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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RD3H160SPTL1 | 1.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3H160 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 16A(TA) | 4V,10V | 50mohm @ 16a,10v | 3V @ 1mA | 16 NC @ 5 V | ±20V | 2000 pf @ 10 V | - | 20W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | US6U37TR | 0.2938 | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6U37 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 1.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 240MOHM @ 1.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 80 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||
R6024ENZC17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6024 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6024ENZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a,10v | 4V @ 1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114WUAT106 | 0.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC114 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 24 @ 10mA,5v | 250 MHz | 10 kohms | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB543EMT2L | 0.1035 | ![]() | 4651 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTB543 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 5mA,100mA | 115 @ 100mA,2V | 260 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDX045N60FU6 | - | ![]() | 7226 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RDX045 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 4.5A(ta) | 10V | 2.1OHM @ 2.25a,10V | 4V @ 1mA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF33T2R | - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 12V PNP,30V n通道 | 通用目的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMF33 | EMT6 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-EMF33T2RTR | 8,000 | 500mA PNP,100mA n通道 | PNP,N通道 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ081N20TL | 1.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RCJ081 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 8A(TC) | 10V | 770MOHM @ 4A,10V | 5.25V @ 1mA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 330 pf @ 25 V | - | 1.56W(ta),40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT40TS65DGC11 | 3.0000 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGT40 | 标准 | 144 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,20a,10ohm,15V | 58 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 40 a | 60 a | 2.1V @ 15V,20A | - | 40 NC | 22NS/75NS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RTF010P02TL | 0.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | RTF010 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1A(1A) | 2.5V,4.5V | 390MOHM @ 1A,4.5V | 2V @ 1mA | 2.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 150 pf @ 10 V | - | 800MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||
SH8KC6TB1 | 0.9900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8KC6 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 6.5A(TA) | 32mohm @ 6.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 7.6nc @ 10V | 460pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW50TK65DGVC11 | 6.3100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | 标准 | 67 W | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,25a,10ohm,15V | 92 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 30 a | 100 a | 1.9V @ 15V,25a | (390µJ)(在430µJ上) | 73 NC | 35NS/102NS | ||||||||||||||||||||||||||
R6002ENHTB1 | 1.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | R6002 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 1.7A(TA) | 10V | 3.4ohm @ 500mA,10v | 4V @ 1mA | 6.5 NC @ 10 V | ±20V | 65 pf @ 25 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JEBHZGTL | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA123 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umt1nfhatn | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT1 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5876U3T106 | 0.4100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SC5876 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 500 MA | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 50mA,2V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR522UBTL | 0.2100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-85 | 2SCR522 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 200 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 1mA,2V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCD060N25TL | 0.6045 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RCD060 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 6A(TC) | 10V | 530MOHM @ 3A,10V | 5V @ 1mA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 840 pf @ 25 V | - | 850MW(TA),20W(tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT4401U3T106 | 0.5100 | ![]() | 184 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMT4401 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 750mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
RS3L045GNGZETB | 0.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RS3L | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 4.5A(ta) | 4.5V,10V | 59MOHM @ 4.5A,10V | 2.7V @ 50µA | 5.6 NC @ 10 V | ±20V | 285 pf @ 30 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009KND3TL1 | 0.9200 | ![]() | 3599 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | (1 (无限) | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ025P02TR | 0.2451 | ![]() | 1205 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RTQ025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 100mohm @ 2.5a,4.5V | 2V @ 1mA | 6.4 NC @ 4.5 V | ±12V | 580 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA) | |||||||||||||||||||||||||
SP8K1FU6TB | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K1 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 5a | 51MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 1mA | 5.5nc @ 5V | 230pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR542PFRAT100 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR542 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 100mA,2a | 200 @ 500mA,2V | 240MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123Eetl | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA123 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 20mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
RSS090P03FU7TB | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9a(9a) | 4V,10V | 14mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 39 NC @ 5 V | ±20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YU3T106 | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA114 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC114 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023JMT2L | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA023 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1963T100Q | - | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD1963 | 500兆 | MPT3 | - | rohs3符合条件 | 846-2SD1963T100QTR | 1,000 | 20 v | 3 a | 500NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 2.5mA,25mA | 180 @ 2mA,6v |
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