，100NA（ICBO） 1 NPN预先偏见，1 NPN 300mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 10mA，200ma 20 @ 20mA，5v / 270 @ 10mA，2V 250MHz，320MHz 2.2kohms 2.2kohms
RCD075N19TL Rohm Semiconductor RCD075N19TL 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RCD075 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 190 v 7.5A（TC） 4V，10V 336mohm @ 3.8A，10V 2.5V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 850MW（TA），20W（tc）
DTC124XE3TL Rohm Semiconductor DTC124XE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTC124X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC124 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G07BBGC16 3.7100
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 RX3G07 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB - rohs3符合条件 3（168）） 846-RX3G07BBGC16 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 130a（TA），70A （TC） 4.5V，10V 3mohm @ 70a，10v 2.5V @ 1mA 56 NC @ 10 V ±20V 3540 pf @ 20 V - 89W（TC）
DTC114TE3TL Rohm Semiconductor DTC114TE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 DTC143T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC114 150兆 EMT3 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 100 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
SP8K2TB Rohm Semiconductor SP8K2TB 1.0000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K2 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 10.1NC @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor RTR040N03HZGTL 0.6800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RTR040 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 2.5V，4.5V 48mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 V ±12V 475 PF @ 10 V - 700MW（TA）
RSF010P03TL Rohm Semiconductor RSF010P03TL 0.6800
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RSF010 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 1A（1A） 4V，10V 350MOHM @ 1A，10V - 1.9 NC @ 5 V ±20V 120 pf @ 10 V - 800MW（TA）
RQ7G080ATTCR Rohm Semiconductor RQ7G080ATTCR 1.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 RQ7G080 MOSFET （金属 o化物） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 8a（8a） 4.5V，10V 18.2MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 1mA 37 NC @ 10 V ±20V 2060 pf @ 20 V - 1.1W（TA）
RGTH80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC11 4.3500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH80 标准 234 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V，40a - 79 NC 34NS/120NS
QS8M11TCR Rohm Semiconductor QS8M11TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8M11 - - TSMT8 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 3.5a - - - - -
DTC115EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC115EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC115 150兆 EMT3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
R6024KNJTL Rohm Semiconductor R6024knjtl 4.0000
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB R6024 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 24A（TC） 10V 165mohm @ 11.3a，10v 5V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 25 V - 245W（TC）
EMA11T2R Rohm Semiconductor EMA11T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 EMA11 150MW EMT5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
EMH11FHAT2R Rohm Semiconductor EMH11FHAT2R 0.0572
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMH11 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
EMB52T2R Rohm Semiconductor EMB52T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB52 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2（PNP 预偏（双重） 150MV @ 500µA，5mA 80 @ 5mA，10v 250MHz 47kohms 47kohms
RSS070P05FU6TB Rohm Semiconductor RSS070P05FU6TB -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSS070 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 45 v 7a（ta） 4V，10V 27mohm @ 7a，10v - 47.6 NC @ 5 V ±20V 4100 PF @ 10 V - 2W（TA）
SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB 6.6400
RFQ
 ECAD 5476 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA SCT2H12 sicfet （碳化硅） TO-268 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 1700 v 4A（TC） 18V 1.5OHM @ 1.1A，18V 4V @ 410µA 14 NC @ 18 V +22V，-6V 184 PF @ 800 V - 44W（TC）
QS8J11TCR Rohm Semiconductor QS8J11TCR 0.2327
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J11 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 3.5a 43mohm @ 3.5A，4.5V 1V @ 1mA 22nc @ 4.5V 2600pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
2SC4081U3T106Q Rohm Semiconductor 2SC4081U3T106Q 0.2400
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4081 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
SCT4045DEC11 Rohm Semiconductor SCT4045DEC11 14.8500
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT4045 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT4045DEC11 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 750 v 34A（TC） 18V 59mohm @ 17a，18v 4.8V @ 8.89mA 63 NC @ 18 V +21V，-4V 14600 PF @ 500 V - 115W
RCJ120N20TL Rohm Semiconductor RCJ120N20TL 1.3000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB RCJ120 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 12A（TC） 10V 325MOHM @ 6A，10V 5.25V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±30V 740 pf @ 25 V - 1.56W（ta），40W（TC）
RDR005N25TL Rohm Semiconductor RDR005N25TL 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RDR005 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 250 v 500mA（ta） 4V，10V 8.8ohm @ 250mA，10v 3V @ 1mA 3.5 NC @ 10 V ±20V 70 pf @ 25 V - 540MW（TA）
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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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