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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RGWX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 11.4700
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGWX5TS65 标准 348 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGWX5TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，37.5A，10欧姆，15V 100 ns 沟渠场停止 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V，75a 213 NC 59NS/243NS
RGWX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65HRC11 8.5600
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGWX5TS65 标准 348 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGWX5TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，37.5A，10欧姆，15V 沟渠场停止 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V，75a 213 NC 62NS/237NS
R6535ENZC8 Rohm Semiconductor R6535ENZC8 -
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6535 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6535ENZC8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 35A（TC） 10V 115mohm @ 18.1a，10v 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 102W（TC）
UMD9NFHATR Rohm Semiconductor UMD9NFHATR 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMD9 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
R6530ENZC8 Rohm Semiconductor R6530ENZC8 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6530 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6530ENZC8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 86W（TC）
R6035ENZC17 Rohm Semiconductor R6035ENZC17 7.8500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6035 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6035ENZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 35A（TC） 10V 102MOHM @ 18.1a，10V 4V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 2720 PF @ 25 V - 120W（TC）
SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3040KLHRC11 56.3400
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3040 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 55A（ta） 18V 52Mohm @ 20a，18v 5.6V @ 10mA 107 NC @ 18 V +22V，-4V 1337 PF @ 800 V - 262W
BSM600C12P3G201 Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201 1.0000
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 Rohm半导体 - 托盘 积极的 175°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM600 sicfet （碳化硅） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4 n通道 1200 v 600A（TC） - - 5.6V @ 182mA +22V，-4V 28000 PF @ 10 V - 2460W（TC）
RGTH80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC11 4.3500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH80 标准 234 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V，40a - 79 NC 34NS/120NS
RSD200N05TL Rohm Semiconductor RSD200N05TL 0.4542
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD200 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 45 v 20A（TA） 4V，10V 28mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 V ±20V 950 pf @ 10 V - 20W（TC）
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TK65DGC11 5.9600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGTH40 标准 56 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 23 a 80 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/73NS
RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT50TM65DGC9 3.5200
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RGT50 标准 47 W TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 21 a 75 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/88NS
RGT8TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8TM65DGC9 2.1000
RFQ
 ECAD 897 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RGT8TM65 标准 16 W TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，4A，50OHM，15V 40 ns 沟渠场停止 650 v 5 a 12 a 2.1V @ 15V，4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor RGT16BM65DTL 2.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGT16 标准 94 W TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400V，8a，10ohm，15V 42 ns 沟渠场停止 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V，8a - 21 NC 13ns/33ns
RSD131P10TL Rohm Semiconductor RSD131P10TL 0.6497
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD131 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 13A（TC） 4V，10V 200mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 850MW（TA），20W（tc）
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1 1.7200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3L140 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 14A（TA） 4V，10V 84mohm @ 14a，10v 3V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 V - 20W（TC）
RSD100N10TL Rohm Semiconductor RSD100N10TL 0.6086
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RSD100 MOSFET （金属 o化物） CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 10a（10a） 4V，10V 133mohm @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 20W（TC）
US6U37TR Rohm Semiconductor US6U37TR 0.2938
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6U37 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1.5A（TA） 2.5V，4.5V 240MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 V ±12V 80 pf @ 10 V - 700MW（TA）
EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor EMH10FHAT2R 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMH10 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
SP8J66FRATB Rohm Semiconductor SP8J66FRATB 1.2240
RFQ
 ECAD 1793年 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J66 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 9a（9a） 18.5mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA -
RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DHRC11 6.7700
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW60 标准 178 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW60TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，15a，10ohm，15V 87 ns 沟渠场停止 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V，30a 84 NC 36NS/107NS
RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65EHRC11 8.0200
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW80 标准 214 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW80TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，20a，10ohm，15V 86 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V，40a 110 NC 43ns/148ns
R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor R6507KND3TL1 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6507 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 7A（TC） 10V 665mohm @ 2.4a，10v 5V @ 200µA 14.5 NC @ 10 V ±20V 470 pf @ 25 V - 78W（TC）
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPR10BM40FHTL 0.9330
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜75°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGPR10 标准 107 w TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300V，8A，100OHM，5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V，10a - 14 NC 500NS/4µs
TT8J13TCR Rohm Semiconductor TT8J13TCR 0.2165
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8J13 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.5a 62MOHM @ 2.5A，4.5V 1V @ 1mA 16nc @ 4.5V 2000pf @ 6V 逻辑级别门，1.5V
RRH100P03TB1 Rohm Semiconductor RRH100P03TB1 0.7669
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRH100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 P通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 12.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 V ±20V 3600 PF @ 10 V - 650MW（TA）
2SC4081U3T106Q Rohm Semiconductor 2SC4081U3T106Q 0.2400
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4081 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz
RCX300N20 Rohm Semiconductor RCX300N20 1.9000
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RCX300 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 200 v 30A（TC） 10V 80Mohm @ 15a，10v 5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±30V 3200 PF @ 25 V - 2.23W（ta），40W（TC）
SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3160KLGC11 10.4900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3160 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 17a（TC） 18V 208MOHM @ 5A，18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V，-4V 398 PF @ 800 V - 103W（TC）
DTC115ECAT116 Rohm Semiconductor DTC115ECAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC115 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 82 @ 5mA，5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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