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晶体管（（3592）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RSF015N06TL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF015	MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.5A（TA）	4V，10V	290MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	110 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DTC363EUT106	-	RFQ	5816	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC363		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													20 v	600 MA	500NA	npn-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	200 MHz	6.8科姆斯	6.8科姆斯
2SB1694T106	0.4300	RFQ	36	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SB1694		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	380mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
RF4C100BCTCR	0.8500	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerudfn	RF4C100	MOSFET （金属 o化物）		HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	15.6mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 1mA	23.5 NC @ 4.5 V	±8V	1660 pf @ 10 V	-	2W（TA）
tt8m3tr	0.1839	RFQ	6932	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8M3	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	2.5a，2.4a		72MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	3.6nc @ 4.5V		260pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
RQ6E045BNTCR	0.5100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6E045	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TJ）	4.5V，10V	30mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	8.4 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
EMB6T2R	0.0801	RFQ	6023	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB6T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50V	30mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
DTC143ZE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA143Z	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RQ6C050BCTCR	0.8900	RFQ	4833	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RQ6C050	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5A（TC）	4.5V	36mohm @ 5A，4.5V	1.2V @ 1mA	10.4 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.25W（TC）
IMX2T108	0.0916	RFQ	9058	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMX2		300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
dta114eubhzgtl	0.2200	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-85	DTA114		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	-	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
QS6M4TR	0.6000	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	QS6M4	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V，20V	1.5a		230MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	1.6NC @ 4.5V		80pf @ 10V	逻辑级别门
SCT3080ALHRC11	21.0800	RFQ	8	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3080	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
RSD160P05TL	1.0100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD160	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	45 v	16A（TA）	4V，10V	50mohm @ 16a，10v	3V @ 1mA	16 NC @ 5 V	±20V	2000 pf @ 10 V	-	20W（TC）
2SAR514P5T100	0.4200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR514		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													80 V	700 MA	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 15mA，300mA	120 @ 100mA，3v	380MHz
DTA143ZEBTL	0.2600	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA143		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
SCT3120ALGC11	9.1500	RFQ	2	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3120	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q12567120	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	21a（TC）	18V	156mohm @ 6.7a，18v	5.6V @ 3.33mA	38 NC @ 18 V	+22V，-4V	460 pf @ 500 V	-	103W（TC）
IMZ2AT108	0.3900	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMZ2		300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz，140MHz
R6077VNZ4C13	14.2100	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6077	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6077VNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	77A（TC）	10V，15V	51MOHM @ 23A，15V	6.5V @ 1.9mA	108 NC @ 10 V	±30V	5200 PF @ 100 V	-	781W（TC）
RSS100N03TB1	-	RFQ	1719年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RSS100N03TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	10a（10a）	4V，10V	13.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	20 nc @ 5 V	20V	1070 pf @ 10 V	-	2W（TA）
SSTA13T116	0.1434	RFQ	9957	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSTA13		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	300 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
DTC124EEBTL	0.2600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTC124		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	30 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2SD1733TLR	-	RFQ	5727	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1733		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	180 @ 500mA，3v	100MHz
SCT4013DRC15	42.4300	RFQ	881	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4013	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	750 v	105A（TC）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W
2SD2662T100	0.6700	RFQ	455	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2662		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													30 V	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	350mv @ 50mA，1a	270 @ 100mA，2V	330MHz
SCT3040KRC14	54.0100	RFQ	917	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3040	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	55A（TC）	18V	52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	262W
2SAR552PFRAT100	0.5700	RFQ	858	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR552		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													30 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	330MHz
UMD2NFHATR	0.4800	RFQ	24	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMD2		150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-UMD2NFHATR	Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
2SK2504TL	-	RFQ	4485	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK2504	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	5A（5A）	4V，10V	220MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA		±20V	520 pf @ 10 V	-	20W（TC）
RRL035P03TR	0.4500	RFQ	936	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RRL035	MOSFET （金属 o化物）		Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	8 nc @ 5 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	320MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²